长鑫存储推进4F² DRAM加剧竞争担忧，三星电子还值得持有吗？

TradingKey - 首尔时间10月12日，三星电子收跌4.39%，报25.05万韩元。10月13日早盘，截止发稿，股价进一步下跌约7.78%，一度降至23.1万韩元附近，25万韩元关口失守。

【来源：TradingView】

本轮下跌的主要原因是长鑫存储计划在2026年底推出采用4F²单元结构和混合键合技术的新一代DDR5 RDIMM，引发市场对服务器DRAM竞争加剧的担忧。

长鑫存储推进4F²，服务器DRAM竞争或加剧

主流DRAM目前多采用6F²结构。4F²可将存储单元面积压缩至原来的三分之二，理论上提升存储密度，但实际效果还取决于外围电路设计和良率。

长鑫存储称，其4F²方案采用自主开发的垂直沟道晶体管，并通过混合键合连接存储阵列与外围逻辑，计划首先用于服务器DDR5 RDIMM。

不过，2026年底推出产品，并不等于能立刻大规模供货。服务器内存仍需通过CPU平台、整机厂商和数据中心客户的兼容性及可靠性认证，良率、成本和量产规模也都没有公开数据。

短期压力主要来自市场预期。如果长鑫能够扩大标准服务器DRAM供应，三星在中国市场的产品价格和份额可能承压。对HBM业务影响有限，因为两者在封装和客户认证上差异很大。

创纪录利润能否抵消竞争压力？

三星电子第三季度初步业绩显示，合并营收约195万亿韩元，营业利润约107.4万亿韩元，均创历史新高。公司尚未公布部门收入、净利润及产品结构，完整财报预计于10月29日发布。

存储价格上涨及AI服务器需求仍是利润增长的主要来源。三星正在推进4F² DRAM结构，据媒体报道，公司计划在后续10纳米级DRAM产品中采用该结构，量产目标是2028年。长鑫的时间表更早，可能倒逼三星加快研发和量产验证。

三星后续股价主要取决于长鑫产品能否按期出货、实际良率和客户认证进度，以及三星HBM4与服务器DRAM收入能否继续增长。

如果竞争局限在中国标准DRAM市场，对三星整体盈利冲击有限；若长鑫进一步进入全球服务器客户，价格和市场份额压力将明显上升。

三星电子技术分析：23万韩元成关键支撑

以9月3日低点243,000韩元至9月23日高点285,500韩元计算，斐波那契0.786回撤位约为252,100韩元。三星电子股价已跌破该位置及243,000韩元前期低点，短线走势转弱。

【来源：TradingView】

目前股价约为231,000韩元，已跌破238,000—240,000韩元观察区。若日线继续收在230,000韩元下方，下一支撑位可关注220,000—225,000韩元。

14日RSI约34，接近30这一传统超卖线，显示卖压仍重，但尚未形成明确反转信号。

上行方面，股价首先需要重新站上238,000—240,000韩元，随后关注249,500—252,000韩元阻力区。若收复252,000韩元，可进一步观察259,000—264,000韩元；突破后，压力位位于269,000—276,000韩元。

当前230,000韩元是短线关键支撑，238,000—240,000韩元转为首要反弹压力。若无法收复该区域，股价仍可能维持弱势；若跌破230,000韩元，则需防范进一步下探220,000—225,000韩元。

三星电子还值得持有吗？

三星电子的长期价值仍取决于HBM、服务器DRAM和先进制程的竞争力。长鑫存储4F²技术增加了标准DRAM市场的不确定性，但尚未证明其能够迅速替代三星的高端产品。若三星能够提升HBM4出货和良率，盈利仍有改善空间。

接下来值得投资者关注的包括：三季度完整财报的部门数据、HBM4E订单进展，以及长鑫4F²产品能否按期出货。