【IPO追蹤】兆易創新(03986.HK)飆漲超18%,半導體全面爆發

來源 財華社

3月16日,港股的兆易創新(03986.HK)大漲18.41%,A股的兆易創新(603986.SH)亦強勢漲停10%。

此外,其他港股芯片股亦強勢,華虹半導體(01347.HK)漲7.39%,地平線機器人-W(09660.HK)、英諾賽科(02577.HK)、中芯國際(00981.HK)均上漲。A股的佰維存儲(688525.SH)、華虹公司(688347.SH)、國科微(300672.SZ)、德明利(001309.SZ)大漲。整個半導體板塊呈現出全線飄紅的火爆態勢。

這波大漲並非偶然,背後是多重利好共振的結果,核心邏輯圍繞存儲芯片漲價、AI需求爆發及半導體全產業鏈高景氣展開,機構觀點也紛紛看好行業長期向好趨勢。

漲價趨勢蔓延,技術突破壁壘

消息面上,半導體產業鏈漲價潮持續蔓延,成為板塊上漲的直接推手。繼存儲芯片、封裝環節漲價後,成熟製程晶圓代工廠聯電、世界先進、力積電等最快4月起將上調報價。此前,德州儀器、恩智浦、英飛凌三大國際芯片設計大廠已宣布4月1日起上調部分產品售價,形成全產業鏈漲價聯動。

與此同時,華虹半導體旗下華力微電子在先進芯片製造技術上取得新突破,推進最新納米級先進製程量產準備,進一步提振市場信心。

存儲芯片熱潮延續,AI是原動力

存儲芯片作為半導體產業的核心環節,其行業趨勢成為本次行情的核心主線。與過往由消費電子驅動的周期不同,本輪存儲周期以AI為核心驅動力,形成獨特的「AI存儲芯片周期」。

市場調查機構CounterPoint Research數據顯示,全球DRAM及NAND閃存價格在農曆新年前後大幅上漲,多款產品環比漲幅超130%,且供應短缺問題至少要到2027年下半年才能得到實質性解決。

AI的爆發式增長正在重構存儲芯片的需求格局。隨著大模型迭代,AI服務器、數據中心對存儲的需求井噴,HBM(高帶寬存儲器)憑藉低功耗、高帶寬的優勢成為核心需求點,TRendforce預測,其在DRAM市場的占比將從2023年的8%提升至2025年的34%。與此同時,國際大廠紛紛將產能向DDR5、HBM等高端高利潤產品傾斜,導致標準型DRAM和NAND供給收縮,供需錯配進一步推動價格上漲。

在此背景下,國內存儲芯片企業迎來發展機遇。目前我國已形成長鑫存儲、長江存儲、兆易創新領銜的國產突圍艦隊,其中兆易創新作為國內NOR Flash領域龍頭,市場份額領先,同時公司在利基型DRAM領域布局完善,受益於行業供給緊縮與AI需求爆發,業績增長確定性較強。中銀國際指出,兆易創新2025年經營持續向好,利基存儲2026年景氣度有望延續,多元化產品布局將進一步打開成長空間。

AI不僅驅動存儲芯片需求,更推動整個半導體行業進入新周期。光大證券表示,半導體行業正全面進入AI驅動的發展階段,生成式AI、代理式AI與物理智能三波浪潮,從消費端、企業端、工業端全方位拉動芯片需求。東海證券也認為,2月半導體行業持續回暖,AI服務器與新能源車需求高速增長,3月供需格局將繼續向好,漲價已從存儲蔓延至功率、模擬等其他半導體領域。

值得注意的是,GTC 2026大會的召開成為板塊另一大催化劑。GF Securities指出,此次大會匯聚了OpenAI、谷歌(GOOGL.US)、微軟(MSFT.US)等科技巨頭,預計英偉達(NVDA.US)將展示第二代共封裝光學(CPO)交換機,不僅利好英偉達,更將帶動整個半導體板塊升溫。同時,全球地緣政治緊張背景下,半導體國產化加速推進,國內企業通過技術升級與產能擴張逐步打破國際壟斷,為行業注入長期增長動能。

免責聲明:僅供參考。 過去的表現並不預示未來的結果。
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