長鑫存儲推進DRAM新架構引市場憂慮，Elon Musk指中國規模化製造能力或重塑DRAM格局

Tradingkey - 市場對中國 DRAM 製造商長鑫存儲推進更高密度記憶體架構的憂慮升溫，投資人開始重新評估中國廠商對傳統 DRAM 供應、價格與市佔率的潛在影響。

特斯拉（TSLA）及 SpaceX（SPCX）創辦人馬斯克（Elon Musk）在社群平台 X 表示，當中國掌握一項產品的製造方法後，其規模化能力遠超全球其他地區。他以鋰電池與太陽能產品為例，認為中國在製造規模化方面具備明顯優勢；SpaceX 則是少數例外，因為美國在火箭發射領域的入軌質量仍遠高於全球其他地區。

馬斯克進一步指出，記憶體可能也會沿著類似路徑發展。他認為，RAM 在幾年前仍被視為低毛利的大宗商品，而 LP5、LP6 等標準化產品的設計，本身就有利於不同廠商之間進行大規模生產。如果中國廠商能快速解決製造與良率問題，傳統 RAM 市場的競爭格局可能出現更大變化。

這番言論發布之際，長鑫存儲正加速推進新一代 DRAM 架構。公司已表示，預計於 2026 年底推出採用 4F² 架構的新一代 DDR5 RDIMM 產品。相較於目前主流的 66F² 架構，4F² 可縮小單一記憶體儲存單元的面積，理論上有助於在同一片晶圓上配置更多儲存單元。

【來源：X】

對 DRAM 製造商而言，這項技術的核心價值並不只在於提高容量，也在於改善成本結構。如果長鑫存儲能夠在量產中維持穩定良率，單片晶圓的有效位元產出便有望增加，進而降低每個位元的製造成本。這可能讓公司在價格競爭中取得更大彈性，或在相同售價下改善利潤率。

不過，馬斯克的發言也反映出市場正在區分不同類型的記憶體產品。他認為，傳統 RAM 的標準化程度較高，製造能力與產能擴張可能是競爭關鍵；但新一代 HBM，以及邏輯電路下方配置 SRAM、將記憶體三維堆疊於邏輯晶片上方等架構，仍面臨更高的整合與散熱難題。