南亞科法說會釋利多：Q4獲利創高、資本支出增至500億！今日股價強攻漲停後市將如何?

記憶體大廠南亞科（2408）於今（19）日舉行線上法說會，公布2025年第四季財報並釋出2026年營運展望。受惠於AI浪潮帶動伺服器需求，以及DDR4、DDR5報價強勢上揚，南亞科去年第四季獲利創高，不僅單季EPS高達3.58元，更帶領全年順利轉虧為盈。

針對2026年，總經理李培瑛展現極強信心，宣布資本支出將從去年的134億元爆發性成長至500億元，全力衝刺10奈米級新廠建設。

該公司於2025年第四季展現強勁的營運復甦動能，各項財務指標顯示DRAM產業已正式告別庫存去化週期，進入獲利擴張期。該季合併營收達新台幣300.94億元，季增（QoQ）達60.3%；歸屬母公司稅後淨利為110.83億元，單季每股盈餘高達3.58元，不僅較前一季成長逾六倍，更創下近20個季度以來的單季新高。

在獲利結構方面，毛利率表現突出，由上季的18.5%大幅跳升至49.0%。此顯著增長主要受惠於兩大核心驅動力：第一，受限於供給側產能轉移至HBM，帶動傳統DRAM平均銷售價格季漲幅逾30%；第二，DDR5滲透率提升與高階產品組合優化，進一步強化了邊際貢獻。

綜觀2025年全年度營運表現，南亞科累計合併營收為665.87億元，全年EPS結算為2.13元，正式終結連續兩年的年度虧損困局。

總經理李培瑛指出，2026年DRAM市場仍將延續結構性供需失衡的格局。其主要歸因於供給側產能轉置與需求側位元消耗量擴張的雙重作用。

• 需求端：AI效應由雲端向邊緣端擴散。AI伺服器對高階產能的持續吸納已使DDR5及新型記憶體規格處於常態化缺貨。此外，終端市場正迎來硬體規格升級潮，AI PC與生成式AI手機的單機搭載容量顯著提升，疊加消費性電子應用的穩健復甦，支撐了整體位元需求的強勁增長。

• 供給端：HBM產能排擠與先進製程轉置。供給面的關鍵變數在於全球三大原廠（三星、SK海力士、美光）策略性將大量產能轉向高頻寬記憶體（HBM）生產。由於 HBM的投片量相較標準型DRAM具備更高消耗比（約2至3倍），此種產能排擠效應導致傳統型DRAM的供給量出現斷崖式受限，難以支撐既有的市場需求。

• 價格趨勢：在報價走勢上，南亞科預期2026年第一季DRAM合約價將維持上行趨勢。儘管隨基期拉高，單季漲幅可能難以重現2025年第四季的極端斜率，但由於買方庫存水位偏低且供應商控片立場堅定，上升通道依然明確。值得關注的是，DDR4因出現結構性供給缺口，其報價韌性與漲幅力道有望在特定區間內領先。

此外，南亞科於本次法說會中正式宣布，將2026年度資本支出上調至新台幣500億元，較前一年度大幅擴張2.7倍，此一激進的投資策略展現了公司在獲利結構改善後，由穩健經營轉向加速技術更迭的戰略決心。

在資金配置邏輯上，公司採取基礎設施先行的配置模式，將總預算的70%投入泰山新廠的廠務系統建置與高規格無塵室工程，其餘30%則用於關鍵生產設備的採購與裝機。根據營運時程規劃，泰山新廠預計於2027年第一季啟動設備裝機，並於同年上半年底前達成量產目標；預期至2028年上半年，月投片量將提升至2萬片規模，且製程技術將直接跨入10奈米級第三代（1C）及第四代（1D）節點，以優化位元產出率與產品能效。

而在產品組合的先進布局方面，南亞科已順利完成128GB DDR5 RDIMM的技術驗證，並積極投入客製化AI專案開發，此舉標誌著公司正加速縮減與全球三大原廠（Tier 1）在AI基礎設施供應鏈中的技術斷層，力求在高價值記憶體市場中取得關鍵競爭地位。

南亞科未來股價將如何？分析師：留意未來兩年高額折舊費用帶來的潛在獲利壓力

在法說會召開前，南亞科股價已先行「預熱」。上周五（16日）股價收在250元，上漲5.26%，顯示市場已提前反應轉虧為盈的利多。今日，股價開盤即跳空大漲，並迅速封死漲停板275.0元，創下歷史新高。然而，法說會後其股價走勢將取決於以下兩大因素：

• 利多兌現後的賣壓： 由於南亞科目前被列為處置股（至1月22日），買盤力道受限。部分短線資金可能在法說會利多確認後逢高獲利了結，股價短期內可能在高位區間震盪。

• 估值重新定錨： 美系外資近日將台系記憶體族群目標價全面上調。若以2026年EPS預估與高達49%的毛利率來看，南亞科的PB值有進一步上修的空間。

短線雖因處置期間及漲幅已大而有回檔壓力，但在第一季報價續漲與DDR5滲透率提升的基本面支撐下，南亞科股價長線趨勢依舊看好。

需要留意的是，雖然目前報價上揚，但南亞科500億元的龐大支出將帶來巨額折舊費用。未來兩年的營業利潤必須維持高檔，才能支撐此規模的投資計畫。