三星罷工遭美光「挖牆腳」！美光在韓招募HBM人才 能否藉機改寫記憶體產業格局？

TradingKey - 5月21日（週四），三星宣布勞資雙方已達成初步協議，包括資方將拿出公司業績的10.5%作為不設上限的獎金來源等條件。三星電子在聲明中表示，將暫停原定於5月21日-6月7日進行的罷工計劃。

但這份初步協議遭到股東團體的反對，他們表示，該協議在未經股東大會決議的情況下敲定，於法律上無效。

與此同時，Business Korea等媒體報導稱，美光（MU）近期在韓國啟動HBM設計職位招聘，或旨在爭取三星緊張的勞資關係下可能流出的半導體人才，此舉被視為美光在HBM4領域追趕對手的行動。

美光近期在韓國發布的多個職位主要聚焦於下一代HBM研發，旨在為AI、機器學習及高效能運算應用開發HBM解決方案。工作涵蓋DRAM電路設計、功耗與面積及速度優化、架構評審及功能驗證，以及基於矽穿孔（TSV）的3D堆疊、功耗優化及高速介面等核心技術的研發。

分析指出，美光之所以希望挖掘三星的人才，主要是為了追趕其在HBM4競賽中落後的進度。

錯失輝達 Rubin 首批訂單 美光 HBM4 輸在哪裡？

美光之所以在 HBM 三巨頭中掉隊，最直接的原因是錯過了輝達（NVDA）最新 Rubin 架構 AI 顯示卡的首批訂單，其 HBM4 核心產品未能通過輝達的首期資格認證，導致輝達的訂單被 SK 海力士和三星瓜分。

不過，這並不是因為美光在技術上落後，而是該公司選擇自行設計 DRAM 與 HBM4 的基礎晶片。SK 海力士選擇了台積電（TSM）的先進製程，而三星自身就擁有晶圓廠，這與「白手起家」的美光不同，因此美光在 HBM4 的製程精度上遠遠落後於競爭對手。

目前，根據美光高層透露的資訊，美光計劃在 2026 年第二季重新提交 HBM4 的優化方案，並進行資格測試，預計在 2026 年下半年努力擴大高良率生產，以期在中階 AI 晶片及 Rubin 架構的後續機型中重新獲得市場份額。

美光是否能藉機趕上三星？

本次美光在三星罷工潮爆發之際選擇招聘韓國員工，或有望補充 HBM 研發領域的新鮮血液，從而補足長期競爭力，但在短期之內依然很難超越三星。美光現在面臨的最大問題，是因為錯過輝達的首批訂單，現在已經與三星及 SK 海力士拉開了約 9 個月的研發週期時間差。只要三星在下一階段穩紮穩打，不出意外，美光是很難一次性追趕上進度的。此外，美光的 HBM 產能遠小於這兩家韓國企業，根本無法滿足目前急速膨脹的儲存需求。

從長期來看，美光有望透過與這兩位對手的差異化競爭來實現突破。美光在功耗控制和散熱技術上遠遠領先於三星和 SK 海力士，這是輝達最看重的技術亮點之一。美光率先研發出了單顆容量高達 24Gb 的 DRAM 顆粒，HBM 需要透過對 DRAM 晶片的多層堆疊來實現高容量。而美光的 24Gb DRAM 顆粒，只需要疊 8 層，就能實現競爭對手疊 12 層才能達到的效果，這無疑為美光降低了結構的複雜程度。透過對三星人才的吸納，美光有望吸收對手的經驗，形成更堅固的技術護城河。