AI晶片需求引爆成長，艾司摩爾第二季業績全線優於預期，英特爾決定採用尖端微影設備

TradingKey - 當地時間 7 月 15 日，全球半導體曝光設備巨頭艾司摩爾（ASML）公布 2026 年第二季財報，多項核心指標遠超市場預期，並第二次上調全年財測，彰顯 AI 晶片浪潮下的強勁成長勢頭。

與此同時，英特爾宣布已正式將艾司摩爾最新一代 High NA EUV 曝光設備投入部分處理器的量產，也意味著這一備受關注的新平台開始邁向商業化應用階段。

業績全面爆發，核心指標遠超市場預期

艾司摩爾 (ASML) 第二季業績表現堪稱完美，不僅核心財務指標全線超越市場預期，各業務板塊均呈現強勁成長態勢。

其中，淨銷售額從第一季的 87.7 億歐元季增 6.4% 至 93.3 億歐元（約 109 億美元），服務及現場營運銷售額達 27.6 億歐元，高於預估的 24.9 億歐元，顯示公司在設備維護升級領域的競爭力持續提升。

毛利率從上一季的 53% 進一步提升至 54%，超出市場預期 2 個百分點，體現公司在高階設備領域的定價權和成本控制能力。

艾司摩爾 (ASML) 執行長 Christophe Fouquet 在財報聲明中表示：「我們在第二季的總淨銷售額和毛利率均高於預期，這一成績主要歸功於裝機基礎管理業務的銷售表現優於預期。」

他同時指出，今年上半年公司訂單量依然「極其強勁」，客戶正在加快產能擴張計劃，這為公司提供了「對長期需求更為清晰的能見度」。

艾司摩爾大幅上修財測

基於強勁的業績動能，艾司摩爾 (ASML) 大幅上修 2026 年全年業績展望，將淨銷售額預估區間從先前的 360 億至 400 億歐元調升至 430 億至 450 億歐元，毛利率指引亦從 51% 至 53% 提升至 54% 至 56%。

展望第三季，公司預估淨銷售額將達 110 億至 120 億歐元，中位數遠高於彭博分析師一致預期的 102.7 億歐元，毛利率指引區間為 55% 至 57%。

此次上修幅度之大在業界引發廣泛關注，顯示艾司摩爾 (ASML) 對未來市場需求高度樂觀。

Fouquet 表示：「持續的人工智慧基礎設施投資以及 AI 技術的不斷進步，正在推動先進邏輯晶片與記憶體晶片需求的成長。我們的客戶正在加快擴產計劃，這轉化為客戶對我們全系列產品的訂單承諾，使艾司摩爾 (ASML) 能夠更清晰地預估長期需求。」

在業績強勁成長的同時，艾司摩爾 (ASML) 也持續回饋股東。財報顯示，第二季公司根據 2026-2028 年股票回購計畫，買回了價值約 11 億歐元的股票。同時，公司宣布配發每股普通股 1.88 歐元的期中股利，將於 2026 年 8 月 5 日發放。

產能加速擴張，2027年低NA EUV產能提升30%

面對持續成長的市場需求，艾司摩爾 (ASML) 同步公布了未來數年的擴產計劃。公司表示，計劃在 2026 年約 65 台低數值孔徑 EUV 設備產能的基礎上，於 2027 年增加約 30%，並正在評估 2028 年再增加 30% 的可能性。

同時，艾司摩爾 (ASML) 還計劃將 2026 年約 130 台深紫外光 (DUV) 浸潤式微影系統的產能於 2027 年提升 30%，2028 年的進一步擴產方案亦在評估之中。

這一產能擴張路徑表明，艾司摩爾 (ASML) 對半導體設備需求的持續性持樂觀態度，並正為未來幾年可能進一步提速的技術疊代週期預留供給空間。

此外，艾司摩爾 (ASML) 還計劃於本季在恩荷芬動工建設一個新園區，該設施最終將具備容納 2 萬名員工的規模，進一步提升公司的研發和生產能力。

半導體產業迎來新一輪擴張週期

艾司摩爾業績的強勁表現，背後是全球 AI 晶片需求的爆發式成長。

隨著微軟、Alphabet 等科技公司競相投入數千億美元建置先進 AI 基礎設施，晶片製造商紛紛擴大產能以滿足需求。作為全球唯一能夠生產極紫外光 (EUV) 曝光機的企業，艾司摩爾成為這波浪潮的最大受益者。

本周稍早，艾司摩爾最大的客戶之一台積電公布了 6 月份的營收數據，受晶片需求強勁推動，其營收年增 68%。

據路透社報導，台積電還計劃在台灣南部嘉義科學園區新增兩座先進封裝廠。瑞銀分析師在 7 月 10 日的研究報告中指出，半導體晶圓廠的產能建設，以及 AI 驅動的先進製程晶片需求，預計將推動艾司摩爾下半年表現持續走強。

儘管半導體類股仍面臨投資人對 AI 驅動的巨額資本支出可持續性的質疑，以及日益收緊的出口管制限制，但艾司摩爾憑藉其在高階曝光設備領域的壟斷地位，依然保持強勁的成長勢頭。

Fouquet 表示，公司將在 2027 年 6 月 10 日舉行的下一次資本市場日活動中，根據市場和技術方面的變化，更新長期預測。

英特爾開啟 High-NA EUV 商業量產

除了業績表現外，艾司摩爾此次還公布了一項具有產業意義的重要進展。

公司與英特爾（INTC）聯合宣布，英特爾已在奧勒岡州工廠利用艾司摩爾的 EXE High-NA EUV 設備製造部分 Ultra 3（獵豹湖）筆記型電腦處理器。

High-NA EUV 被認為是下一代先進微影技術的重要方向，其數值孔徑進一步提升，可支援更小尺寸電晶體製造。

High-NA EUV 設備單台價格約 4 億美元，約為標準 EUV 機台的兩倍，且技術導入難度較高，先前市場對其商業化前景存在疑慮。

事實上，英特爾早在 2024 年便接收全球首台 High-NA EUV 設備，並率先完成研發安裝，此次則進一步推進至實際量產應用。

英特爾晶片製造部門執行副總裁兼總經理 Naga Chandrasekaran 在聯合聲明中表示：「這一里程碑展現了英特爾與艾司摩爾之間緊密的技術合作，說明了 High-NA EUV 如何在先進半導體製造中實現規模化整合。」

此次英特爾採用 High-NA EUV 技術，不僅有助於緩解市場對該技術商業化前景的疑慮，也為艾司摩爾推廣該產品線提供了積極的示範效應。

先前，台積電曾公開表示，最新一代艾司摩爾設備成本過高，無法用於大規模量產，將延後轉向該技術的時間點。

而英特爾此次率先將 High-NA EUV 技術應用於量產，顯示其在先進晶片製造領域的決心與技術實力，也為艾司摩爾的 High-NA EUV 設備打開了市場空間。