藉HBM轉型操縱DRAM價格？記憶體三巨頭三星、海力士、美光在美遭反壟斷集體訴訟

TradingKey - 全球DRAM價格飆升正從產業危機演變為法律風暴。

三星、SK海力士與美光（MU）這三家掌控全球近90%DRAM市佔率的晶片巨頭，正在美國加州聯邦法院遭遇集體訴訟，被指藉人工智慧高頻寬記憶體（HBM）戰略轉型之名，協同壓縮傳統DRAM產能，致使相關價格在過去四年內暴漲約700%。

這場被稱為"RAMpocalypse"（記憶體末日）的價格狂飆，不僅讓蘋果（AAPL）等終端廠商被迫提價，更將記憶體產業的寡頭競爭格局推上了反壟斷審判台。

記憶體三巨頭遭反壟斷訴訟

本次訴訟的核心論據直指三大記憶體巨頭的產能分配策略，原告方代表近年來購買含傳統 DRAM 產品的消費者及企業指控，三星、SK 海力士與美光利用全球 DRAM 市場的寡頭地位，以向 HBM 轉型為藉口，協同削減 DDR3、DDR4 等商用記憶體的產能，人為製造供給短缺。

訴狀援引數據顯示，2022 年以來，三家公司將約 25% 的 DRAM 晶圓產能轉向 HBM 晶片生產，而 HBM 晶片的物理面積是標準 DDR 晶片兩倍，這意味著每生產一顆 HBM 晶片就要消耗兩倍的晶圓面積。

儘管全球 DRAM 晶圓總產能 2026 年預計增長 14%，但分配給傳統 DRAM 的產能僅增長 10%，供需剪刀差直接導致消費級記憶體供應缺口持續擴大。

訴訟認為，三巨頭本可以同步擴產傳統 DRAM 來填補缺口，卻選擇將產能集中轉向利潤更高的 HBM 領域——HBM 晶片的毛利率是傳統 DRAM 的 3-5 倍。

這種選擇性產能分配被指控為「協同減產」的新形式，最終導致 DRAM 價格在過去四年中累計上漲約 700%。

蘋果近期對 iPad 和 Mac 產品線的全面提價被援引為價格傳導的典型案例，原告方認為這正是上游供給人為收縮帶來的直接損害。

壟斷前科：HBM轉型只是「新包裝」

2005年，三星就因1999-2002年間操縱DRAM價格，向美國司法部認罪並繳納3億美元罰款，這是當時美國反壟斷史上第二大刑事罰金。

同年，SK海力士也認罪，被罰1.85億美元，加上爾必達的罰款，整起案件總罰金達到7.31億美元，多名涉案高階主管被判處監禁。

訴狀明確援引這一歷史紀錄，試圖向法庭證明三家公司存在系統性、重複性串謀的行為模式。原告方認為，當年的價格操縱是通過協調產量和報價實現，如今只是換成了"HBM轉型"的新包裝，本質仍是利用寡頭地位人為控制市場供給。

這一前科紀錄為當前指控提供了有力的參照依據，也令被告方的辯護面臨更高的輿論與法律成本。

訴訟難改供需格局，記憶體「超級通膨」或成常態

無論訴訟走向如何，市場普遍認為記憶體價格高檔在短期內均難以逆轉。Jefferies 最新預測顯示，2026年第三季記憶體價格將較上一季再漲40%至50%，第四季繼續季增30%至40%，2027年全年價格年增仍將達40%至45%，價格的實質性放緩最早要等到2028年。這意味著下游企業與終端消費者面臨的成本壓力將延續相當長時間。

從產業趨勢看，HBM對傳統DRAM產能的吞噬仍將持續，2026年HBM預計占全球DRAM晶圓產能的約25%，而AI伺服器對HBM的需求正以每年約70%的速度增長。三星、SK海力士與美光在HBM領域同樣佔據壟斷地位，三家合計占有全球HBM市場95%以上的份額，這讓它們有能力繼續主導產能分配節奏。

法律專家指出，此類反壟斷訴訟通常耗時數年，即便最終認定價格操縱行為成立，也難以在短期內改變記憶體市場的供需格局。對消費者而言，可能需要做好長期接受記憶體高價的準備，而這場訴訟能否打破記憶體產業的寡頭壟斷，仍有待時間給出答案。