TradingKey - 美光科技盤前下挫超 2%,逼近1,000 美元,多頭防線能否守住該關卡?
美東時間10月12日,美股市場中的記憶體概念股在盤前時段集體下跌,其中,記憶體巨頭美光 (MU) 股價下跌2.15%,SK海力士 (SKHY) 跌1.98%,閃迪 (SNDK) 下跌1.77%、西部數據 (WDC) 跌1.75%。
以美光科技科技的記憶體概念股這一次下跌,直接催化劑是長鑫存儲(CXMT)下一代 DRAM 技術突破。週末,中國 DRAM 巨頭長鑫存儲正式公佈其在下一代 4F² DRAM 記憶體單元結構上的關鍵進展,並預告將於 2026 年底前推出相關 DDR5 伺服器記憶體(RDIMM)產品。
10月10日,長鑫儲存4F² DRAM架構研發近期取得關鍵進展。該公司總裁曹堪宇博士在第四屆集成晶片和芯粒大會上發表演講,全面介紹了長鑫存儲在DRAM器件、4F²架構及混合鍵合等方向的技術探索與積累,並官宣預計年底將推出融合了上述先進技術的新一代DDR5 RDIMM產品,意味著傳統通用型 DRAM 與伺服器記憶體市場的供給可能會增加,對SK 海力士、美光等傳統記憶體大廠的市佔率與定價權恐造成衝擊。
繼前一交易日失守 1,030 美元關卡後,美光科技股價盤前價格進一步下探,最低跌至1,003美元。1,000 美元 為極致的整數心理防線與斐波那契數列0.5支撐位,若開盤後能於 1,000–1,015 美元區間獲得強勁現貨買盤承接並拉出下影線,將形成極佳的短線止跌訊號。
美光股價圖表,來源:TradingView
然而,如果美光股價失守1000美元大關,將可能快速奔向下一個防線在900美元,而且意味著將打破中長線 AI 記憶體龍頭的波段多頭結構,很大可能會跌至7月低點740美元。