籌資百億美元擴產能，SK海力士能靠赴美上市打破記憶體產業格局嗎

TradingKey - AI 浪潮催動的記憶體晶片需求爆發，正推動領先廠商加速全球佈局與資本運作。

南韓記憶體巨頭 SK 海力士正計劃透過發行美國存託憑證（ADR）赴美上市，擬募集 10 兆至 15 兆韓元（約合 67 至 100 億美元）資金，這筆資金將主要投向 AI 相關基礎設施建設與產能擴張，以鞏固其在高頻寬記憶體（HBM）領域的領先地位。

根據業界消息，SK 海力士計劃透過增發新股推進 ADR 上市，募集資金的核心投向十分明確。一方面將用於擴大 HBM 產能，強化與輝達（NVDA）等 AI 算力巨頭的供應鏈綁定，另一方面則會助力南韓龍仁半導體聚落的建設，搭建下一代 AI 半導體的研發與製造基地。

SK 海力士發言人對外回應稱，公司正評估包括 ADR 上市在內的多項提升股東價值的方案，但目前尚未有最終定論。

資本佈局與估值重塑

作為全球 HBM 市場佔有率達 57% 的行業龍頭，SK 海力士過去一年股價漲幅超 360%，成為南韓綜合股價指數（Kospi）上漲的核心推動力。

但在估值層面，SK 海力士與美國同行仍存在顯著差距——目前其本益比僅約 5.7 倍，而美光科技（MU）的本益比則達到 12.1 倍。市場分析認為，赴美上市將幫助 SK 海力士直接對接全球科技股定價中心，引入更多美國機構投資者，有望縮小這一估值差。

尤金資產管理公司投資長河碩根指出，一旦美國資本能透過 ADR 直接參與 AI 基礎設施投資，SK 海力士在 HBM 領域的技術壁壘優勢，將更充分地反映在其估值溢價中。

除了估值重塑，赴美上市還能為 SK 海力士帶來長期資本流動性支持。若成功納入費城半導體指數等全球核心科技指數，海量被動投資基金與 ETF 的流入將為其股價提供穩定支撐。

這一路徑已被台積電（TSM）驗證，台積電透過 ADR 赴美上市後，吸引了大量海外資本，其美股與台股的估值差曾一度超過 30%。

SK 海力士此次擬發行的新股規模約佔總股本的 2.4%，與今年年初註銷的 1530 萬股庫藏股數量大致相當，這一安排也被視為公司優化股權結構、提升股東價值的配套措施。

值得注意的是，SK 海力士的美國佈局早已超出資本層面。公司已計劃斥資 100 億美元在美國成立獨立 AI 法人實體，並重組加州子公司 Solidigm，將其打造為全球 AI 戰略研發中心。

同時，印第安納州的先進封裝工廠也在加速建設。從資本融資到技術研發再到製造落地，SK 海力士正在美國構建起一套完整的 AI 供應鏈生態閉環，以應對全球半導體產業鏈的格局變化與 AI 技術的快速迭代。

SK 集團會長崔泰源此前在 NVIDIA GTC 2026 大會上明確表示，赴美上市是公司全球化戰略的關鍵一步，將助力其吸引全球資本關注，提升國際品牌影響力。

目前，SK 海力士已向多家投資銀行發出招標邀請，篩選上市承銷商。若此次交易最終落地，將成為近年來外國企業赴美上市的最大規模案例之一，也將進一步凸顯 AI 賽道全球資本競爭的激烈程度。

斥資80億美元採購EUV

在推進資本運作的同時，SK海力士也在技術與產能層面加大投入，週二宣布將斥資約 11.95 兆韓元（約合 79.7 億美元）向荷蘭微影設備廠商 ASML 採購極紫外（EUV）微影機，這筆投資規模相當於公司 2024 年底總資產的近 10%，是其為爭奪 AI 記憶體主導權推進的最大規模設備採購之一。

根據公告，這筆訂單的執行週期約為兩年，涵蓋設備採購、安裝及升級服務，預計 2027 年 12 月全部完成。

SK海力士表示，採購的 EUV 設備將主要用於滿足 HBM（高頻寬記憶體）等 AI 核心儲存產品的產能需求，同時支撐通用 DRAM 的擴產計劃，而這一動作也將直接助力公司加速推進第六代（1c）DRAM 製程的落地。

當前儲存行業的製程競賽已進入白熱化階段，三星已率先在 HBM4 產品中應用 1c 製程，這對 SK海力士構成直接競爭壓力。

除了設備採購，SK海力士的產能擴張步伐也在加速，清州 M15X 晶圓廠第二潔淨室提前兩個月啟動設備安裝，兩座潔淨室已進入全面營運準備階段，將依托該工廠滿足下一代 HBM 需求，直至 2027 年龍仁半導體園區首座晶圓廠投產。

SK海力士在 EUV 領域佈局已具規模，是全球首家將 High-NA EUV 技術引入儲存晶片量產的製造商——目前已在利川 M16 工廠部署該技術生產記憶體晶片。

公司計劃到 2027 年再引進約 20 台 EUV 設備，屆時其 EUV 機隊規模將較當前翻倍，總投入預計超 6 兆韓元，彰顯其在下一代記憶體製造競爭中押下重注的戰略決心。