SK海力士利润率超台积电！美光却因自主设计痛失英伟达订单 HBM领域是否要变天？

TradingKey - 近期，多份研报均指出HBM市场供应结构的变化：美光（MU）因技术路线选择失误，已被英伟达（NVDA）排除在供应链之外，而竞争对手SK海力士与三星电子则将包揽全部市场份额。

同时，SK海力士最新财报显示，其第四季度经营利润率达到58%，超过晶圆代工霸主台积电（TSM）。

曾在HBM3时代掉队的三星已经回归主场，而一度领先的美光却无缘英伟达订单。HBM领域是否将重新洗牌？

HBM需求爆表 SK海力士实现先发优势

SK海力士Q4财报显示，季度运营利润同比增长超过一倍，达到创纪录的19.2万亿韩元（135亿美元），并带动2025年全年的营收、营业利润及净利润均创历史新高。这一份财报不仅使得SK海力士超越自己，也战胜了对手：58.4%经营利润率超过同期台积电54%的水平，年度营业利润上则超越三星。

分析认为，创纪录的业绩主要来自HBM（高带宽内存）的贡献，HBM全年营收同比增长超过2倍。

2025年以来，AI需求的增长带动高性能存储的需求激增。由于SK海力士早在2024年9月成为业界首家量产HBM4的企业，且是业界唯一能够同时稳定供应HBM3E和HBM4的企业，该公司在HBM领域有极强的议价能力，这是其HBM营收大幅增长的直接原因。

另外，2025年下半年以来，存储芯片进入了新一轮牛市周期，芯片的平均售价和出货量都大幅增长，传统存储芯片DRAM第四季度的平均售价环比上涨约25%，NAND闪存上涨超过30%，均拉高了SK海力士的利润率。

韩厂垄断英伟达供应 美光错失良机

目前，SK海力士已经拿下全球超过一半的HBM份额，压过三星、美光等长期对手，并成为了英伟达的主要供应方。此外，SK海力士还进入了微软（MSFT）的自研AI芯片供应链，显示出其强势地位。

有消息人士透露，在英伟达Rubin平台的HBM4供应配置上，SK海力士将占据70%的核心份额，三星则已获得20%-30%的初始订单。

从技术上来看，SK海力士的HBM4样品已达到稳定10Gbps传输速率，三星通过自研的1c DRAM与4纳米逻辑晶片整合技术，成功突破11.7Gbps的速率壁垒。二者都显著高于美光目前技术水准。

有供应链信息称，美光的HBM4基础晶片（Base Die）散热性能不达标，且引脚速率未达11Gbps标准，这是因为该公司没有像竞争对手一样寻求台积电的逻辑芯片代工，而是选择苦研技术。目前，英伟达的Vera Rubin晶片已进入生产阶段，供应链认证流程在2026年1月基本完成，美光已错失今年最后的时间窗口。

HBM不再三足鼎立？ 2026年市场已变天

SK海力士靠着率先量产HBM4的先发优势，不仅在市场份额和利润率上领先竞争对手美光和三星，获利表现甚至优于代工之王台积电，换而言之，分走了原属于台积电先进芯片制程的高溢价。这显示出当下是芯片的时代，但更是HBM芯片的时代。

与普通芯片不同，HBM技术复杂、良率低，因此拥有更高的门槛和议价权。其中，SK海力士作为该领域的佼佼者，掌握了掌控整体封装和核心存储颗粒，成为了英伟达HBM芯片最核心的供应商，因此享有更高的溢价。

尽管美光和三星暂时落后，但这一局面会持续多久尚未可知，这两家公司依然是SK海力士最强劲的对手。

三星的最大竞争力在于它不仅能提供HBM4制程技术，还能自产存储颗粒、制造底座并完成封装，压低制造成本实现价格优势，这种协同效应是海力士和美光无法模仿的。此外，三星在过去几年的技术突破也不容小觑，在2024年，三星的HBM3和HBM3E芯片还未能通过英伟达的技术认证，但在2026年已经拿下英伟达20%-30%的订单份额。

目前，美光计划与台积电合作，预计在Q2实现HBM4产能的爆发，分析认为其最早可能在Q2再次尝试通过英伟达的认证测试。美光的HBM4样品引脚速率已超过11Gbps，而功耗控制则一直是该公司的传统优势。若能顺利通过英伟达验证，美光仍可能在2026 年下半年到2027年的芯片周期大放异彩。