三星获英伟达首肯！HBM3E芯片通过认证 大涨5%创一年多新高

TradingKey - 据韩媒报道，三星电子的第五代12层HBM3E高带宽存储在经历18个月的失败后，终于通过英伟达的品质认证测试，标志着该公司恢复了在半导体行业的竞争力。该消息带动三星韩股（005930.KS）在周一早盘大涨5%，创下一年多以来的新高。

消息人士表示，因为三星是继SK海力士和美光之后第三家获英伟达认证的供应商，预计其对英伟达的芯片供应量较小，但本次通过认证仍有重要意义，有望消除市场对三星芯片过去存在的发热等技术问题的争议。另外，三星的HBM3E也通过了AMD MI350的测试，并可与英伟达的新B300 Blackwell Ultra GPU搭配使用。

不过，目前高带宽存储的技术竞争已转移到第六代的HBM4了。英伟达计划在明年上市的下一代图形架构Vera Rubin架构上首次使用这种芯片。

英伟达要求供应商生产的HBM4运行速度将达到10Gbps，超过8Gbps的行业标准。目前，SK海力士已宣布达到10Gbps速度，而据知情人士透露，三星已超过SK海力士达到11Gbps，美光则还难以满足此要求。SK海力士是目前美国AI芯片设计商HBM芯片的主要供应商。

三星计划本月向英伟达大量出货HBM4样品以尽早获得资格认证。该公司今年早些时候与英伟达、博通、谷歌等主要的AI芯片制造商就供应HBM4芯片进行了谈判 ，表示最早可能在2026年上半年开始向客户大量供应HBM4芯片。

分析认为，若HBM4能通过英伟达品质认证测试，三星有望夺回AI计算核心内存领域的市场份额，届时SK海力士、三星与美光之间的竞争将加剧。

本月早些时候，SK海力士表示已完成全球首款HBM4的开发，并准备开始量产。该公司韩股（000660.KS）近一个月来已上涨40%。