近期,剛於8月20日登陸港交所的全球碳化矽(SiC)襯底龍頭——天嶽先進(02631.HK)股價反復活躍,市場關注度與討論度顯著升溫。
截至2025年11月14日發稿,公司股價衝高至53.3港元/股,較8月20日港股發行價42.8港元累計上漲24.5%,在半導體板塊波動行情中走出獨立行情。此外,天嶽先進(688234.SH)A股表現同樣搶眼,年初至今股價累計漲幅達48%。
究其原因,這波熱度的核心邏輯,在於碳化矽應用場景的跨界突破——從傳統新能源領域,向高附加值的AI算力芯片領域延伸。而天嶽先進憑借在大尺寸襯底的技術領跑與頭部客戶綁定優勢,或有望直接成為這一產業變革的直接受益者。
據公開信息,天嶽先進是全球碳化矽襯底領域龍頭,自成立以來即專注於碳化矽襯底的研發與產業化。
身為頭部企業,天嶽先進的行業地位毋庸置疑。根據弗若斯特沙利文統計,以2024年營收計算,公司是全球排名第二、國内第一的碳化矽襯底廠商,市場份額達16.7%,是國内少數能與國際巨頭同台競爭的企業。
近日,行業傳出重磅消息,英偉達正計劃在新一代GPU芯片的先進封裝環節中採用12英寸碳化矽襯底,預計最晚將在2027年導入。這一技術路線的轉變,意味著碳化矽的應用正從傳統的新能源領域,向更高端的AI算力芯片領域拓展。
背後的原因,或源於AI芯片高功耗和高密度封裝對散熱和結構強度的極限要求。與傳統材料相比,碳化矽具有更高的熱導率和更優異的熱穩定性,能夠有效解決高端芯片的散熱難題,成為先進封裝的理想選擇。
未來隨著算力芯片和數據中心加速上量,SiC有望被推上先進封裝「主角」位置,其長期景氣度無虞。
華西證券研報指出,如CoWoS未來將Interposer替換為SiC,且如按CoWoS 2028年後35%復合增長率和70%替換SiC來推演,則2030年對應需要超230萬片12吋SiC襯底,等效約為920萬片6吋,遠超當前產能供給。而中國大陸SiC具備投資規模、生產成本、下遊支持的三大優勢,未來有望重點受益。
公開資料顯示,天嶽先進是全球碳化矽襯底龍頭,已成功研製12英寸半絕緣/導電型襯底,切入英偉達封裝供應鏈。
業内人士也評價稱,天嶽先進在碳化矽襯底領域的技術積累和產業化能力,使其在全球競爭中處於有利地位。公司在大尺寸襯底方面的突破,正好契合了未來AI芯片對先進封裝材料的需求。
誠然,「AI新場景」為碳化矽賽道注入了新的想象空間——碳化矽襯底在AI芯片中介層的應用,可能成為行業新的增長曲線。天嶽先進近期的反復活躍,正是反映了市場對這一新場景的期待。