美光、閃迪大反彈！大摩揭秘輝達減配真相，黃仁勳指記憶體需求熱潮可能延續數年

Tradingkey - 上週五，記憶體股因輝達削減 Vera Rubin 機架記憶體配置的傳聞而暴跌。具體內容查看《Market Rumors Nvidia Rubin Platform Plans to Reduce Memory Capacity…》。

市場將輝達（NVDA）削減 Vera Rubin 機架的記憶體容量的新聞，解讀為對記憶體需求的下滑。導致美光當日暴跌 13.25%，閃迪跌 11.39%，創去年中美關稅戰以來最大單日跌幅。

而摩根士丹利最新研報反駁了這個看空觀點，成為今日記憶體股反攻的最大利多。截至發稿，美光科技（MU）漲 9.11%，閃迪（SNDK）漲 6.11%，希捷科技（STX）漲 4.14%，威騰電子（WDC）漲 3.39%。

摩根士丹利表示，輝達削減 Vera Rubin 機架記憶體配置的情況確實存在，但強調這一調整完全是供應端約束所致，而非需求疲軟，市場對此事件的解讀方向完全相反。

該機構表示，此次調整的唯一目的是將 DRAM 短缺對 GPU 機架銷售的衝擊降至最低，而這正是真實短缺存在的證據。輝達及雲端運算客戶願意購買能夠獲得的每一 GB SOCAMM 記憶體，一旦供應跟上，將立即恢復至更高配置。

從規模影響來看，假設明年建造 5.3 萬至 7 萬個機架，在 55TB 的配置下，這些機架產生的 SOCAMM 需求將接近全球 DRAM 總需求的 5%。如果配置全面減半，最極端的情況下將減少約 140 萬 TB 的需求，相當於 620 萬 TB 整體市場規模的 2% 以上，並且受到影響的是市場中價值更高的細分領域。大摩預料更高容量的配置將在出貨開始後不久恢復供應。

市場規模方面，摩根大通預計，2026 至 2028 年全球記憶體市場規模將大幅上修，2028 年有望達到 1.7 兆美元（DRAM 達 1.237 兆美元，NAND 達 4545 億美元）。

Trendforce 分析師同樣指出，隨著 HBM 技術代際在 2027 年持續演進，晶片尺寸擴大與需求同步上升，對傳統 DRAM 產能的擠壓效應預計將進一步加劇。這將為供應商提供上調 HBM 價格的理由，並強化其在明年 HBM 談判中的定價權。

此外，在市場恐慌中，輝達（輝達）CEO 黃仁勳釋放利多信息：目前仍看不到記憶體缺貨循環終點，整體供應鏈持續供不應求，需求熱潮可能延續數年。

今日，輝達與 SK 海力士宣布建立多年期技術合作夥伴關係，雙方將圍繞全球 AI 工廠建設所需的下一代記憶體展開聯合研發。

根據協議，SK 海力士將為輝達的 Vera Rubin AI 超級電腦、Vera CPU、RTX Spark PC 及 Jetson Thor 機器人運算平台開發專用記憶體。