内存芯片格局洗牌！英伟达捧SK海力士首登第一，三星仍不甘示弱

TradingKey - 就在2025年二季度，全球内存芯片市场的头把交椅易主。凭借主要AI客户英伟达对高带宽存储（HBM）的高需求，韩企SK海力士历史上首次在季度内存营收上超越长期领导者三星电子，但这一竞争格局仍有变数。

上周公布的财报显示，SK海力士二季度营收年增35%至22.23万亿韩元（161.7亿美元），超预期且创历史新高；核心业务DRAM（动态随机存储器）市场份额首次超过三星。

7月31日周四三星电子公布二季度业绩，包括DRAM和NAND（非易失性内存，即闪存）业务在内的内存营收降低至21.2万亿韩元（152亿美元），不及SK海力士的21.8万亿韩元。

这就意味着，在整体内存收入上，SK海力士现已成为全球第一大内存芯片制造商，为公司历史上首次。

据Counterpoint Research数据，今年二季度SK海力士当前占据全球高宽带内存（HBM）出货量的62%市场份额，美光科技以21%位居第二，而三星占比从去年同期的41%腰斩至17%。

HBM、DRAM和NAND是三种不同的内存技术。 DRAM适用于临时内存运行中的程序和数据，而HBM是通过先进封装和3D堆叠技术实现的高性能DRAM，能够处理AI任务中的高速运算，整体利润率较高。 NAND则适用于长期内存，容量更大、读写速度更慢。

Counterpoint Research研究总监MS Hwang表示，市场刚刚见证SK海力士历史上首次成为整体内存第一的巨大转变。但另一方面，三星的HBM销量似乎已经触底——今年第一季触底，第二季有复苏迹象。

Hwang指出，这两家韩国芯片制造商的增长轨迹在2024年上半年开始出现分化，主要推动力是英伟达AI产品及其附带的HBM需求的激增。

有分析师表示，虽然三星和美光科技正在奋力追赶，但凭借英伟达核心供应商的地位，业界普遍认为SK海力士的领先地位将持续至2025年，甚至是2026年。

Counterpoint Research表示，为了重新夺会失去的市场份额，三星必须使其HBM3E客户群多样化，并通过英伟达严格的质量测试。

目前，因散热和能效等问题，英伟达迟迟未披露对三星HBM3e的测试结果。在等待英伟达通过质量认证之际，三星也采取了一系列积极举措。

据悉，在二季度利润暴跌94%后，三星计划大幅降低HBM3e的生产成本和降低售价，以吸引英伟达的采用，试图打破英伟达在AI GPU对SK海力士的依赖局面。

此外，三星日前确认与特斯拉就在美生产下一代A16芯片达成165亿美元的合作伙伴关系，此举将有助于提振三星的整体增长前景。