三星電子搶攻下一代記憶體新技術，帶動股價大漲4%
來源 Tradingkey
TradingKey - 三星電子公佈新一代記憶體技術，推動其股價反彈約4%。
亞洲時間8月5日，三星電子今早開盤高開高走，一度上漲超4%突破25萬韓元（約175.45 美元），最高升至25.4萬韓元。目前，三星電子股價有所回落，暫報248,500韓元。
三星電子股價圖表，來源：TradingView
三星電子股價今日反彈背後主要由美股半導體狂飆外溢效應、記憶體新技術規格（HBF/HBM4）落地以及AI需求帶動的超級週期續強等利多共同推升。然而，還有一個被市場忽略但非常重要的因素，即三星電子推出新產品和新概念模型。
昨天，三星電子在美國加州聖克拉拉舉行的未來儲存與記憶體大會（FMS）上推出BV-NAND原型產品（V10 Bonding V-NAND）。相比上一代V9 NAND，它具有顯著的優勢，包括提高儲存密度超50%、讀取/寫入以及輸入/輸出效能得到提升等等。
此外，三星還展示業界首款zHBM和zNAND-O架構概念模型。據三星稱，該晶圓鍵合技術可望實現超過傳統HBM5記憶體10倍的儲存密度，同時將能源效率提高3倍，並將熱阻降低一半以上。
免責聲明：僅供參考。 過去的表現並不預示未來的結果。
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