三星与英伟达合作升级：HBM4E、HBM5及自动驾驶芯片代工进入实质性讨论
TradingKey - 首尔时间6月8日，三星电子芯片部门负责人全永铉表示，公司已与英伟达（NVDA）CEO黄仁勋就下一代芯片的代工合作及HBM4E、HBM5等未来技术展开了广泛讨论。双方正在就4nm和8nm节点所需的自动驾驶芯片以及英伟达加速器芯片领域展开合作。
就在会晤前夕，英伟达已确认三星电子、SK海力士、美光（MU）科技三家存储巨头均通过HBM4资质认证，进入大规模量产阶段，将为英伟达下一代AI平台Vera Rubin供应HBM4。Vera Rubin已全面投产，计划于今年第三季度开始交付。
从HBM4到HBM5：三星加速布局
全永铉透露，双方围绕HBM4E及HBM5的长期合作计划进行了深入讨论。三星电子今年2月全球率先量产第六代HBM4，随后于5月底向全球客户供应第七代HBM4E 12层样品，从HBM4量产到HBM4E样品出货仅用约3个月。
三星官方披露，HBM4E每引脚传输速度最高可达16Gbps，每个堆栈总带宽达4TB/s，预计将搭载于英伟达明年下半年推出的Vera Rubin Ultra等下一代AI加速器。
在2026年台北国际电脑展上，三星首次展示了第八代HBM5，配套的HPB封装内置散热方案已在HBM4E上完成实测验证。
KB Securities分析师Lee Seung-woo此前预计，若三星获得英伟达HBM4E供应协议，每年可为三星内存业务带来80亿至100亿美元的收入。
代工合作有望扩大
目前，美国AI推理芯片独角兽Groq已委托三星采用其4nm工艺生产Groq 3 LPU。三星晶圆代工总裁韩进万称：“我们的4nm工艺绝不逊色”。双方已探讨长期合作，市场预计三星未来有望在3nm/2nm节点承接更多AI芯片代工订单。
英伟达在最新的GTC大会上将Groq 3 LPU纳入Vera Rubin平台，打造“GPU+LPU”异构推理方案。CEO黄仁勋访韩时强调存储芯片供应紧张将持续数年，称”整个行业供应链，从晶圆、封装到硅光子，所有环节都供不应求”。他还表示，AI相关股票目前非常便宜，长期需求强劲。
三星股价周一重挫逾10%
尽管市场对合作消息已有预期，三星电子周一仍深度回调。受博通（AVGO）AI芯片指引不及预期及美国5月非农超预期影响，韩国KOSPI指数早盘暴跌逾8%触发熔断，收跌8.29%。三星电子收盘报29.55万韩元，大跌10.18%。
【来源：TradingView】
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