【光芯解碼-企業突圍篇】賽道核心玩家大盤點

在前兩篇中，我們厘清了光芯片的算力價值、技術叠代邏輯，以及從晶圓材料、外延工藝到IDM制造的全鏈條產業壁壘。

整體來看，光芯片行業呈現出清晰的梯隊化格局：中低端產品工藝成熟、市場充分競爭，而適配AI超高算力的高端高速光芯片，憑借體系化的技術壁壘形成高門檻、高集中度的供給格局。

持續爆發的AI算力需求，不斷擡升高端光芯片的戰略價值，也改寫了行業的競爭邏輯。以往單純依靠模塊組裝的發展模式已觸達增長天花板，產業鏈向上游芯片自研延伸，成為行業頭部廠商的必然選擇。

在AI算力持續擴容、高端光芯缺口長期存在的背景下，行業企業的成長重心與佈局方向隨之發生遷移。本篇將系統梳理光芯片領域的核心產業玩家梯隊，聚焦港股核心上市及擬上市企業，併深入剖析頭部光模塊廠商向上自研光芯片的戰略動因，以及在這場「向芯突圍」的硬仗中，國產產業正面臨的現實困境與破局之道。

全球光芯格局：高端寡頭壟斷，中端梯隊追趕

從全球光芯片產業的競爭格局來看，目前海外企業把控高端核心，而國內企業則穩步分層追趕。

在AI算力剛需的100G、200G高速EML有源光芯片賽道，全球市場高度集中，海外頭部寡頭佔據絕對主導地位，牢牢掌控全球高端算力光芯的供給命脈。

其中美國Lumentum（LITE.US）是全球高速EML光芯片的頭部供應商，更是英偉達（NVDA.US）AI服務器的核心芯片供貨商，深度綁定全球頂級算力供應鏈；日本住友電工同時把控高端磷化铟（InP）襯底原材料與高端光芯片制造兩大核心環節，掌握上游最稀缺的產能資源。此外，美國Coherent（COHR.US）、三菱電機、博通（AVGO.US）等國際巨頭，瓜分剩餘的高端市場份額，形成相對穩固的海外寡頭壁壘。

伴隨AI算力爆發式增長，全球高端光芯片產能持續緊缺，英偉達等頭部算力巨頭已通過預付款和長期採購協議，提前鎖定海外主流高端光芯片數年的核心產能，這意味著當前光芯股的狂飙多少已反映了未來幾年的潛在強勁增長。

據調研機構LightCounting，行業供應鏈已處於滿負荷運轉狀態。在最近的巴黎RAISE峰會上，Lumentum首席執行官就預警：AI基礎設施的下一個瓶頸將是磷化铟（InP），這比當前內存行業面臨的供求缺口更為嚴峻。他提到，僅憑當前行內兩大巨頭Lumentum和Coherent根本無力滿足英偉達和其他客戶的需求，供需失衡可能超過30%——這比他年初時的預期要大。

磷化铟（InP）是一種能發光的化合物半導體，我們在產業壁壘篇中就提到，磷化铟（InP）是支撐AI高速算力光模塊的核心材料，也是100G、200G高速EML激光器的主流基材，AI數據中心的光模塊內的每一顆激光器、每一顆為光放大器供電的泵浦激光器，以及每一顆GPU旁的共封裝光（CPO）引擎都離不開它。

這一局面也直接導致國內光模塊廠商長期處於被動局面，時常面臨高端芯片缺貨、價格上漲、交付延期等問題，供應鏈穩定性難以保障，成為制約國內高端算力硬件產業發展的核心瓶頸。

事實上，英偉達分別向Lumentum和Coherent投入20億美元，以助力兩家供應商的研發和產能。

今年3月時，Lumentum宣佈在美國北卡羅來納州購自半導體芯片制造商Qorvo的工廠，生產磷化铟（InP）基光器件，服務英偉達的訂單，以大幅擴張其6英寸磷化铟晶圓的產能，不過預計要到2028年中才能啟動量產爬坡。

Coherent也有望在2026年底前將內部磷化铟產能翻倍，併在2027年再翻一番以上。

襯底環節的代表企業AXT（AXTI.US）近日也完成了6.325億美元的融資，用於擴充旗下的磷化铟產能。

儘管這些頭部供應商都在擴產，但卻不能立刻解決供應瓶頸問題，而且它們優先保障的都是北美大客戶的合約，未必能立即滿足國內光模塊廠商的需求，加上貿易限制的潛在風險，估計這也是前期大幅攀升的光模塊廠商近日回調的其中一個重要原因。

國內玩家全景梯隊：港股成核心突圍陣地

相較於海外成熟寡頭的全鏈條優勢，國內光芯片產業呈現出明顯的梯隊化發展特徵，企業佈局各有側重、技術能力差異顯著。其中港股市場匯聚了一批特色差異化企業，同時眾多A股龍頭加速衝刺A+H上市，借力海外資本與全球渠道，衝刺高端光芯賽道，成為國產替代的核心主力。

1）港股已上市核心標的：差異化佈局，各守細分賽道

曦智科技（01879.HK）作為港股首家光子計算上市企業，走出了一條區別於傳統光芯片廠商的差異化路線。企業不深耕傳統激光發射光芯片，核心聚焦光電混合算力，構建光互連與光計算雙輪驅動業務體系。其光互連產品主要部署於AI數據中心，用於構建高性能GPU超節點。

有意思的是，曦智科技今年4月28日在港交所上市，發售價為183.20港元，上市當日高開380.35%，隨後幾日一度飙升至1,050.00港元的高位，但現在已回落至273.00港元，雖未跌破發售價，但不到四個月回撤74%還是頗耐人尋味。

我們認為，股價下跌的原因固然有業績未見好轉、估值過高回調有關，但更主要的原因可能是：該公司在國內獨立Scale-up光互連市場——通常為矽光集成芯片與外置連續激光源（CW）結合，佔據88.3%的市場份額，具備先發卡位優勢，但Scale-up為短距光互連，不屬於當前AI算力最緊缺的EML高速發射光芯片賽道。而曦智科技儘管在Scale-up光互連市場佔據主導，但該細分賽道整體營收規模仍較小，距大規模放量或仍有距離，而國內外也有眾多巨頭在同台競爭，商業化節奏存在較大的不確定性。

另一方面，曦智科技的核心叙事光子計算芯片——用光直接完成AI大模型計算，理論功耗遠低於GPU，在當前全球光計算市場規模整體偏小，雖然該公司已推出PACE系列產品併與階躍星辰、DeepSeek等大模型廠商合作，但仍屬於早期商業化階段，短期貢獻或微不足道。且華為、英偉達等大廠均在自研光計算或光互連架構，一旦主流大廠選定其他方案，曦智科技的技術路線可能會被替代。

此外，近來港股AI、光芯片板塊整體行情退潮，大環境拖累全線下調估值也拖累了其表現。

區別於行業主流外購芯片、聚焦後端封裝的模式，海光芯正（01191.HK）踐行全棧矽光一體化發展路徑：公司從底層矽光PDK工藝套件自主研發起步，完整打通矽光芯片架構設計、晶圓測試、晶圓封裝耦合、高速光模塊量產全鏈條；自研矽光芯片單片集成無源光波導、矽光調制器、光電探測器等核心光學元器件；依託自研「Wafer-In, Module-Out」一體化生產平台，矽光晶圓進廠後的切割、制程、封裝、整機光學電學測試全部內部完成，形成閉環制造能力。

但是，當下AI算力主力需求仍是跨機架800G/1.6T可插拔光模塊，最優方案是磷化铟EML+DSP傳統架構，海光芯正深耕的Scale-up機櫃內部短距矽光互聯屬於前沿技術，短期訂單體量有限，且其自研全鏈條拉高了短期成本，客戶集中度高而無法進入北美頂級雲廠商供應鏈，加之其6月上市時正值光互連狂飙的時期，當下行情轉弱導致其現價已跌破上市時的發行價。

長飛光纖光纜（06869.HK）作為A+H上市的全球光纖光纜龍頭，光纖預制棒及高端幹線光纖傳輸技術長期保持全球領先地位，該公司也依託子公司推出AOC有源光纜、高速數通互聯產品，順利切入海內外高端AI數據中心供應鏈。其作為A股上市公司長芯博創（300548.SZ）第一大股東，後者少量佈局無源光芯片、低速光芯片。

劍橋科技（06166.HK）在高速算力光模塊領域競爭力突出，公司戰略深度綁定參股企業南京鐳芯光電，其CW-DFB連續光芯片已實現規模化量產，可滿足矽光架構外置光源需求，但面向超高速算力場景的EML調制激光器芯片尚處於研發送樣階段，尚未落地批量生產，整體高端光芯片自給率仍具備較大提升空間。

A+H同步上市的中興通訊（00763.HK）光芯片整體佈局以內部設備配套為主：自研光芯片覆蓋光纖接入、骨幹光傳輸兩大場景，在長距光傳輸領域已實現100G/400G/800G相幹光模塊及相幹DSP芯片全棧自研量產；其中接入側PON芯片兼顧自用與對外銷售，高端相幹DSP、相幹光芯片主要供給自家基站、光傳輸設備、電信交換機生產，僅少量對外供貨。值得留意的是，該公司旗下中興光電子專注智算中心高速互聯場景光器件與光芯片研發，高端光互連佈局取得實質性進展。

2）港股遞表擬上市優質標的：高端突破，衝刺全球供應鏈

源傑科技（688498.SH）是國內純正高速有源EML芯片絕對龍頭，也是國產高端光芯突圍的核心標桿。公司100G EML已完成客戶驗證併實現批量出貨，批量供貨國內各大主流光模塊廠商；200G EML芯片已進入英偉達等海外頂級客戶驗證階段，或在2026年底量產。同時，其CPO架構必備的CW連續光源國產出貨量位居行業首位，深度卡位下一代光電集成賽道。該公司已遞表港交所，擬募資用於200G高端光芯片產能擴建，助力企業打通海外算力供應鏈，加速高端國產替代進程。

同樣已經向港交所遞表的還有納真科技和A股上市的聯特科技（301205.SZ），均為國內頭部AI光模塊廠商，依託光模塊主業形成穩定現金流，為上游芯片研發提供持續資金支撐。兩家企業均重點佈局高速EML激光器、矽光集成芯片等核心產品，依託模塊業務積累的客戶資源與工藝經驗，向產業鏈上游延伸。

已經遞表港交所的A股上市公司東山精密（002384.SZ）通過收購海外索爾思光電成熟磷化铟IDM資產，快速補齊高端光芯片產能，成為國內少數可量產200G高端EML芯片併通過頭部雲廠商認證的企業，自研芯片優先配套自有光模塊業務，實現產業鏈協同。

華工科技（000988.SZ）也遞表港股，其參股公司雲嶺光電作為光芯片平台，佈局磷化铟有源芯片，25G DFB/EML已實現量產，面向AI算力場景的100G、200G EML持續叠代，併依託華工正源佈局CW光源、矽光芯片研發，但現階段高端高速芯片仍為外購補充。

國產光芯突圍的壁壘與機遇

通過梳理全球格局與國內梯隊不難發現，國產光芯片產業已實現中低端賽道的全面自主可控，在高端賽道完成技術攻堅與樣品突破，但距離規模化替代、全球化供貨仍存在多重結構性壁壘。

目前國產光芯突圍的主要壁壘或包括：

1）核心材料與產能被海外鎖定，供需話語權缺失。磷化铟襯底、外延晶圓是高速EML光芯片的核心基石，目前全球高端磷化铟產能、6英寸及以上晶圓制造能力高度集中於以上我們提到的日美海外巨頭。且海外頭部廠商已通過提前擴產、綁定北美頂級算力客戶、長期鎖單等方式，壟斷未來2-3年的高端核心產能。國內企業不僅面臨原材料採購價格溢價、交付週期不穩定的問題，更難以獲取優質產能配額，即便完成芯片研發，也難以實現規模化量產。

2）底層工藝與工具鏈存在代差，良率短板凸顯。高端100G/200G EML芯片對晶圓外延精度、刻蝕工藝、封裝耦合精度要求極高，海外寡頭經過數十年技術積累，已形成成熟的PDK工藝套件、標準化生產流程與超高量產良率。而國內企業底層工藝積累薄弱，自主PDK體系尚未完全成熟，部分核心生產設備、檢測儀器仍依賴進口，導致高端芯片量產良率偏低、生產成本居高不下。相較於海外成熟廠商的規模化成本優勢，國產芯片短期性價比不足，難以快速切入高端供應鏈。

3）高端客戶認證壁壘極高，全球化突破艱難。AI數據中心、海外雲廠商對高速光芯片的穩定性、可靠性、一致性有著極致要求，高端光芯片的客戶認證週期普遍長達1-2年，且認證門檻逐年提升。目前國內多數企業僅實現國內中小客戶批量供貨，極少通過英偉達、Meta（META.US）、亞馬遜（AMZN.US）等全球頂級算力客戶認證。同時，海外巨頭長期形成的供應鏈生態壁壘，進一步阻礙國產芯片出海，導致國產高端產品只能局限於國內小眾市場，難以打開增量空間。

4）技術路線多元叠代，研發容錯成本高昂。當前行業處於傳統可插拔光模塊、NPO近封裝光學、CPO共封裝光學多路線併行叠代的關鍵階段，矽光集成、薄膜铌酸鋰、磷化铟分立芯片等技術路線各有優劣。頭部海外企業全面佈局多賽道，對衝叠代風險，而國內企業資金、研發資源有限，若單一押注某一技術路線，極易面臨技術叠代淘汰風險；多路線佈局又會分散研發精力，延緩突破節奏，商業化容錯壓力極大。

5）產業協同不足，上下游碎片化發展。國內光芯片產業鏈存在明顯的割裂問題：上游襯底材料、外延工藝企業與中游芯片設計、制造廠商聯動不足，下游光模塊企業、設備廠商與上游芯片研發適配滞後。多數模塊廠商仍習慣海外芯片採購模式，對國產芯片的適配、驗證、導入積極性不足，或導致國產芯片缺乏規模化應用場景，技術叠代、良率優化缺少數據支撐。

但與此同時，國產光芯片或正迎來寶貴的替代窗口，因為：

1）海外供給持續緊缺。正如我們前文提到，當前EML供需缺口顯著，海外頭部廠商雖持續擴產，但磷化铟產線建設、產能爬坡週期漫長，Lumentum、Coherent新增產能集中在2027–2028年釋放，短期供需錯配格局無法逆轉。同時海外產能優先保障北美頂級算力客戶訂單，國內廠商長期處於供貨優先級末端，缺貨、漲價、延期問題常態化，倒逼下游產業鏈加速導入國產替代方案。

2）國產技術實現群體性突破，產品落地提速。國內廠商已在關鍵賽道形成差異化突破，CW連續光源領域工藝成熟、良率可控，成為國產替代核心突破口，源傑科技、東山精密等頭部企業出貨量穩居國內前列。在高端EML核心賽道，國產技術叠代持續提速，多家廠商實現100G EML穩定量產與批量供貨，200G EML芯片陸續完成送樣與頭部客戶驗證，逐步打破海外高端產品獨家壟斷格局。

3）矽光技術路線叠代，帶來結構性彎道機會。有行業報告預測，2026年基於矽光架構的光模塊銷售額將首次佔據全球市場50%以上份額，成為算力光模塊主流方案。矽光架構不再依賴傳統高速EML芯片，轉而採用CW外置光源+矽基調制器的組合方案，將技術難點從激光器外延制造轉移至調制器設計與光耦合封裝。對國內產業而言，這是一條可以部分復用CMOS成熟產能的差異化路徑，或有效規避了國產磷化铟EML的短期短板，為國產光芯規模化放量、快速搶佔中高端市場提供了絕佳的時代機遇。

結語

站在AI算力高速擴張的時代節點，全球光芯片產業正處在供需失衡、技術路線交替、供應鏈格局重塑的交叉路口。海外寡頭依託磷化铟全鏈條產能積澱、成熟工藝體系與長期鎖定的全球頂級算力客戶，牢牢守住高端高速EML芯片的護城河，短期供給緊張的局面難以根本性緩解，也持續放大國內算力產業鏈上游「卡供給」的現實壓力。

放眼國內市場，國產光芯片已經走完中低端產品自主化的起步階段，不同廠商依託自身禀賦選擇發展路徑：有的深耕磷化铟有源芯片攻堅主流算力賽道，有的押注矽光集成佈局短距光互連與下一代光電集成方案，光產業鏈細分賽道運營商及龍頭將業務延伸至自研芯片的浪潮愈演愈烈。但客觀而言，國產高端光芯邁向全球化大規模替代依舊道阻且長，核心材料產能約束、工藝良率差距、漫長的客戶認證週期、產業鏈協同短板與多路線研發壓力，構成橫亘在前的多重考驗。

危機之中亦蘊藏難得的時間窗口。海外新增磷化铟產能釋放節奏滞後於算力需求增速，下游企業供應鏈自主化訴求持續提升；國內100G EML順利量產、200G EML逐步進入驗證週期，CW光源實現規模化出貨；加之矽光方案興起帶來賽道結構性變革，為國內廠商開辟出新的競爭賽道。

長遠來看，這場「向芯突圍」不會是一蹴而就的短期競賽，而是一場貫穿材料、外延、制造、封裝、下游驗證的長期系統性攻堅戰。單一企業的技術突破不足以完成產業躍遷，唯有推動上下游深度協同，持續打磨工藝、穩定良率、打通海內外客戶認證通道，國產光芯片才能抓住本輪AI算力紅利。未來誰能夠持續夯實自研能力、匹配下游算力硬件叠代需求、構建穩定可控的產能體系，誰便有望在全球光芯片新一輪格局洗牌中站穩腳跟，真正實現從賽道追趕者走向核心參與者的身份跨越。