借HBM转型操纵DRAM价格？存储三巨头三星、海力士、美光在美遭反垄断集体诉讼

TradingKey - 全球DRAM价格飙升正从产业危机演变为法律风暴。

三星、SK海力士与美光（MU）这三家掌控全球近90%DRAM市场份额的芯片巨头，正在美国加州联邦法院遭遇集体诉讼，被指借人工智能高带宽内存（HBM）战略转型之名，协同压缩传统DRAM产能，致使相关价格在过去四年内暴涨约700%。

这场被称为"RAMpocalypse"（内存末日）的价格狂飙，不仅让苹果（AAPL）等终端厂商被迫提价，更将存储行业的寡头竞争格局推上了反垄断审判台。

存储三巨头遭反垄断诉讼

本次诉讼的核心论据直指三大存储巨头的产能分配策略，原告方代表近年来购买含传统DRAM产品的消费者及企业指控，三星、SK海力士与美光利用全球DRAM市场的寡头地位，以向HBM转型为借口，协同削减DDR3、DDR4等商用内存的产能，人为制造供给短缺。

诉状援引数据显示，2022年以来，三家公司将约25%的DRAM晶圆产能转向HBM芯片生产，而HBM芯片的物理面积是标准DDR芯片的两倍，这意味着每生产一颗HBM芯片就要消耗两倍的晶圆面积。

尽管全球DRAM晶圆总产能2026年预计增长14%，但分配给传统DRAM的产能仅增长10%，供需剪刀差直接导致消费级内存供应缺口持续扩大。

诉讼认为，三巨头本可以同步扩产传统DRAM来填补缺口，却选择将产能集中转向利润更高的HBM领域——HBM芯片的毛利率是传统DRAM的3-5倍。

这种选择性产能分配被指控为"协同减产"的新形式，最终导致DRAM价格在过去四年中累计上涨约700%。

苹果近期对iPad和Mac产品线的全面提价被援引为价格传导的典型案例，原告方认为这正是上游供给人为收缩带来的直接损害。

垄断前科：HBM转型只是“新包装”

2005年，三星就因1999-2002年间操纵DRAM价格，向美国司法部认罪并缴纳3亿美元罚款，这是当时美国反垄断史上第二大刑事罚金。

同年，SK海力士也认罪，被罚1.85亿美元，加上尔必达的罚款，整起案件总罚金达到7.31亿美元，多名涉案高管被判处监禁。

诉状明确援引这一历史记录，试图向法庭证明三家公司存在系统性、重复性串谋的行为模式。原告方认为，当年的价格操纵是通过协调产量和报价实现，如今只是换成了"HBM转型"的新包装，本质仍是利用寡头地位人为控制市场供给。

这一前科记录为当前指控提供了有力的参照依据，也令被告方的辩护面临更高的舆论与法律成本。

诉讼难改供需格局，内存“超级通胀”或成常态

无论诉讼走向如何，市场普遍认为内存价格高位在短期内均难以逆转。Jefferies最新预测显示，2026年第三季度内存价格将较上一季度再涨40%至50%，第四季度继续环比上行30%至40%，2027年全年价格同比仍将增长40%至45%，价格的实质性放缓最早要等到2028年。这意味着下游企业与终端消费者面临的成本压力将延续相当长时间。

从产业趋势看，HBM对传统DRAM产能的吞噬仍将持续，2026年HBM预计占全球DRAM晶圆产能的约25%，而AI服务器对HBM的需求正以每年约70%的速度增长。三星、SK海力士与美光在HBM领域同样占据垄断地位，三家合计占有全球HBM市场95%以上的份额，这让它们有能力继续主导产能分配节奏。

法律专家指出，此类反垄断诉讼通常耗时数年，即便最终认定价格操纵行为成立，也难以在短期内改变存储市场的供需格局。对消费者而言，可能需要做好长期接受内存高价的准备，而这场诉讼能否打破存储行业的寡头垄断，仍有待时间给出答案。