長鑫存儲4F²技術取得進展：它對三星、SK海力士和鎧俠的市場威脅有多大？

TradingKey - 長鑫存儲 (CXMT) 近日揭露 4F² DRAM 架構進展，並計劃於 2026 年底推出相關 DDR5 RDIMM 伺服器記憶體。

公司正進一步拓展伺服器記憶體市場，但產品能否按期量產，仍取決於良率、效能測試和客戶認證。

消息公布後，日韓相關記憶體股集體承壓，10 月 13 日亞盤交易時段，截至午盤收盤，鎧俠跌逾 12%，SK 海力士重挫逾 9%，三星跌逾 8%，市場開始重新評估長鑫對全球 DRAM 競爭格局的影響。

【來源：TradingView】

長鑫存儲4F²技術能否改變DRAM競爭？

目前主流 DRAM 多採用 6F² 記憶體單元結構。4F² 透過縮小單一記憶體單元占用的面積，提高單位晶圓的儲存密度，理論上有助於降低單位容量成本。

長鑫存儲披露，其 4F² 方案結合垂直通道電晶體和混合鍵合技術，計劃首先用於伺服器 DDR5 RDIMM。相關產品目前仍處於推出前階段，尚未公布具體規格、量產規模及客戶名單。

伺服器記憶體對穩定性、功耗、可靠性和長期供貨能力要求較高。長鑫要將 4F² 技術轉化為商業產品，還需要完成試產、良率提升、模組測試和客戶認證。因此，現階段不能僅憑技術藍圖判斷其對產業競爭格局的實際影響。

據 Counterpoint 估算，2026 年第二季，三星電子在全球 DRAM 市場的市占率約為 38%，排名第一；SK 海力士約為 25%，排名第二；長鑫存儲約為 10%。

而鎧俠主營 NAND 快閃記憶體和固態硬碟，並非 DRAM 主要供應商。據 TrendForce 數據顯示，2026 年第二季，鎧俠 NAND 營收約 107.2 億美元，營收市占率約 13.6%，排名第四。

三星和SK海力士：短期影響集中在傳統DRAM

如果長鑫完成 DDR5 伺服器記憶體認證並擴大出貨，競爭影響可能首先體現在中國市場的供應選擇與價格談判。若其產品進一步通過海外伺服器客戶認證，三星與 SK 海力士才可能面臨更明顯的訂單與價格壓力。

按照目前公布的產品計劃，長鑫 4F² 技術主要面向 DDR5 DRAM，對三星與 SK 海力士 HBM 業務的直接影響有限。三星已宣布 HBM4 開始量產並向客戶出貨，後續業績仍取決於 HBM 出貨規模、客戶採用情況與產品價格。

長鑫能否進入全球伺服器供應鏈，還取決於產品驗證、供貨穩定性、量產良率及相關貿易政策。現階段，長鑫更適合被視為傳統 DRAM 市場的潛在競爭者，尚不能視為三星與 SK 海力士高階 HBM 產品的直接替代者。

鎧俠：影響主要來自伺服器儲存預算

長鑫目前的產品計劃集中在 DRAM，暫不直接競爭鎧俠的 NAND 快閃記憶體和企業級 SSD。即使長鑫擴大 DDR5 伺服器記憶體供應，目前也沒有證據表明會直接導致鎧俠 NAND 或 SSD 訂單減少。

潛在影響主要體現在伺服器硬體採購結構和供應商議價上。若 DRAM 價格、供應量或採購佔比發生變化，雲端服務商可能調整伺服器預算，但企業級 SSD 需求不一定因此下降。

如果 DRAM 成本降低，節省的預算也可能用於擴大儲存容量，或採購其他資料中心設備。鎧俠後續表現仍主要取決於 NAND 價格、企業級 SSD 訂單、產品結構及資料中心投資。

長鑫存儲的威脅有多大？

長鑫 4F² 技術進展提高了 DRAM 市場的競爭預期，但目前尚不足以證明三星與 SK 海力士的高階 HBM 業務將受到明顯衝擊。

長鑫的實際影響，仍取決於四項進展：產品能否按期推出、量產良率能否達標、伺服器客戶認證能否完成，以及出貨規模能否持續擴大。

依據目前的產品定位，長鑫若實現穩定量產，影響可能先體現在中國 DDR5 市場，並透過價格談判與供應選擇增加區域競爭壓力。只有在獲得更多海外伺服器客戶認證並擴大供貨後，競爭影響才可能進一步延伸至全球市場。

如果量產、認證或出貨進度低於預期，市場影響仍主要停留在預期層面。三星與 SK 海力士需要關注傳統 DRAM 價格、訂單與市占率變化；鎧俠與長鑫不存在直接產品競爭，後續重點仍是 NAND 價格、企業級 SSD 訂單與資料中心投資。