三星、SK海力士、美光迎接記憶體價格戰？國產DRAM、NAND出海 會衝擊全球HBM市場嗎？

TradingKey - 財經部落格網站 ZeroHedge 的文章指出，中國半導體企業已開始大量投放國產 DRAM 和 NAND 晶片，這可能會降低記憶體和儲存裝置的價格。晶片市場將迎來毀滅性的一刻？中國晶片價格戰的打擊是否會成為三星、SK 海力士、美光（MU）這三家晶片大廠的「黑天鵝」時刻？

中國記憶體廠商擴張產能 國產記憶體流入國際市場

根據科技媒體 Tom's Hardware 的報導，有消費者發現知名記憶體品牌 Corsair 的產品 Vengeance DDR5 16GB 記憶體使用的 DRAM 來自中國企業長鑫存儲（CXMT），而不是記憶體三大廠商：美光、三星或 SK 海力士，中國生產的 DRAM 終於出現在主流產品中。

這意味著記憶體領域的供應情況發生了巨大變化。以前，CXMT 的產品主要銷往本地企業，但此次 CXMT 的合作對象 Corsair 是消費級記憶體領域的領軍企業之一，二者合作推出記憶體產品，意味著國際市場或將開始流入中國生產的 DRAM，可能帶來市場格局的重大變化。

Tom's Hardware 分析中指出，像 CXMT 這樣的晶片公司與記憶體三巨頭不同，沒有數據中心合約的束縛，產能充足，雖然沒有最尖端技術與工具，但能滿足市面上普通消費者的需求。

此前，Corsair 通常從美光採購記憶體，但在當下記憶體價格高企，且記憶體三巨頭的產能早已售罄，難以預定。Corsair 等公司為了獲得穩定的供應，有可能從定價更低的中國晶片公司採購，這樣還能降低成本。

向中國晶片商採購記憶體晶片，這在國際市場上已經不再是孤例：惠普（HPQ）曾在 1 月份向 CXMT 下了大筆 LPDDR5 訂單，高通（QCOM）在 4 月份開始與該公司合作客製化 DRAM，戴爾（DELL）、華碩和宏碁也都已與 CXMT 接洽。

今年以來，不少中國記憶體商提升記憶體產能，目前不僅可以滿足國內需求，還能為海外 PC 製造商提供更多價格更低、規格相近的替代產品。例如，長江存儲正在進行史詩級的記憶體擴產，該公司今年 Q1 財報顯示，其 NAND 晶片產量已超過全球市場 10% 市佔率。

中國記憶體廠商發起價格戰：能否擠佔國際市場份額？

由於傳統的晶片三巨頭產能跟不上供給，中國晶片商獲得前所未有的市場機遇，但這是否會真正影響三星、SK 海力士和美光的市場份額？

從技術方面來看，CXMT 的招股書顯示，該公司 1a（16nm 級）製程節點的 DDR5 和 LPDDR5X 良率已達到 80% 以上。1a 製程已經是相對先進的製程，但記憶體三巨頭最前沿的技術已經推進到了第六代 10nm 級製程，業內主要稱為 1c，美光稱之為 1γ。1a 節點和這些先進製程中間還隔著 1b 節點。

目前，AI 數據中心需要的 HBM（高頻寬記憶體），第三代即 HBM3 可以使用 1a 製程的晶片，例如 SK 海力士在 HBM3E 時代才部分從 1a 切換至更先進的 1b 製程，三星曾大規模向輝達、AMD 等重要客戶供應的 HBM3 和 HBM3E 晶片，都採用了 1a 製程。

目前，HBM3E 在 HBM 總出貨量中佔比依然最大，但更先進的 HBM4 產能正在爬坡，將作為輝達（NVDA）下一代 Vera Rubin 平台及AMD MI450 平台的標配記憶體晶片而成為未來的主流。來自中國的記憶體晶片目前未達到生產 HBM4 的標準，不管中國晶片商如何降低成本，世界級記憶體巨頭的技術壁壘依然難以打破。

不過，在消費級記憶體領域，由於記憶體大廠將產能集中用在最高級的 HBM 生產線上，中國晶片商的市場份額將快速擴大。例如 CXMT 因為 1a 製程的高良率，正好可以承接這部分消費級的主流通用記憶體市場。

然而有分析指出，只有當這些中國廠商生產的 DDR5 記憶體價格大幅降低時，才可能對市場產生真正的影響。其生產的記憶體產品被國際消費品牌貼牌使用時，品牌商的採購成本相比以前向三星、SK 海力士等大廠採購時大幅降低，但在終端銷售時，零售價大概率會持平於以往。因此，這些中國廠商降低成本產生的利潤，主要被品牌商攫取。只有當其價格大幅降低，以至於國內的貼牌記憶體產品以一半於國際品牌的價格販售仍能獲利時，中國廠商才能透過影響價格敏感型的消費者來影響記憶體市場的定價。

但在中國廠商難以打入最尖端記憶體市場的情況下，國際記憶體巨頭的技術護城河將難以打破，再疊加上光刻機巨頭艾司摩爾受政策影響無法向中國出口 EUV（極紫外光）光刻機，中國廠商未來一段時間內無法動搖世界級記憶體巨頭的地位。