韓國儲存雙雄掀起「擴產狂潮」，天量資本開支押注AI，投資者需要關注什麼？

TradingKey - 6月29日，首爾青瓦台的國民報告會上，韓國總統李在明的一聲宣告，正式點燃了韓國半導體產業史上規模最大的擴張引擎。韓國政府宣布將在西南地區投入800萬億韓元（約合3.52萬億元人民幣）打造全新記憶體晶片集群，與此同時，三星電子和SK海力士兩大行業巨頭同步公布了總計3755萬億韓元的長期投資計劃——一場面向2030年代的全球記憶體產業軍備競賽，就此拉開序幕。

這一系列舉措並非簡單的產能擴張，而是韓國政府與企業聯手打造的"AI晶片超級工程"。面對AI時代算力需求的指數級增長，韓國試圖通過政府引導下的大規模協同投資，鞏固其在全球記憶體晶片市場的絕對領導地位，構建"不可替代"的產業競爭力。從首都圈向西南地區的戰略轉移，從傳統記憶體向AI專用HBM晶片的聚焦，這場萬億級投資浪潮不僅將重塑韓國半導體產業格局，更將深刻影響全球AI算力基礎設施的未來走向。

這場由韓國主導的萬億級晶片投資計劃，既是對AI時代算力需求的大膽押注，也是全球半導體產業格局重塑的重要轉折點。未來十年，韓國能否通過這場超級工程鞏固其全球記憶體霸主地位，全球產業鏈又將如何適應這場產能狂飆，答案正隨著西南地區破土動工的機器轟鳴，逐漸浮出水面。

韓國政府加速儲存基礎設施建設

韓國政府規劃的西南半導體集群將在光州和全羅地區建設四座記憶體晶片晶圓廠，三星電子和SK海力士各承建兩座，主打DRAM和HBM記憶體晶片。這一項目原計劃2040年代竣工，現提前至2030年代中期，大幅縮短了12年建設週期。

政府將提供土地、電力及水利等基礎設施支持，但美銀證券分析師指出，僅基礎設施建設階段就至少需要5年時間，加上晶圓廠外殼建設、產能爬坡與試生產，新集群實現有意義的量產輸出預計最快也要在8至10年之後。

目前韓國現有儲存晶圓廠主要集中於首爾都市圈周邊，包括平澤、龍仁、華城和利川等地，這些區域經過多年發展已形成完善的產業鏈配套和人才體系。此次西南集群布局與首爾距離較遠，所需基礎設施投入量級更大，建設難度顯著提升。

美銀證券將其類比為台積電在台南的分散策略，指出這種遠離核心區域的產能擴張需要更漫長的前置準備期，包括電力供應、水資源保障、物流體系建設以及高端人才引進等多個方面。

韓國總統辦公室政策室長金容範表示，建設一座半導體晶圓廠大約需要7到8年時間，正是因為週期長才需要提前規劃部署，以應對AI行業對晶片的指數級需求增長。

隨著AI應用的快速普及，全球記憶體晶片需求呈現爆發式增長，尤其是HBM等高端記憶體產品供不應求。韓國政府希望通過提前布局，搶佔未來AI記憶體市場的制高點。

三星電子265萬億韓元投資計劃的重點在哪裡？

三星電子公布的2655萬億韓元投資計劃中，超過76%的資金將聚焦半導體領域。其中2030萬億韓元將用於龍仁市和平澤市現有產業集群的升級改造，進一步提升DRAM和NAND快閃記憶體的產能效率；600萬億韓元將投向光州的全新晶圓廠建設項目，計劃在這裡打造4至5座前道晶圓廠，形成新的產業增長極；同時，三星還將參與忠清南道81萬億韓元的HBM封裝設施投資，重點突破AI時代核心的高頻寬記憶體晶片封裝技術。

除了晶片製造環節，三星的投資觸角還延伸至更廣泛的產業鏈領域。公司計劃強化先進封裝能力，在忠清南道建設晶片封裝廠，提升高端記憶體產品的附加值；同時加大對下一代記憶體技術的研發投入，確保在未來技術迭代中保持領先。三星集團會長李在鎔表示，此次投資是"應對AI時代的必然選擇"，公司將通過全產業鏈佈局構建"不可撼動的競爭優勢"。

SK海力士的投資計劃與三星有何不同？

相比三星的全產業鏈布局，SK集團的1100萬億韓元投資計劃更顯聚焦。其中400萬億韓元將投向韓國西南部的光州地區，計劃在這裡打造4至5座前道晶圓廠，主要生產DRAM和HBM等AI核心記憶體晶片。

同時，SK海力士還將擴建忠清北道的NAND快閃記憶體工廠，提升快閃記憶體產品的產能規模，並參與HBM封裝設施投資，強化高端記憶體晶片的製造能力。

值得注意的是，SK海力士已於6月24日向美國SEC提交上市申請，計劃通過納斯達克ADR募資45.45萬億韓元（約294億美元），這筆資金將主要用於產能擴張和技術研發。

SK集團會長崔泰源表示，AI時代對記憶體晶片的需求呈"指數級增長"，公司必須加快產能布局以滿足客戶需求，此次上市將為公司的擴張計劃提供充足的資金支持。

韓國記憶體晶片擴產計劃的核心目標是什麼？

韓國政府預計，透過此次大規模投資，將在五年內把韓國DRAM生產能力翻倍，並推動全球記憶體市場規模增長四倍。

為實現這一目標，韓國政府與企業協同推進一系列核心專案：800兆韓元的西南晶片集群建設項目，將打造四座半導體晶圓廠；81兆韓元的HBM封裝設施投資，將提升AI記憶體晶片的封裝能力；未來15年至少30兆韓元的下一代儲存技術研發投入，將確保韓國在技術競爭中保持領先；2035年前逾1000兆韓元的AI數據中心建設，將構建完善的算力基礎設施。

這一系列目標直指AI時代的算力需求，旨在構建從晶片製造到算力基礎設施再到終端應用的完整生態鏈。韓國產業通商資源部長金正官表示，韓國要透過"速度戰略"搶佔AI產業先機，打造"不可替代的產業競爭力"。

韓國記憶體巨頭大規模擴張的原因有哪些？

此次韓系記憶體巨頭的大規模擴張並非偶然，而是多重因素共同作用的結果。

首先是 AI 時代的戰略卡位需求，隨著 AI 技術對算力的指數級增長，高頻寬記憶體（HBM）需求爆發式增長，三星與 SK 海力士必須提前布局以搶佔市場份額。

其次是緩解產業集中帶來的壓力，韓國晶片製造長期集中在首爾周邊地區，電力和供水能力已接近極限，西南部地區的新選址將開闢新的發展空間。

此外，全球人工智慧競賽已演變為國家間的競爭，韓國必須比競爭對手更快行動。

同時還有財務實力的支撐，兩家企業 2026 年第一季均創紀錄的財務表現為大規模投資提供了堅實基礎，SK 海力士單季營業利潤率突破 72%，三星電子 DRAM、NAND 基礎記憶體業務維持全球雙第一位置。

韓國記憶體產能擴張真能改變市場格局嗎？

韓國記憶體晶片廠商重申到2030年將DRAM晶圓產能近乎翻倍的計劃，表面上看擴張幅度可觀，對應約15%的年均複合成長率（CAGR）。

但美銀證券分析指出，若將舊廠關閉和新一代記憶體晶片更長製造週期兩個因素納入考量，實際運行晶圓產能的擴張速度每年將低於10%，整體淨晶圓成長率到2030年僅為個位數百分比複合成長率。即便龍仁和平澤的新晶圓廠建設有所提速，也不太可能推動記憶體產出在近期出現顯著增長。

這意味著短期內記憶體市場供需平衡的改變更多依賴於需求端變量，TrendForce集邦諮詢分析師許家源表示，由於新廠量產時間多落在2027年下半年至2028年，在此之前DRAM供不應求的格局仍難以扭轉。

韓國此次擴產的核心是HBM記憶體晶片，三星和SK海力士掌控著全球近80%的HBM市場份額，目前其產能已被輝達等客戶提前鎖定，擴產更多是為了滿足已簽約的長期訂單需求。

值得注意的是，AI對記憶體晶片的需求呈現出結構性變化。AI伺服器對HBM的需求是傳統消費級記憶體的三到四倍，而當前全球HBM供給持續緊缺。三星和SK海力士的HBM產能已被輝達等客戶提前鎖定，不擴產將無法滿足客戶需求，甚至可能失去市場份額。因此，此次擴產更多是順應市場需求的必然選擇，而非盲目擴張。

結語

當韓國兩大記憶體巨頭的萬億級投資計劃塵埃落定，一場面向2030年代的全球記憶體軍備競賽已然拉開帷幕。

這場規模空前的產能擴張，不僅是韓系企業鞏固全球領導地位的戰略抉擇，更是AI時代算力需求爆發下的必然產物。雖然短期內無法改變記憶體市場供需格局，但傳遞出韓國政府強力支持本國記憶體產業長期擴張的明確意圖，有助於穩固市場對韓系記憶體企業長期競爭力的信心。