SK海力士加速1c DRAM製程轉型，明年Q1有望成為主流製程，股價漲逾8%

TradingKey - 9 月 7 日亞盤交易時段，SK 海力士股價收漲 8.26%，報 178.3 萬韓元（折合約 1324.58 美元）。與此同時，該公司在先進 DRAM 製程轉換方面的進展也受到市場關注。

【來源：TradingView】

據韓媒 ChosunBiz 援引業界人士消息，SK 海力士正在快速提高第六代 10nm 級 DRAM 製程 1c nm 的產能佔比。

【來源：ChosunBiz】

業界估算顯示，其 1c DRAM 佔公司總 DRAM 產能的比例已從今年第一季的約 10% 升至第二季的約 13%，預計第三季增至約 24%，第四季達到約 34%。到 2027 年第一季，1c 佔比預計進一步升至約 35%，首次超過屆時約 33% 的 1b 製程，成為 SK 海力士佔比最大的 DRAM 製程。

與此同時，1b DRAM 的佔比預計已在今年第二季約 43% 的水準觸頂，並隨著 1c 轉換提速逐步下降。SK 海力士先前在第二季法人說明會上確認，採用 1c 製程的 DRAM 產品已從第二季開始正式供貨。

HBM 是此次製程轉換的關鍵應用方向。SK 海力士在 HBM4 中繼續採用成熟的 1b DRAM，以保障量產穩定性，而下一代 HBM4E 則將首次採用 1c DRAM 作為核心晶片。

公司今年 4 月曾在法人說明會上表示，計劃 2026 年下半年供應 HBM4E 樣品，並以 2027 年量產為目標推進。實際進展符合預期，6 月 18 日，SK 海力士已宣布向主要客戶出貨 12 層 HBM4E 樣品。產品最高傳輸速率達到 16Gbps/pin，能效較上一代提高 20% 以上。

從業界比較來看，據 ChosunBiz 援引的業界估算，截至今年第二季末，三星電子和美光科技（MU）1c DRAM 佔各自 DRAM 產能的比例分別約為 16% 和 19%，高於 SK 海力士同期約 13% 的水準。

不過，SK 海力士下半年正在加快 1c 製程轉換。報導預計，到第四季 SK 海力士 1c 佔比有望達到約 34%，超過三星電子同期的約 31%。

隨著 1c DRAM 佔比提升，以及伺服器、AI 和 HBM 等高附加價值產品供應擴大，更先進製程帶來的單片晶圓位元產量提升，有望增強成本競爭力並改善利潤結構。

SK 海力士預計，隨著下半年 HBM4 產能擴大以及基於 1c 製程的通用 DRAM 出貨增加，下半年位元成長率將高於上半年。

按照目前業界預測，1c 有望在明年第一季成為公司主力製程，為 HBM4E 後續量產提供產能和製程基礎。