美光股价预测：内存供给紧张将持续至2027年，股价有望重返1000美元

Tradingkey - 美光（MU）股价自6月25日创下历史新高1254.8美元后便一路回撤，并于7月29日股价达到阶段低点737.88美元。美银分析师Vivek Arya指出，近期股价的重新定价，反映的是投资者提前布局以应对潜在下行周期，“而非对基本面的回应”——而他认为基本面目前仍在持续改善。

截至美东时间8月5日，美光已反弹至915美元附近，区间涨幅超20%。目前美光的股价已重新站上多条短中期均线，处于下降通道的上轨附近。若股价进一步上行，则有望确认技术结构由下跌趋势转向修复。

在这关键节点上，美光股价能否重返上涨趋势，关键在于内存供需紧张格局能否延续、中国厂商竞争是否构成实质冲击，以及技术面能否完成对下降通道的有效突破。

内存供给紧张将持续至2027年

据媒体DIGITIMES援引业界人士透露，三星电子、美光及SK海力士的DRAM与高带宽存储器（HBM）2027年产能已全数分配完毕，涵盖长期协议大客户及中小型买家。

报道称客户最终获得的配货量仅为其初始请求的60%至70%。业内人士指出，2027年将进入内存短缺最严峻的阶段。配货数量目前已基本敲定，但最终发货定价将更接近交付时确定。

与此同时，三星电子、美光、闪迪的NAND Flash全年产能亦已预售一空，铠侠与SK海力士预计最晚于2026年8月底前完成分配。

高盛表示，AI服务器驱动的HBM需求持续超越供给，而最新一代HBM的良率因制程节点更先进、堆叠层数更高而明显下滑，叠加HBM与普通DRAM之间更高的转换比率，使得供给扩张的难度进一步上升。高盛预计2027年HBM供需缺口将比今年更为紧张。

高盛进一步预计，三星电子和SK海力士的HBM综合均价将在2027年分别同比上涨约87%和100%，双双接近每Gb 2.9美元。其中，同类产品价格涨幅约为60%，其余增量来自产品组合改善。

尽管近期各大厂商为应对供应紧张均选择扩大产能。三星计划扩产50%，SK海力士大幅增加资本支出、推进265亿美元IPO及韩国本土超8800亿美元产业投资，美光则承诺到2035年在美国投入2500亿美元。

然而晨星分析师警告，新建晶圆厂产能需2至3年才能投产，当峰值产出遇上需求放缓，将面临显著的供应过剩风险。

长鑫存储（CXMT）的影响局限于中国本土市场

随着长鑫存储于7月27日完成上市，与美光、三星、SK海力士正式开启竞争。投资者担忧中国存储厂商或冲击全球供需格局。

有报道称，苹果已开始测试长鑫存储的DRAM芯片。另据近期报道，主要PC厂商已开始为部分笔记本电脑机型采购长鑫存储的DRAM芯片，以应对持续的内存短缺局面。

然而，高盛认为，长鑫存储的扩张将以满足国内需求为主，对全球供需紧张格局的实质性冲击有限。从技术差距来看，高盛援引TrendForce数据指出，长鑫存储目前主流制程相当于1z节点，而三星和海力士正处于1a/1b向1c节点的过渡阶段。

从产品结构来看，长鑫存储约70%的移动DRAM出货量为LPDDR4(X)，而三星和海力士的移动DRAM中LPDDR5(X)占比已达75%至85%，产品定位明显错位。

美银认为，中国长鑫存储（CXMT）在人工智慧领域“尚不构成威胁”，因其主要供应的是普通DRAM，而非高频宽记忆体。

美光股价预测：有望重返1000美元

从美光的股价图来看，自737.88美元阶段低点反弹后延续修复，已重新站上多条短中期均线，并回到0.618斐波那契回撤位（907.09美元）上方。

短线多头仍占一定优势，但当前价格正测试长期下降通道上轨，走势处于“反弹延续”能否升级为“趋势修复”的关键确认阶段。

美光两小时股价图，来源：TradingView

从形态上看，股价目前贴近下降通道上轨运行，约918—925美元区域同时受到通道压力与前期成交密集区约束。若股价能够连续站稳该区间上方，意味着下降通道可能被正式突破；反之，若冲高回落，则仍应视为通道内的反弹修复。

短线首要支撑为0.618斐波那契回撤位（907.09美元），该位置同时接近80日均线与近期均线支撑带，是当前反弹结构的核心强弱分界。若回踩后守稳，股价仍有机会向上挑战通道上轨及0.786斐波那契回撤位（953.30美元）。

下方第二道支撑关注0.5斐波那契回撤位（874.78美元），若跌破则说明本轮反弹动能明显减弱；进一步下方则看0.382斐波那契回撤位（842.47美元）。

当前最大风险在于，美光虽已回到主要均线上方，但尚未完成对下降通道上轨的有效突破，918—925美元区域一旦反复受阻，短线获利盘可能推动价格重新回测907.09美元。只有放量站稳通道上轨，并进一步突破0.786斐波那契回撤位（953.30美元），才能更有力确认中期技术结构由下跌趋势转向修复。