TradingKey – Laut der jüngsten Studie von TrendForce zur Speicherbranche führten erhebliche Anstiege der Kontraktpreise für konventionelles DRAM im zweiten Quartal 2026 dazu, dass der Gesamtumsatz der DRAM-Branche im Vergleich zum Vorquartal um 59,5 % auf fast 154,73 Milliarden US-Dollar stieg.
Da das Training von LLM-Modellen und KI-Inferenz die Nachfrage nach KI-Servern ankurbeln, stiegen die Auslieferungen von HBM3e, LPDDR5X und hochkapazitiven RDIMMs gleichzeitig, während Agentic-AI-Anwendungen zu einer vorgezogenen Nachfrage nach RDIMMs über alle Kapazitätsspezifikationen hinweg führten. Auf der Angebotsseite stiegen die gesamten DRAM-Bit-Auslieferungen im zweiten Quartal nur moderat, da die Lagerbestände der Erstausrüster auf einem Tiefststand lagen und neues Angebot für Serveranwendungen priorisiert wurde.
Mit Blick auf die wesentlichen Einflussfaktoren für den Umsatz im dritten Quartal werden die quartalsweisen Bit-Auslieferungen weiter leicht zulegen. Preislich wird sich der Preisanstieg von konventionellem DRAM gegenüber dem Vorquartal voraussichtlich auf 13 bis 18 % abschwächen, da sich die Nachfrage nach einigen hochkapazitiven RDIMMs hin zu Produkten mittlerer und niedriger Kapazität verlagert und die Preiserhöhungstoleranz von PC- und Smartphone-Kunden begrenzt ist. Consumer DRAM dürfte dabei die höchsten Zuwächse verzeichnen, da die Anbieter das Angebot deutlich drosseln.

[Quelle: TrendForce]
TrendForce gab an, dass Samsung das Wachstum der Bit-Auslieferungen gegenüber dem Vorquartal unter den drei führenden Anbietern im zweiten Quartal anführte, da das Unternehmen als erstes mit der Serienproduktion und Auslieferung von HBM4 begann. Dank eines erheblichen Anstiegs des durchschnittlichen Verkaufspreises (ASP) erreichte der Quartalsumsatz 60,98 Milliarden US-Dollar – ein Plus von 63,4 % gegenüber dem Vorquartal – womit das Unternehmen mit einem Marktanteil von 39,4 % den ersten Platz belegte.
Den zweiten Platz beim Umsatz belegte SK hynix (SKHY), da HBM bei diesem Unternehmen den höchsten Anteil an den gesamten Bit-Auslieferungen unter den drei führenden Anbietern ausmachte, was die ASP-Zuwächse begrenzte. Der Umsatz im zweiten Quartal stieg im Vergleich zum Vorquartal um 37,9 % auf 38,59 Milliarden US-Dollar, während der Marktanteil leicht auf 24,9 % sank.
Micron (MU) richtete seinen Produktmix aufgrund von Kapazitätsengpässen weiterhin verstärkt auf Server-DRAM mit hohem Stückpreis aus. Der Umsatz im zweiten Quartal stieg im Vergleich zum Vorquartal kräftig um 65,5 % auf 36 Milliarden US-Dollar, während sich der Marktanteil leicht auf 23,3 % ausweitete. TrendForce merkte an, dass die drei führenden Anbieter das Bit-Angebot von 2026 bis 2027 hauptsächlich durch die beschleunigte Umstellung auf fortschrittliche Fertigungsknoten steigern werden, während die Erweiterung der Waferstart-Kapazitäten durch Prozessoptimierung, den Erwerb von Reinräumen und die Neuzuweisung von Reinraumflächen aus anderen Produktlinien moderat nach oben angepasst wird.
Im Gegensatz dazu konzentrieren sich Anbieter wie Nanya, Winbond und PSMC in erster Linie auf Produkte mit reifen Fertigungsknoten. Ihre Dynamik im zweiten Quartal wurde durch die ungedeckte Nachfrage gestützt, die nach der Strukturgrößenumstellung der drei führenden Anbieter zurückblieb. Angetrieben von erheblichen Steigerungen der Vertragspreise für DDR4 und DDR3 sprang der Gesamtumsatz von Nanya im Vergleich zum Vorquartal um 68,3 % auf 2,612 Milliarden US-Dollar. Der Umsatz von Winbond stieg gegenüber dem Vorquartal um 75,8 % auf 998 Millionen US-Dollar.
Die Umsatzberechnung von PSMC umfasst in erster Linie die selbst hergestellten Consumer-DRAM-Produkte, die im zweiten Quartal 115 Millionen US-Dollar erreichten, was einem kräftigen Anstieg von 167,8 % gegenüber dem Vorquartal entspricht. Einschließlich der Auftragsfertigungseinnahmen lag das Wachstum gegenüber dem Vorquartal bei 54 %. Sobald sich PSMC die Lizenzierung der Prozesstechnologie von Micron gesichert hat, wird erwartet, dass das Unternehmen seine nächste Welle der Angebotserweiterung dynamisch einleitet.