三星、SK海力士、美光迎接内存价格战？国产DRAM、NAND出海 会冲击全球HBM市场吗？

TradingKey - 财经博客网站ZeroHedge的文章指出，中国半导体企业已开始大量投放国产DRAM和NAND芯片，这可能会降低内存和存储设备的价格。芯片市场将迎来毁灭性的一刻？中国芯片价格战的打击是否会成为三星、SK海力士、美光（MU）这三家芯片大厂的“黑天鹅”时刻？

中国内存商扩张产能 国产内存流入国际市场

根据科技媒体Tom's Hardware的报道，有消费者发现知名内存品牌Corsair的产品Vengeance DDR5 16GB内存条使用的DRAM来自中国企业长鑫存储（CXMT），而不是存储三大内存厂商，美光、三星或SK海力士，中国生产的DRAM终于出现在主流产品中。

这意味着内存领域的供应情况发生了巨大变化。以前，CXMT的产品主要销往本地企业，但此次CXMT的合作对象Corsair是消费级内存领域的领军企业之一，二者合作推出内存产品，意味着国际市场或将开始流入中国生产的DRAM，可能带来市场格局的重大变化。

Tom's Hardware分析中指出，像CXMT这样的芯片公司和存储三巨头不同，没有数据中心合同的束缚，产能充足，虽然没有最尖端的技术和工具，但能满足市面上普通消费者的需求。

此前，Corsair通常从美光采购内存，但在当下内存价格高企，且内存三巨头的产能早已售罄，难以预定。Corsair等公司为了获得稳定的供应，有可能从定价更低的中国芯片公司采购，这样还能降低成本。

向中国芯片商采购内存芯片，这在国际市场上已经不再是孤例：惠普（HPQ）曾在1月份向CXMT下了大笔LPDDR5订单，高通（QCOM）在4月份开始与该公司合作定制DRAM，戴尔（DELL）、华硕和宏碁也都已与CXMT接洽。

今年以来，不少中国内存商提升内存产能，目前不仅可以满足国内需求，还能为海外PC制造商提供更多价格更低、规格相近的替代产品。比如，长江存储正在进行史诗级的内存扩产，该公司今年Q1财报显示，其NAND芯片产量已超过全球市场10%份额。

中国内存商发起价格战：能否挤占国际市场份额？

由于传统的芯片三巨头产能跟不上供给，中国芯片商获得前所未有的市场机遇，但这是否会真正影响三星、SK海力士和美光的市场份额？

从技术方面来看，CXMT的招股书显示，该公司1a（16nm级）工艺节点的DDR5和LPDDR5X良率已达到80%以上。1a工艺已经是相对先进的制程，但存储三巨头最前沿的技术已经推进到了第六代10nm级工艺，业内主要称为1c，美光称之为1γ。1a节点和这些先进制程中间还隔着1b节点。

目前，AI数据中心需要的HBM（高带宽内存），第三代即HBM3可以使用1a制程的芯片，比如SK海力士在HBM3E时代才部分从1a切换至更先进的1b工艺，三星曾大规模向英伟达、AMD等重要客户供应的HBM3和HBM3E芯片，都采用了1a工艺。

目前，HBM3E在HBM总出货量中占比依然最大，但更先进的HBM4产能正在爬坡，将作为英伟达（NVDA）下一代Vera Rubin平台及AMD MI450平台的标配存储芯片而成为未来的主流。来自中国的存储芯片目前未达到生产HBM4的标准，不管中国芯片商如何降低成本，世界级存储巨头的技术壁垒依然难以打破。

不过，在消费级内存领域，由于存储大厂将产能集中用在最高级的HBM生产线上，中国芯片商的市场份额将快速扩大。比如CXMT因为1a工艺的高良率，正好可以承接这部分消费级的主流通用内存市场。

然而有分析指出，只有当这些中国厂商生产的DDR5内存价格大幅降低时，才可能对市场产生真正的影响。其生产的内存产品被国际消费品牌贴牌使用时，品牌商的采购成本相比以前向三星、SK海力士等大厂采购时大幅降低，但在终端销售时，零售价大概率会持平于以往。因此，这些中国厂商降低成本产生的利润，主要被品牌商攫取。只有当其价格大幅降低，以至于国内的贴牌内存产品以一半于国际品牌的价格售卖仍能获利时，中国厂商才能通过影响价格敏感型的消费者来影响内存市场的定价。

但在中国厂商难以打入最尖端内存市场的情况下，国际内存巨头的技术护城河将难以打破，再叠加上光刻机巨头ASML受政策影响无法向中国出口EUV（极紫外）光刻机，中国厂商未来一段时间内无法动摇世界级存储巨头的地位。