晟碟股價預測：DRAM、NAND的產業壁壘或被中國廠商快速突破，股價將跌破1100美元？

Tradingkey - 美東時間 7 月 27 日，晟碟（SNDK）盤中一度跌逾 14%，低見 1226.9 美元，創 5 月初以來新低。據悉，中國記憶體晶片公司長鑫科技今日上市，完成 86 億美元規模的首次公開募股，上市首日大漲 466%，體現市場對中國記憶體晶片市場份額增長的信心。

Counterpoint Research 分析師表示，標準化程度更高的通用 DRAM、NAND 市場，或受到中國記憶體廠商的衝擊，產業競爭格局與投資邏輯正在發生結構性變化。而高頻寬記憶體 (HBM) 憑藉極高的技術門檻，未來數年仍將由美光（MU）、三星、SK 海力士（SKHY）三家壟斷。

作為 AI 算力的核心配套晶片，HBM 的技術壁壘遠超通用記憶體產品。Counterpoint 表示，中國廠商最快要到 2027 年上半年才能實現 HBM3 量產。而到 2027 年，海外三巨頭已進入 HBM4 量產階段，且技術路線已向更下一代迭代，雙方始終維持約一代技術的世代差距。

然而，通用 DRAM、NAND 的產業壁壘或被中國廠商快速突破。這類產品標準化程度高，客戶決策高度敏感價格，核心壁壘在於資本投入而非獨家技術。威騰電子（WDC）、晟碟等傳統廠商在該領域的競爭優勢相對薄弱，將首當其衝面對中國廠商的衝擊。

據悉，過去一年記憶體價格整體漲幅近四倍，且多數漲幅集中在近半年，但漲價的核心瓶頸並非市場普遍認知的資料中心 HBM，而是智慧型手機、PC、消費性電子等終端品類，其中 DRAM 的供需缺口尤為突出。恰好是這一漲價幅度最高、利潤空間最豐厚的消費級通用記憶體市場，正是中國廠商產能釋放的核心目標市場，充足的盈利空間為後發廠商提供了極佳的切入窗口。

晟碟兩小時股價圖，來源：TradingView

從晟碟股價圖來看，今日盤中一度跌逾 14%，創出階段新低，已跌破 1325 美元的第一支撐位置，已確認從高位反轉進入下跌趨勢。

目前需要重點關注費氏 1.272 擴展位（1224 美元）和 1200 美元整數關卡，一旦跌破或將進一步引發技術性拋壓與停損單共振，下行空間打開至費氏 1.618 擴展位（1095 美元）。

暴跌通常伴隨的反彈，反彈的第一目標位是收復階段低點（1325 美元），然而這一目標價格已被有效跌破，轉化為壓力位。此外，下跌趨勢行情通常不會在一天結束，即便市場有反彈需求出現，反彈高度極為有限。

所以，即便是出現反彈，更大可能是下跌中繼。建議等待明確底部訊號（如成交量極度萎縮 + 長下影線 + 關鍵整數關卡止跌）。