鎧俠聯手晟碟逾310億美元日本擴產，能追得上三星和SK海力士嗎？

TradingKey - 亞太時間 8 月 27 日，鎧俠控股與晟碟（SNDK）聯合宣布，計劃在日本投資超過 5 兆日圓（折合 310 億美元），用於擴建記憶體晶片產能，投資週期為六年。

資金將投向四日市工廠和北上市工廠的基礎設施建設及相關技術升級，以應對 AI 與資料驅動業務成長帶來的記憶體需求。

鎧俠北上新工廠瞄準AI資料中心NAND晶片

作為本次投資的重點，鎧俠計畫在岩手縣北上市基地新建第三座廠房（Fab3），其完整投資預算達 1.8 兆日圓（其中廠房初期建設投資超過 1 兆日圓）。

該計畫將攜手晟碟共同建設，專門用於量產最新的尖端高密度 3D NAND 快閃記憶體晶片，以全力應對 AI 伺服器與雲端資料中心爆發帶來的高階儲存需求。

這項擴產計畫有前期基礎。今年 7 月，鎧俠與晟碟已在北上市工廠 Fab2（K2）啟動了第十代 3D 快閃記憶體的量產。該工廠於 2025 年 9 月完工，此前已量產第八代產品，如今兩代產品並行生產。

K2 工廠的順利量產驗證了北上基地的技術能力與產能效率，為新工廠的建設提供了基礎經驗。兩家公司在 3D 快閃記憶體領域合作已超過 25 年，今年初將合資框架延長至 2034 年 12 月。

記憶體晶片供需失衡，鎧俠擴產追趕三星、SK海力士

鎧俠此次大規模擴產的背景，是全球記憶體晶片市場的結構性供需失衡。資料中心對記憶體與儲存的需求持續擴張，推高了記憶體產品價格，擠壓了下游伺服器廠商和終端設備製造商的利潤空間。

面對此一局面，韓國競爭對手三星電子與 SK 海力士（SKHY）已相繼宣布大規模擴產計劃。

岩井 Cosmo 證券資深分析師 Kazuyoshi Saito 認為，鎧俠此次擴產很可能已與客戶簽訂了有利的長期合約，可為未來成長提供保障，「這是極為積極的訊號」。花旗（C）分析師先前在報告中指出，長期協議能夠平滑 NAND 週期下行的獲利波動。

此外，鎧俠與晟碟將就新廠建設向日本政府申請補助。日本近年來大力扶持本土半導體製造，已向台積電（TSM）、索尼集團 (SONY)、美光科技（MU）等企業提供大規模財政支援。政府補助降低資本支出負擔，印證記憶體晶片製造被日本視為戰略性產業。

在產能佈局上，岩手縣北上市新工廠將聚焦資料中心所需的高階 NAND 晶片生產，而位於三重縣的四日市工廠則繼續聚焦智慧型手機等消費性電子產品所用晶片，形成兩大基地的差異化分工。

資料中心晶片與消費性電子晶片的技術要求不同，分開生產可降低製程切換成本並優化供應鏈管理。

此次擴產面臨哪些風險？

儘管擴產消息提振了市場對鎧俠的信心，該公司仍面臨週期風險。記憶體產業歷史上多次出現「需求高峰期大舉投資、隨後遭遇供給過剩」的輪迴。擴產能否轉化為長期價值，取決於 AI 記憶體需求的持續性以及長期合約的客戶穩定度。

對投資人而言，這份擴產計劃既是成長訊號，也是對產業週期判斷的一次考驗。但記憶體產業歷次擴產週期均伴隨價格波動，這次是否重蹈覆轍尚待觀察。

鎧俠能追上三星和SK海力士嗎？

從目前市場格局來看，鎧俠短期內追上三星與 SK 海力士的難度較大。

據 Counterpoint Research 8 月 12 日發布的 2026 年第二季記憶體市場報告，2026 年第二季，三星以約 25% 的出貨量市占率領先，SK 海力士約 22%，鎧俠約 14%，排名第四。鎧俠與三星的市占率相差約 11 個百分點。

【來源：Counterpoint Research】

不過，鎧俠方面表達了追趕意願。資料中心是 NAND 市場中成長最快的領域，而鎧俠在該領域的市占率落後於韓國對手。這次 310 億美元擴產計畫正是針對這一缺口，北上新工廠專門生產面向 AI 資料中心的高密度 3D 快閃記憶體晶片，與四日市工廠的消費性電子定位形成差異化分工。

但競爭對手並未停下腳步。兩家韓國企業也在同步擴張產能，三星本季已開始量產面向輝達 Vera Rubin 平台的資料中心儲存硬碟，進一步鞏固其在企業級市場的優勢。

綜合來看，鎧俠的擴產是縮小與領先對手市占率差距的必要動作，但短期內實現超越的可能性較低。