記憶體巨頭SK海力士赴美上市在即，你需要了解的一些關鍵資訊
TradingKey - 2026年6月，南韓記憶體巨頭SK海力士正加速叩開華爾街的大門。這家全球HBM（高頻寬記憶體）市場的絕對霸主，計劃以發行美國存託憑證（ADR）的方式在那斯達克上市，股票代碼「SKHY」，將成為近年來規模最大的外國公司赴美上市交易之一。
SK海力士是一家什麼公司？
SK海力士前身為1983年成立的現代電子產業有限公司，2001年從現代集團獨立更名為海力士半導體，2012年被SK集團收購後定名SK海力士。總部位於韓國利川，現任CEO郭魯正。主營業務為記憶體半導體，包括DRAM、NAND Flash、MCP等。
2002年因債務危機陷入困境，曾計畫出售給美光科技（MU），交易未能達成。2023年受全球記憶體晶片價格下跌拖累，錄得約7.73兆韓元營業虧損。兩年後成為全球AI記憶體的主要供應商。
三星電子業務橫跨消費性電子、邏輯晶片和記憶體晶片，SK海力士專注記憶體晶片，在AI驅動的HBM需求成長中受益更為集中。
公司在AI需求大規模興起前已佈局HBM技術，憑藉HBM2E等產品建立產業領先地位。目前為輝達（NVDA）、谷歌（GOOGL）等客戶提供AI晶片所需記憶體產品，與輝達的合作已從零組件採購轉為深度戰略綁定。
赴美上市時程表與計劃
SK海力士的赴美上市進程正以超預期的節奏推進。2026年3月，公司已向美國 SEC 秘密提交了 ADR 上市公開募股註冊申請書；6月24日，SK海力士發布公告，計劃發行規模最高達 45.45 兆韓元（約合 294 億美元）的存託憑證。美銀、花旗（C）、高盛（GS）和摩根大通（JPM）將擔任此次發行的主承銷商。
根據公司公告，存託憑證預計於 7 月 10 日在納斯達克開始交易。每份 ADR 定價為 25.55 萬韓元。最終募資金額可能在詢價圈購完成後有所調整。SK海力士表示，所籌資金將用於龍仁半導體聚落一期晶圓廠、清州 P&T7 先進封裝工廠建設及 EUV 曝光機等設備投資。
關鍵節點 | 時間 | 詳情 |
秘密提交申請 | 2026年3月 | 向 SEC 秘密提交 ADR 上市公開募股註冊申請書 |
指定承銷商 | 2026年4月 | 花旗集團、摩根大通、高盛、美銀擔任主承銷商 |
非交易路演（NDR） | 2026年6月初 | 針對海外機構投資人完成路演 |
SEC 獲批 | 2026年6月24日 | 董事會已批准發行 ADR 並在納斯達克上市的計劃，預計 SEC 將在未來幾天內批准其 ADR 上市申請 |
掛牌時間 | 暫定 2026 年 7 月 10 日 | 選擇納斯達克上市 |
SK 集團會長崔泰源表示，在美國上市有助於將股東基礎擴大到韓國以外，增加對美國和國際投資者的接觸。CEO 郭魯正在年度股東大會上表示，公司希望與全球主要科技公司一起在美國市場重新評估其價值。
年初至今股價及業績表現
2026年以來SK海力士股價累計漲超300%，過去一年漲幅逾800%。6月22日盤中一度漲超6%至295萬韓元，總市值突破2082兆韓元，短暫超越三星電子，成為KOSPI市值最高的上市公司。這是2000年11月以來三星電子首次失去韓國市值第一的位置。
【來源：TradingView】
SK海力士2026年第一季營收52.58兆韓元，年增198%；營業利益37.61兆韓元，年增405%，營業利益率72%，高於輝達同期的65%。
指標 | 數據 | 同比變化 |
營收 | 52.58兆韓元 | 1.98 |
營業利益 | 37.61兆韓元 | 4.05 |
營業利益率 | 72% | 歷史最高水準 |
市場共識預計第二季營業利益在62兆至65兆韓元之間，部分券商預測已上調至68兆韓元以上。
回顧2025年全年，SK海力士營收97.15兆韓元，年增47%；營業利益47.21兆韓元，年增101%，年度營業利益首次超越三星電子。HBM銷售額年增逾一倍，占總營收比重升至42%。
全球HBM競爭格局
HBM（高頻寬記憶體）是將多層 DRAM 堆疊後緊貼 AI 晶片擺放的高速記憶體，是 AI 伺服器運行大型語言模型的關鍵零組件。在 HBM 市場，SK 海力士的統治力毋庸置疑：
指標 | 數據 |
全球 HBM 市占率 | 約 58%（2026 年 Q1，Counterpoint Research） |
整體市場估計 | 維持在 70% 至 80% |
輝達 HBM 供應份額 | 超 60%，是輝達最主要的 HBM 供應商 |
HBM4 預期市占 | 預計守住逾 50% |
輝達 Vera Rubin 訂單 | 已獲得超三分之二的 HBM 供應訂單 |
Counterpoint Research 於 2026 年 6 月 25 日發布的最新數據顯示，2026 年第一季全球 HBM 市場按營收計算，SK 海力士以 58% 的市場份額穩居第一，三星電子與美光各佔 21%，並列第二。
三星電子正在積極追趕，於 2 月率先量產 HBM4 並向輝達供貨。輝達 CEO 黃仁勳於 6 月 5 日確認，SK 海力士、三星和美光均已通過驗證並投產 HBM4，供應輝達新一代 AI 平台 Vera Rubin。隨著 AI 晶片功耗逼近 1000W、堆疊層數持續攀升，熱管理正成為 HBM 技術競爭的新焦點，三大廠商已分別推出 iHBM、HPB 和 TSV 液冷等差異化散熱方案。
投資SK海力士都有哪些管道？
管道一：直接購買SK海力士ADR（即將開放）
SK海力士將在那斯達克以ADR（美國存託憑證） 形式上市。屆時美國投資人可透過美股帳戶直接以美元交易SK海力士股票。上市後，SK海力士ADR有望被納入費城半導體指數（SOX） ，這將進一步吸引被動基金的配置需求。
管道二：透過韓國股市購買（需海外交易權限）
SK海力士目前在韓國證券交易所交易，代碼為000660.KS。但投資人直接購買韓股需開通韓國股市交易權限或透過複委託（海外股票代購）服務，操作相對複雜。除了正股之外，在韓國股市還可以直接購買SK海力士相關ETF產品及兩倍槓桿產品。
管道三：投資美股半導體ETF（間接持有）
目前美股市場上已有若干ETF持有SK海力士部位：
Roundhill Memory ETF（DRAM） ：2026年4月2日上市，是市場上首檔「純記憶體ETF」，超過50%收入來自HBM相關業務。該ETF持股中包含SK海力士、三星電子、鎧俠等對美國投資人而言較難直接買入的記憶體晶片公司。
Franklin FTSE South Korea ETF（FLKR）：追蹤富時韓國指數，持股高度集中於韓國大型股。SK海力士為第一大持股，占比31.33%，前兩大持股（SK海力士+三星電子）合計超過51%。
iShares MSCI South Korea ETF（EWY）：美股市場規模最大的韓國ETF，SK海力士為其第一大持股，占比近30%。三星電子持股亦超過20%，兩者合計約佔基金總資產的48%。2026年以來該ETF漲幅已超過90%。
管道四：台股ETN（台灣投資人適用）
統一亞洲半導體ETN（020025）中SK海力士權重高達28.93%，台灣投資人無需複委託即可參與SK海力士美股掛牌行情。
管道五：港股槓桿產品
南方兩倍做多海力士（07709.HK），追蹤SK海力士每日兩倍收益。6月22日規模突破1300億港元，成港股最大ETF，年內漲1062%。槓桿雙面刃，6月23日暴跌超21%，風險極高。
投資視角與總結
SK海力士赴美上市的核心投資邏輯如下：
一、SK海力士為輝達供應超60%的HBM，深度嵌入AI算力產業鏈。AI晶片對HBM的需求已從可選變為剛性，短期經濟波動對此影響有限。
二、HBM產能擴張受制於先進封裝技術，SK海力士的先發優勢難以被快速複製。即便三星在HBM4領域追趕，SK海力士與輝達共同優化的技術壁壘短期內仍難打破。
三、SK海力士目前預估本益比僅8倍左右，低於美股半導體同業。ADR上市後，估值有望向全球AI半導體標準靠攏。里昂證券6月10日報告重申"高度確信優於大盤"評級，大和證券目標價上調至360萬韓元，評級"買進"。
當然，風險同樣存在，HBM合約價2026年面臨下滑壓力；三星HBM4追趕加速；AI資本支出若降溫將直接衝擊HBM需求；上市後需直面美光等競爭對手在美股的估值比較。
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