闪迪股价预测：DRAM、NAND的行业壁垒或被中国厂商快速突破，股价将跌破1100美元？

Tradingkey - 美东时间7月27日，闪迪（SNDK）盘中一度跌超14%，低见1226.9美元，创5月初以来新低。据悉，中国存储芯片公司长鑫科技今日上市，完成86亿美元规模的首次公开募股，上市首日大涨466%，体现市场对中国存储芯片市场份额增长的信心。

Counterpoint Research分析师表示，标准化程度更高的通用DRAM、NAND市场，或受到中国存储厂商的冲击，行业竞争格局与投资逻辑正在发生结构性变化。而高带宽内存（HBM）凭借极高的技术门槛，未来数年仍将由美光（MU）、三星、SK海力士（SKHY）三家垄断。

作为AI算力的核心配套芯片，HBM的技术壁垒远超通用存储产品。Counterpoint表示，中国厂商最快要到2027年上半年才能实现HBM3量产。而到2027年，海外三巨头已进入HBM4量产阶段，且技术路线已向更下一代迭代，双方始终维持约一代的技术代差。

然而，通用DRAM、NAND的行业壁垒或被中国厂商快速突破。这类产品标准化程度高，客户决策高度敏感价格，核心壁垒在于资本投入而非独家技术。西部数据（WDC）、闪迪等传统厂商在该领域的竞争优势相对薄弱，将首当其冲面对中国厂商的冲击。

据悉，过去一年存储价格整体涨幅近四倍，且多数涨幅集中在近半年，但涨价的核心瓶颈并非市场普遍认知的数据中心HBM，而是智能手机、PC、消费电子等终端品类，其中DRAM的供需缺口尤为突出。恰好是这一涨价幅度最高、利润空间最丰厚的消费级通用存储市场，正是中国厂商产能释放的核心目标市场，充足的盈利空间为后发厂商提供了极佳的切入窗口。

闪迪两小时股价图，来源：TradingView

从闪迪股价图来看，今日盘中一度跌超14%，创出阶段新低，已击穿1325美元的第一支撑位置，已确认从高位反转进入下跌趋势。

目前需要重点关注斐波那契1.272扩展位（1224美元）和1200美元整数关口，一旦跌破或将进一步引发技术性抛压与止损盘共振，下行空间打开至斐波那契1.618扩展位（1095美元）。

暴跌通常伴随的反弹，反弹的第一目标位是收复阶段低点（1325美元），然而这一目标价格已被有效跌破，转化为压力位。此外，下跌趋势行情通常不会在一天结束，即便市场有反弹需求出现，反弹高度极为有限。

所以，即便是出现反弹，更大可能是下跌中继。建议等待明确底部信号（如成交量极度萎缩 + 长下影 + 关键整数关口止跌）。