黄仁勋霸气喊话：DRAM厂尽管扩，我英伟达全包了！

TradingKey - 英伟达（NVDA）首席执行官黄仁勋近期在摩根士丹利科技大会上，向全球存储芯片厂商释放了极具冲击力的信号：尽管放心扩产，英伟达照单全收。

当与会者普遍将内存、晶圆、封装、电力等资源限制视为AI行业发展瓶颈时，黄仁勋却语出惊人，直言芯片供给短缺对英伟达而言是"极好的消息"。

黄仁勋在会上阐述了他对资源限制的独特逻辑，在数据中心土地、电力、空间等各类资源均受限的环境下，客户采购决策会更审慎，不会随意试错，而是倾向于一步到位选择性能最强的方案。

而凭借充沛的资金与规模优势，英伟达能在全产业链锁定大量供应，自然成为这一趋势的最大受益者。他甚至霸气喊话DRAM厂商：“尽管去建内存厂，你们扩增多少产能，英伟达就会用掉多少。”

为了让外界理解这种“反常识”逻辑，黄仁勋强调自己“热爱限制”。

他解释，资源紧张时客户必须精准选择能提供最高“每瓦Token产出率”的硬件，而英伟达是目前全球唯一能为客户从零搭建整座“AI工厂”的企业，这种端到端服务能力让竞争对手难以企及。

目前英伟达已锁定大规模部署“AI工厂”所需的内存、晶圆、CoWoS封装等关键组件，即便DRAM价格上涨，也不会缩减备货力度，这为三星、SK海力士、美光等厂商提供了明确的需求预期。

黄仁勋这番表态的背后，是英伟达新一代AI平台对存储资源的庞大需求。现有GB300芯片支持的高带宽存储器（HBM）容量已达288GB，较上一代GB200的192GB大幅提升。

即将推出的Vera Rubin平台虽维持288GB容量，但将从HBM3E升级至HBM4规格。

HBM4采用16层堆叠设计，较HBM3E的12层堆叠工艺更复杂，产能耗损率更高，单位产出消耗的存储资源将更为庞大。

与此同时，英伟达下一代AI加速器Vera Rubin的高带宽内存（HBM4）供应格局已逐步清晰，三星电子与SK海力士双双入围核心供应商名单。

据报道，两家韩国存储巨头已纳入Vera Rubin的零部件供应体系；由于HBM4从晶圆到封装的生产周期超6个月，两家公司最快本月启动量产，

从供应份额分配来看，2026年SK海力士将拿下英伟达超过一半的HBM总采购量（涵盖HBM3E及HBM4产品），而三星则有望独揽Vera Rubin专属HBM4的大部分订单。

行业预测数据显示，SK海力士仍将以50%的全球HBM比特产能份额位居行业第一，但较2025年的59%有所回落；三星的全球份额则从20%提升至28%，追赶势头显著。