HBM5散热对决：三星HPB vs SK海力士iHBM，美光加速追赶

TradingKey - 三星电子周二在Computex 2026上首次展示第八代高带宽存储器HBM5原型，并宣布已向客户交付12层HBM4E样品。SK海力士则在COMPUTEX大会前夕发布差异化散热技术“iHBM”，预计2029-2030年量产HBM5。美光科技（MU）亦在加速追赶。这场竞争正从拼速度变成拼散热和封装能力，而英伟达（NVDA）作为最大客户，它的选择至关重要。

三星电子：HPB“烟囱”散热，2028年量产

三星在展台实物展示了HBM5原型。公司首席技术官宋载赫对路透表示：“随着AI系统日趋复杂，集存储、代工与封装于一体的全栈能力才是决胜关键。” 

HBM5将采用三星2纳米工艺制造基础芯片，并引入HPB热管理技术——一种嵌入芯片内部的铜基导热结构，可开辟独立热传导通道，大幅降低热阻，他形象地称之为“烟囱”。

三星规划HBM5提供12层、16层及20层堆叠，目标2028年左右实现量产。

SK海力士：抢先发布iHBM，热阻降低30%

5月26日，就在Computex开幕前一周，SK海力士抢先发布名为“iHBM”的控温散热技术，明确将用于HBM5。

该技术直接在发热最集中的D2D PHY区域嵌入一体化冷却元件“ICE”，构建专用排热通道，相比传统方案热阻降低30%以上，同时沿用成熟的MR-MUF封装工艺，确保与客户现有系统兼容。

SK海力士封装开发负责人李康旭副社长表示：“iHBM结合存储器设计与先进封装技术，是实现产品最低发热的最优方案”。不过，据业内分析，SK海力士HBM5量产时间定在2029年至2030年左右，比三星晚约一年。

SK集团会长崔泰源在展会期间表示，计划未来五年将晶圆产能翻倍，并重申“AI带来的存储芯片短缺将持续到2030年”。

美光加速追赶，展示AI存储全产品线

美光科技此次在Computex上展示了完整的 AI 优化内存与存储解决方案组合，覆盖HBM4、LPDDR、DDR、GDDR及企业级SSD等多个产品线。

公司执行副总裁Sumit Sadana表示：“系统性能现在更多地由内存带宽和内存容量驱动，半导体生态系统的这一结构性转变，使内存和存储成为不可或缺的战略资产”。

值得关注的是，美光已宣布2026年全部HBM产能全部售罄，并将HBM市场规模预期上调至2028年达1000亿美元，比此前预测提前了两年。

在2026年3月的GTC大会上，美光也已确认开始批量出货面向英伟达Vera Rubin平台设计的HBM4 36GB 12层堆叠产品。

截至目前，HBM最大采购方英伟达尚未对三星HPB与SK海力士iHBM两条散热方案公开置评。据消息人士透露，英伟达正在同时验证两家技术，最终选择将取决于量产良率与系统集成效率。

整体来看，散热和封装良率已成为HBM竞争的核心瓶颈，谁能在堆叠层数和热管理上率先突破，谁就能赢得下一代AI订单。