HBM5散熱對決：三星HPB vs SK海力士iHBM，美光加速追趕

TradingKey - 三星電子週二在 COMPUTEX 2026 上首次展示第八代高頻寬記憶體 HBM5 原型，並宣布已向客戶交付 12 層 HBM4E 樣品。SK 海力士則在 COMPUTEX 大會前夕發布差異化散熱技術「iHBM」，預計 2029-2030 年量產 HBM5。美光科技（MU）亦在加速追趕。這場競爭正從拚速度變成拚散熱和封裝能力，而輝達（NVDA）作為最大客戶，其選擇至關重要。

三星電子：HPB「煙囪」散熱，2028年量產

三星在展位實物展示了HBM5原型。公司首席技術長宋載赫對路透表示：「隨著AI系統日趨複雜，集記憶體、代工與封裝於一體的全棧能力才是決勝關鍵。」

HBM5將採用三星2奈米製程製造基礎晶片，並引入HPB熱管理技術——一種嵌入晶片內部的銅基導熱結構，可開闢獨立熱傳導通道，大幅降低熱阻，他形象地稱之為『煙囪』。

三星規劃HBM5提供12層、16層及20層堆疊，目標2028年左右實現量產。

SK海力士：搶先發布iHBM，熱阻降低30%

5月26日，就在Computex開幕前一週，SK海力士搶先發佈名為「iHBM」的控溫散熱技術，明確將用於HBM5。

該技術直接在發熱最集中的D2D PHY區域嵌入一體化冷卻元件「ICE」，構建專用排熱通道，相比傳統方案熱阻降低30%以上，同時沿用成熟的MR-MUF封裝工藝，確保與客戶現有系統相容。

SK海力士封裝開發負責人李康旭副社長表示：「iHBM結合記憶體設計與先進封裝技術，是實現產品最低發熱的最優方案」。不過，據業界分析，SK海力士HBM5量產時間定在2029年至2030年左右，比三星晚約一年。

SK集團會長崔泰源在展覽期間表示，計劃未來五年將晶圓產能翻倍，並重申「AI帶來的記憶體晶片短缺將持續到2030年」。

美光加速追趕，展示AI記憶體全產品線

美光科技此次在Computex上展示了完整的 AI 優化記憶體與儲存解決方案組合，涵蓋HBM4、LPDDR、DDR、GDDR及企業級SSD等多個產品線。

公司執行副總裁Sumit Sadana表示：「系統效能現在更多地由記憶體頻寬和記憶體容量驅動，半導體生態系統的這一結構性轉變，使記憶體和儲存成為不可或缺的戰略資產」。

值得關注的是，美光已宣佈2026年全部HBM產能全部售罄，並將HBM市場規模預期上調至2028年達1000億美元，比此前預測提前了兩年。

在2026年3月的GTC大會上，美光也已確認開始批量出貨面向輝達Vera Rubin平台設計的HBM4 36GB 12層堆疊產品。

截至目前，HBM最大採購方輝達尚未對三星HPB與SK海力士iHBM兩條散熱方案公開置評。據消息人士透露，輝達正在同時驗證兩家技術，最終選擇將取決於量產良率與系統整合效率。

整體來看，散熱和封裝良率已成為HBM競爭的核心瓶頸，誰能在堆疊層數和熱管理上率先突破，誰就能贏得下一代AI訂單。