三星探索內存新技術：垂直堆疊於AI加速器之上 密度超傳統HBM5十倍
來源 金色財經
金色財經報道，8月5日，美東時間8月4日，三星電子在美國加州聖克拉拉舉行的未來存儲與內存大會（FMS）上推出其V10 Bonding V-NAND，即BV-NAND原型產品。該芯片擁有超過400層結構，並採用全新的晶圓鍵合架構，以提高存儲密度並增強性能。三星表示，其BV-NAND技術較上一代V9 NAND將存儲密度提高約58%，同時提升讀取、寫入以及輸入/輸出性能，以滿足人工智能系統對更高容量、更高能效存儲解決方案日益增長的需求。三星還展示了其稱業界首款zHBM和zNAND-O架構概念模型。該技術通過垂直堆疊存儲單元，在更小空間內存儲更多數據。不同於傳統HBM與AI處理器並列封裝的方式，三星的zHBM會將存儲垂直堆疊於AI加速器之上，以縮短數據傳輸距離，提高帶寬，同時提升能源效率。三星表示，其晶圓鍵合技術有望實現超過傳統HBM5內存10倍的存儲密度，同時將能源效率提高3倍，並將熱阻降低一半以上。
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