美光股價預測：三重利多推動股價重返1000美元關口，有望進一步突破1080美元

TradingKey - 美東時間 7 月 23 日，美光 (MU) 股價重返 1000 美元關卡，截至發稿，漲 4%，報 1000 美元。

美光的股價上漲主要受三重影響。

首先是 Google 與特斯拉的天量資本支出，為記憶體晶片帶來了確定性的需求增量。兩家公司對 AI 算力基礎設施的超前投入，將沿著產業鏈逐級傳導至記憶體晶片環節，而美光作為全球三大記憶體巨頭之一，是這一傳導鏈條中最直接的受益者。

其次，輝達下一代 Vera Rubin 平台的推進，進一步拉高了記憶體天花板。7 月 21 日，輝達更新了 Vera Rubin 平台的最新進展：Vera Rubin NVL72 已正式進入量產爬坡階段，相關機櫃已在 CoreWeave、Google Cloud、Microsoft Azure、Oracle Cloud Infrastructure 等合作夥伴處投入運行。

市場分析指出，Vera Rubin 對顯示記憶體容量、頻寬和封裝複雜度提出了更高要求，而這一需求主要由美光、SK 海力士等記憶體廠商承接，為美光的 HBM 及高階 DRAM 業務打開了新的成長空間。

最後，TrendForce 集邦科技報告稱，2026 年 AI 需求爆發，加上 NAND Flash 產能增加有限，市場呈現供給緊缺。展望 2027 年，來自 Server 的需求持續強勁，在供應商提升製程、整體供給位元增速未見放緩，以及消費性電子市況仍處於低迷的情況下，預估 NAND Flash 供應緊張的情形有望於 2027 年下半年獲得改善。

該機構續指，即便目前 Server 對 NAND Flash 的位元需求占比已逾 40%，智慧型手機、筆記型電腦的合計占比仍有近 40%，對整體需求仍有關鍵影響力。從庫存結構來看，目前原廠水位仍偏低，雖然模組廠因消費市場持續低迷，導致庫存上升，但其他買家的庫存仍在可控範圍內。綜合上述分析，預估 2026 年 NAND Flash 供應和需求位元的差距將落在 -4% 至 -5% 之間，呈現缺貨格局。至 2027 年下半年，預期兩者的位元差距將轉為正值，供給吃緊的壓力有望緩解。

美光 2 小時股價圖，來源：TradingView

從美光股價圖來看，當前股價正式突破 1000 美元心理關卡，止跌反彈訊號強烈。從均線形態看，當前股價已站上 5 日、10 日、20 日均線，短期均線已走平，多頭訊號初現。

盤中股價最高觸及 1011.77 美元，並站上費波那契 0.382 點位 (976.50 美元)，形成有效突破並轉化為短期支撐。與此同時，本波回檔最低價格 980 美元，未跌破該點位，形成二次確認支撐。

下一目標價為 1030 美元，距離當前股價有 3% 的漲幅，若帶量突破並站穩，則反彈空間有望打開至 1083 美元；否則回測將在 976 美元尋求支撐。