Speicherriesen darunter Micron, SK Hynix und SanDisk im Aufwind: Lohnt sich jetzt der Kauf von DRAM-ETFs?

TradingKey – In der vergangenen Woche rückte der Speicherchip-Sektor erneut in den Fokus der US-Börsen. Am 13. August US-Ostküstenzeit verkündete SanDisk (SNDK) auf seinem Investorentag langfristig positive Nachrichten, was die Aktie an diesem Tag um 13,67 % nach oben schnellen ließ; SK Hynix ADR (SKHY) stieg um 7,3 %, während Micron Technology (MU), Western Digital (WDC) und Seagate (STX) dem Beispiel folgten und ebenfalls Gewinne verzeichneten.

Gemessen an den Wochengewinnen fiel die Rally noch beeindruckender aus. In der vergangenen Woche (10. bis 14. August) verzeichnete SanDisk ein kumulatives Plus von 35,38 %, SK Hynix ADR stieg um 20,61 % und Micron Technology kletterte um 10,72 %. Die Gesamtperformance des Speichersektors entwickelte sich deutlich besser als der breitere Markt, während der Nasdaq im selben Zeitraum lediglich um 0,14 % zulegte.

Der Roundhill Memory ETF (DRAM) hat sich von seinem Tiefststand vom 24. Juli um rund 30 % erholt, und die Begeisterung für den Speichermarkt ist groß. Doch lohnt es sich für Anleger noch, bei einem erst im April aufgelegten ETF der Rally hinterherzulaufen?

[Quelle: TradingView]

Was ist ein DRAM-ETF?

Am 2. April 2026 legte Roundhill Investments den weltweit ersten reinen Speicher-ETF auf und schloss damit eine Lücke im Chip-Teilsektor. Im Gegensatz zu breit gestreuten Halbleiter-ETFs setzt der DRAM-ETF auf strenge Kriterien bei der Aktienauswahl: Der Umsatz eines Unternehmens im Speichergeschäft muss mehr als 50 % betragen, wodurch eine Verwässerung der Portfolioreinheit durch kernfremde Bereiche wie Chipdesign und Geräteherstellung vermieden wird. Das Produkt verfolgt eine aktive Managementstrategie mit einer Gesamtkostenquote von 0,65 % und wird vierteljährlich neu gewichtet.

Die Positionen des ETF sind stark konzentriert. Stand 16. August 2026 machten die drei größten Werte – Micron Technology (25,42 %), Samsung Electronics (25,4 %) und SK Hynix (20,44 %) – zusammen mehr als 70 % aus. Die übrigen Bestandteile sind in dieser Reihenfolge Seagate, SanDisk, CXMT, Western Digital, Kioxia, Nanya Technology und Winbond Electronics.

[Quelle: Roundhill Investments]

Welche Faktoren stützen den DRAM-Anstieg?

Das Fundament dieser Rallye ist eine echte Lücke zwischen Angebot und Nachfrage und keine thematische Spekulation. Micron-CEO Sanjay Mehrotra erklärte öffentlich, dass das Unternehmen derzeit nur 50 % bis zwei Drittel der Nachfrage bestimmter Schlüsselkunden bedienen könne, und bezeichnete dies als „die größte Lücke zwischen Angebot und Nachfrage in der Geschichte“.

Die Preise liefern die direkteste Bestätigung für diese Lücke zwischen Angebot und Nachfrage. Die Spotpreise für DDR5 (16 Gb) stiegen von November 2025 bis Ende Juni 2026 um mehr als das Vierfache; Daten von TrendForce zufolge sprangen die Vertragspreise für Standard-DRAM im ersten Quartal 2026 im Vergleich zum Vorquartal um 93 % bis 98 % an und stiegen im zweiten Quartal um weitere 53 % bis 58 %.

Noch entscheidender ist, dass ein einzelner HBM-Die 3- bis 4-mal so viele Wafer-Ressourcen verbraucht wie Standard-DDR5, wodurch die Kapazitäten für Allzweck-DRAM kontinuierlich verknappt werden.

Einige Hersteller haben äußerst optimistische Gewinnprognosen vorgelegt. SanDisk merkte auf seinem Investorentag an, dass das Unternehmen für die Geschäftsjahre 2028 bis 2030 eine Non-GAAP-Bruttomarge von rund 80 % erwartet. Darüber hinaus erklärte das Unternehmen ausdrücklich, nach Abschluss der geschäftlichen Investitionen in den nächsten drei Jahren 100 % seiner verbleibenden Barmittel an die Aktionäre zurückzugeben.

Was die Bewertung betrifft, liegt das aktuelle Kurs-Gewinn-Verhältnis von SanDisk bei etwa 19,51x, was moderat erscheint. Hinter diesem niedrigen KGV steckt jedoch ein Gewinnwachstum, das die Kursgewinne bei Weitem übertrifft. Der Umsatz von Micron sprang im dritten Quartal des Geschäftsjahres 2026 im Jahresvergleich um 345,7 % an, während der Umsatz von SanDisk im vierten Quartal um 372 % gegenüber dem Vorjahr wuchs. Wenn die Gewinne in einem solchen Tempo steigen, hinken vergangenheitsbezogene KGVs (Trailing P/E) den Fundamentaldaten systematisch hinterher.

Was sind die nennenswerten Risiken von DRAM-ETFs?

Das Klumpenrisiko stellt das Hauptrisiko dar. Zum 16. August 2026 machten die drei größten Positionen des DRAM-ETF – Samsung Electronics, Micron und SK Hynix – zusammen über 70 % aus. Sobald sich das Szenario für den Speichermarkt umkehrt, werden die NAV-Rücksetzer ebenso heftig ausfallen. Darüber hinaus entfällt auf Samsung und SK Hynix zusammen fast die Hälfte der Gewichtung, was den Fonds dem Währungsrisiko des südkoreanischen Won aussetzt.

Auch die auseinanderlaufenden Zykluserwartungen dürfen nicht ignoriert werden. Goldman Sachs (GS) geht davon aus, dass das knappe Angebot-Nachfrage-Verhältnis bis 2028 bestehen bleibt, während BOCOM International davon ausgeht, dass dies zumindest bis zum vierten Quartal 2027 anhalten wird; Morgan Stanley (MS) erwartet hingegen, dass das Wachstum der DRAM-Vertragspreise im Jahresvergleich im vierten Quartal 2026 seinen Höchststand erreichen wird. Ein Höhepunkt bei der Wachstumsrate ist zwar nicht mit Preissenkungen gleichzusetzen, der Markt preist veränderte Erwartungen jedoch gewöhnlich im Voraus ein.

Zudem ist die Volatilität des ETF selbst ein Faktor, der nicht ignoriert werden darf. Nachdem der ETF am 22. Juni 81,34 US-Dollar erreicht hatte, erlitt er bis Ende Juli einen maximalen Rücksetzer von fast 35 %. Auch die Umschichtung durch das Management-Team Anfang August sendete ein vorsichtiges Signal: Während ChangXin Technologies neu aufgenommen wurde, reduzierte es seine Position in Samsung Electronics an drei aufeinanderfolgenden Handelstagen um rund 3 Millionen Aktien und nahm so etwa 432 Millionen US-Dollar ein.

Sollten Sie jetzt DRAM-ETFs kaufen?

Für taktische Anleger, die mit der Zyklik der Speicherbranche vertraut sind und eine hohe Volatilität tolerieren können, bleibt der DRAM-ETF eine bevorzugte High-Beta-Option. Die Kernlogik lautet, dass die Kapazitätsverdrängung durch KI struktureller Natur ist und die bis 2027 ausverkauften Kapazitäten eine Ertragsuntergrenze bieten. Ein sichererer Ansatz besteht darin, Positionen schrittweise in Tranchen aufzubauen, anstatt überstürzt auf einen Schlag einzusteigen. Darüber hinaus steht die Veröffentlichung der Ergebnisse von Micron für das vierte Quartal des Geschäftsjahres 2026 unmittelbar bevor, und ob die Zahlen die Erwartungen erfüllen, wird die kurzfristige Richtung direkt beeinflussen.

Für Anleger, die eine langfristige, stabile Allokation suchen, ist jetzt nicht unbedingt der beste Einstiegszeitpunkt. Der ETF hat sich von seinem Tiefstand im Juli um etwa 30 % erholt, wobei kurzfristige Katalysatoren vom Markt bereits teilweise eingepreist sind. Die Warnung von Morgan Stanley vor einem Erreichen des Wachstumshöhepunkts steht neben dem bullishen Ausblick von Goldman Sachs für 2028, was darauf hindeutet, dass eine erhebliche Volatilität bevorsteht.

Die mittel- bis langfristige These eines Speicher-Superzyklus ist sehr wahrscheinlich intakt, doch zwischen 'Der Zyklus ist nicht vorbei' und 'Jetzt zu kaufen ist sinnvoll' liegt die Frage des Einstiegspreises. Der DRAM-ETF ist im Wesentlichen ein Instrument, dessen Wert weitgehend vom Timing und der Risikotoleranz des Anlegers abhängt.