美光、闪迪大反弹！大摩揭秘英伟达减配真相，黄仁勋指记忆体需求热潮可能延续数年

Tradingkey - 上周五，存储股因英伟达削减Vera Rubin机架内存配置的传闻而暴跌。具体内容查看《Market Rumors Nvidia Rubin Platform Plans to Reduce Memory Capacity…》。

市场将英伟达（NVDA）削减Vera Rubin机架的内存容量的新闻，解读为对内存需求的下滑。导致美光当日暴跌13.25%，闪迪跌11.39%，创去年中美关税战以来最大单日跌幅。

而摩根士丹利最新研报反驳了这个看空观点，成为今日存储股反攻的最大利好。截至发稿，美光科技（MU）涨 9.11%，闪迪（SNDK）涨 6.11%，希捷科技（STX）涨 4.14%，西部数据（WDC）涨 3.39%。

摩根士丹利表示，英伟达削减Vera Rubin机架内存配置的情况确实存在，但强调这一调整完全是供应端约束所致，而非需求疲软，市场对此事件的解读方向完全相反。

该机构表示，此次调整的唯一目的是将DRAM短缺对GPU机架销售的冲击降至最低，而这正是真实短缺存在的证据。英伟达及云计算客户愿意购买能够获得的每一GB SOCAMM内存，一旦供应跟上，将立即恢复至更高配置。

从规模影响来看，假设明年建造5.3万至7万个机架，在55TB的配置下，这些机架产生的SOCAMM需求将接近全球DRAM总需求的5%。如果配置全面减半，最极端的情况下将减少约140万TB的需求，相当于620万TB整体市场规模的2%以上，并且受到影响的是市场中价值更高的细分领域。大摩料更高容量的配置将在出货开始后不久恢复供应。

市场规模方面，摩根大通预计，2026至2028年全球记忆体市场规模将大幅上修，2028年有望达到1.7万亿美元（DRAM达1.237万亿美元，NAND达4545亿美元）。

Trendforce分析师同样指出，随著HBM技术代际在2027年持续演进，芯片尺寸扩大与需求同步上升，对传统DRAM产能的挤出效应预计将进一步加剧。这将为供应商提供上调HBM价格的理由，并强化其在明年HBM谈判中的定价权。

此外，在市场恐慌中，英伟达（英伟达）CEO黄仁勋释放利好信息：目前仍看不到记忆体缺货循环终点，整体供应链持续供不应求，需求热潮可能延续数年。

今日，英伟达与SK海力士宣布建立多年期技术合作伙伴关系，双方将围绕全球AI工厂建设所需的下一代内存展开联合研发。

根据协议，SK海力士将为英伟达的Vera Rubin AI超级计算机、Vera CPU、RTX Spark PC及Jetson Thor机器人计算平台开发专用内存。