HBM4產能翻倍、HBM4E轉單台積電，美光股價能衝破1000美元嗎？

TradingKey - 據韓媒《THE ELEC》週一報導，美光科技(MU)第六代高頻寬記憶體 HBM4 產能爬坡速度較 HBM3 12 層產品快兩倍，良率同步改善。與此同時，美光將下一代 HBM4E 的基礎晶片轉由台積電代工，計劃 2027 年量產。

市場對美光的預期從三個月前的「被排除在輝達（NVDA）供應鏈之外」逆轉到如今的「關鍵供應商」，市場的關注點在於這種逆轉能否助推美光股價衝破 1000 美元？

HBM4首年訂單曾陷「歸零」危機

2026年2月9日，產業分析機構SemiAnalysis發布報告，將美光在輝達Vera Rubin平台的首年HBM4訂單份額預測「下調至零」，預計SK海力士拿下約70%、三星囊括30%。

美光堅持內部自主設計和製造HBM4基礎裸片，未藉助外部先進製程，樣品在接腳速度等關鍵指標上被拉開差距。

美光陷入這一危機，根源在於戰略選擇：在迭代快、與邏輯製程深度綁定的HBM領域，它當時低估了客戶對先進代工的依賴。

Q1宣布量產，HBM4重回供應鏈

3 月 17 日，美光宣布專為輝達 Vera Rubin 平台設計的 12 層堆疊 36GB HBM4 已於 2026 年第一季開始量產出貨。該產品接腳速率達 11.2Gb/s，頻寬達 2.8TB/s，能效較 HBM3E 提升 23%。

美光全球營運副總裁 Manish Bhatia 確認，美光已成為 Vera Rubin 平台的關鍵供應商之一，直接打破了「市佔歸零」的市場預期。

儘管 CounterPoint Research 此前預測 2026 年全球 HBM4 市佔率中美光僅佔 18%、SK 海力士佔 54%、三星佔 28%，但 Q1 量產意味著美光至少保住了下一代 AI 運算平台首輪出貨份額，為後續爭取更大訂單提供了關鍵籌碼。

HBM4E轉單台積電，策略路徑重大轉向

在更先進的 HBM4E 世代，美光戰略轉向明顯：核心 DRAM 升級至首次導入 EUV 微影的 1γ 製程，基底晶片不再自研，轉由台積電代工，計劃 2027 年量產。

美光還設定內部目標，2026 年年中 1γ DRAM 與第九代 NAND 出貨量將佔總容量半數以上。三大廠商路徑分化：三星維持自研基底（4 奈米），SK 海力士同樣採用台積電 3 奈米代工，預計 2026 年下半年送樣、2027 年量產。

這一轉向的實質是美光承認在製程上存在短板，將最需要先進製程的環節外包給台積電。外包會增加成本，但換來的是產品性能和上市時間的保障。資本市場顯然更看重後者：匯豐、德銀等機構在轉向消息後大幅上調目標價，說明投資者願意為「糾錯」買單，而非堅持「自研」的情懷。

機構密集調升目標價

匯豐銀行 5 月 19 日將美光 12 個月內目標價從 750 美元上調至 1100 美元，理由是 AI 推動記憶體需求持續走強。德銀將 12 個月內目標價從 550 美元上調至 1000 美元。花旗將目標價上調至 840 美元，對應 2027 財年本益比 8 倍。

值得注意的是，投行密集上調目標價的行為本身也在推高市場預期。當前美光股價已部分消化這些利多，接下來的上漲需要 HBM4 實際出貨量和毛利率數據的持續兌現，而非僅僅依靠「轉單」敘事。

HBM4E轉單台積電的利多兌現仍需時間

然而，HBM4E 轉單台積電的主要利多從 2027 年開始兌現，而 Vera Rubin 平台近兩年的高階 AI 記憶體供應已主要由 SK 海力士和三星佔據。CounterPoint 預期美光 2026 年僅佔 18% 的份額，意味著在 HBM4E 量產前，美光在高階 AI 記憶體市場的份額追趕可能有限。

此外，本週市場關注週四公布的美國 4 月 PCE 通膨數據，若數據超預期可能壓制科技板塊估值。

綜合來看，美光已從「被排除」回到「量產」，並轉向外部代工，市場預期得到修復。但修復預期與兌現獲利之間，存在著時間差。若能確定 2027 年 HBM4E 順利量產且 1γ 良率達標，千美元目標價具備現實基礎。

但短期而言，18% 的份額現實和 PCE 數據擾動，可能讓股價在衝高後進入震盪。市場已對美光「承認錯誤、借助台積電」做出反應。接下來，股價要看實際業績，而非預期。