三星與輝達合作升級:HBM4E、HBM5及自動駕駛晶片代工進入實質性討論

來源 Tradingkey

TradingKey - 首爾時間 6 月 8 日,三星電子晶片部門負責人全永鉉表示,公司已與輝達(NVDA)CEO 黃仁勳就下一代晶片的代工合作及 HBM4E、HBM5 等未來技術展開了廣泛討論。雙方正在就 4nm 和 8nm 節點所需的自動駕駛晶片以及輝達加速器晶片領域展開合作。

就在會晤前夕,輝達已確認三星電子、SK 海力士、美光(MU)科技三家記憶體巨頭均通過 HBM4 資質認證,進入大規模量產階段,將為輝達下一代 AI 平台 Vera Rubin 供應 HBM4。Vera Rubin 已全面投產,計劃於今年第三季度開始交付。

從 HBM4 到 HBM5:三星加速佈局

全永鉉透露,雙方圍繞 HBM4E 及 HBM5 的長期合作計劃進行了深入討論。三星電子今年 2 月全球率先量產第六代 HBM4,隨後於 5 月底向全球客戶供應第七代 HBM4E 12 層樣品,從 HBM4 量產到 HBM4E 樣品出貨僅用約 3 個月。

三星官方披露,HBM4E 每引腳傳輸速度最高可達 16Gbps,每個堆疊總頻寬達 4TB/s,預計將搭載於輝達明年下半年推出的 Vera Rubin Ultra 等下一代 AI 加速器。

在 2026 年台北國際電腦展上,三星首次展示了第八代 HBM5,配套的 HPB 封裝內置散熱方案已在 HBM4E 上完成實測驗證。

KB Securities 分析師 Lee Seung-woo 此前預計,若三星獲得輝達 HBM4E 供應協議,每年可為三星記憶體業務帶來 80 億至 100 億美元的營收。

代工合作有望擴大

目前,美國 AI 推理晶片獨角獸 Groq 已委託三星採用其 4nm 製程生產 Groq 3 LPU。三星晶圓代工總裁韓進萬表示:「我們的 4nm 製程絕不遜色」。雙方已探討長期合作,市場預計三星未來有望在 3nm/2nm 節點承接更多 AI 晶片代工訂單。

輝達在最新的 GTC 大會上將 Groq 3 LPU 納入 Vera Rubin 平台,打造「GPU+LPU」異質推理方案。執行長黃仁勳訪韓時強調,記憶體晶片供應吃緊將持續數年,並稱「整個產業供應鏈,從晶圓、封裝到矽光子,所有環節都供不應求」。他還表示,AI 相關股票目前非常便宜,長期需求強勁。

三星股價週一重挫逾10%

儘管市場對合作消息已有預期,三星電子週一仍深度回檔。受博通(AVGO)AI 晶片指引不及預期及美國 5 月非農超預期影響,韓國 KOSPI 指數早盤暴跌逾 8% 觸發熔斷,收跌 8.29%。三星電子收盤報 29.55 萬韓元,大跌 10.18%。

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【來源:TradingView】

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