美光股價預測：重挫7%跌破900美元，復甦行情結束了嗎？

Tradingkey - 美東時間 8 月 24 日，美光（MU）股價再度跌破 900 美元關卡，日內跌幅高達 7%，但這並不表明記憶體供給短缺格局有變化。

美光記憶體架構研究員 Raghu Sreeramaneni 在史丹佛大學舉辦的 Hot Chips 2026 半導體會議上指出，記憶體（尤其是 HBM）正成為 AI 產業鏈最瓶頸的環節，誰能率先突破製程與封裝極限，誰就掌握下一階段競爭主導權。

他表示，目前矛盾在於速度錯配：AI 計算效能每兩年成長 3 倍，同期 HBM 發展卻不到 2 倍，差距持續拉大。

他指出短缺具結構性。最新 HBM 封裝將 2 塊 GPU 與 8 塊 HBM4 整合為一體，約 90% 面積用於記憶體；製造同等容量，HBM 耗用晶圓約為普通 DDR5 的 3 倍，且越升級越費料，缺口越擴大。

與此同時，散熱亦成新瓶頸。HBM 為多層結構，底層最熱而冷卻在最頂，冷量須穿透各層，業界已轉向「先算散熱、再調結構」。

此外，科技分析師 Dan Ives 認為，記憶體市場的強勁需求仍將延續，供給短缺的格局短期內難以改變。就 AI 革命而言，目前記憶體市場的需求與供給比例約為 15 比 1。隨著記憶體需求及價格同步上升，包括蘋果在內的企業都必須支付更高的記憶體成本。

Ives 表示：「目前是記憶體業者的天下，其他所有人都得付『租金』。」他指出，記憶體產業未來仍會出現週期性的起伏，但這一輪多年期的產業循環仍將持續發展。當被問及企業可能過度下單或庫存出現變化的可能性時，Ives 稱目前不必擔心這些問題，目前正開始按照多頭情境發展。

美光 2 小時 K 線圖，來源：TradingView

美光股價自 1,040 美元附近回落後，已經跌破 0.382 斐波那契回撤位（935.35 美元），同時跌破上升通道下沿。短線結構已經明顯轉弱，當前正在向下測試 0.236 斐波那契回撤位（859.88 美元）。

美光先前股價在 0.382 斐波那契回撤位（935.35 美元）附近反覆震盪，但本次快速跌破該位置，表明原有支撐暫時失效。

均線方面，現價已經同時跌破 5 日均線、10 日均線、20 日均線、80 日均線和 160 日均線，五條均線目前全部位於股價上方。929.12—951.22 美元構成當前較明顯的均線壓力密集區。

從趨勢結構看，股價已經跌破此前的上升通道下沿，意謂著自 737.88 美元附近形成的墊高低點結構受到破壞。後續如果不能重新收復 0.382 斐波那契回撤位（935.35 美元），本輪走勢更偏向弱勢調整，而不是普通回檔。

下方重點觀察 0.236 斐波那契回撤位（859.88 美元）。如果該位置能夠止跌並形成反彈，股價可能在 859.88—935.35 美元之間進行技術性修復；如果繼續跌破，則調整空間可能進一步擴大。