黄仁勋点名致谢！三星是否成为英伟达GTC最大赢家？

TradingKey - 在英伟达GTC 2026大会上，三星电子与英伟达（NVDA）的深度合作成为行业焦点。

双方不仅在芯片代工领域实现突破，更在存储技术、系统架构等多维度展开协同，共同推动AI推理时代的产业变革，这一合作也推动三星电子韩股股价在消息公布后的周二交易日内涨幅超过4%。

英伟达首启三星代工LPX芯片

英伟达在本次大会上正式推出基于Groq技术的LPX推理机架，这一产品采用"分解式推理"架构，将AI推理过程分为预填充和令牌生成两个阶段，分别由Rubin GPU和Groq LPU芯片负责处理。

其中，Groq的核心产品LP30芯片由三星电子代工生产，这是英伟达首次将服务器芯片订单交给台积电（TSM）以外的厂商。

黄仁勋在主题演讲中特别致谢三星："感谢三星全力以赴生产Groq 3 LPU芯片，他们的产能扩张速度超出预期"，公开确认了双方在代工领域的深度合作。

从硬件配置来看，单个LPX机架可容纳256个LP30芯片，而一个Vera Rubin NVL72系统对应一个LPX机架（GPU与LPU比例为72:256）。

根据市场需求预测，若全球部署10万个LPX机架，三星代工业务有望创造近100亿美元的收入。与台积电为单个Rubin GPU提供的1000-2000美元代工服务相比，三星通过LPX芯片制造以及配套的HBM和DRAM供应，总业务价值可达台积电的3-4倍。

HBM4E的性能飞跃

三星电子当天还在 GTC 展会现场的展位上，首次公开展出下一代高带宽存储器HBM4E的实物芯片与核心晶圆，全方位展示其与英伟达在AI存储领域的深度协同。

三星存储事业部负责人表示，将依托HBM4量产积累的第六代10nm级DRAM工艺，以及4纳米基片设计能力，加速HBM4E的商业化落地，预计今年下半年向全球客户提供样品。

在本次大会上，三星是唯一一家公开展示下一代HBM产品的存储厂商，此举被视为在AI内存赛道拉开与SK海力士、美光等竞争对手的技术差距。

除了HBM4E，三星还展出了混合铜键合（HCB）技术。与传统的热压键合（TCB）相比，HCB技术可将热阻降低20%，并支持16层以上的芯片堆叠，为下一代HBM产品的性能提升奠定了基础。

三星强调，强大的AI系统是推动行业创新的关键，三星将持续为英伟达Vera Rubin平台提供高性能内存解决方案。

在展台上，三星特设"NVIDIA画廊"，集中展示双方在存储领域的合作成果，包括HBM4、SOCAMM2服务器内存模块以及PM1763 SSD等产品。

其中，SOCAMM2是业内首款量产的低功耗服务器内存模块，兼具高带宽和灵活的系统集成能力；PM1763 SSD采用PCIe 6.0接口，能够为AI应用提供高速数据传输和大容量存储支持。

三星全场景AI计算布局

与此同时，三星还在本次大会上展示了全面的AI计算领域的布局，覆盖从端侧设备到数据中心的各个场景。

针对个人设备场景，三星展出了为NVIDIA DGX Spark配备的PM9E3和PM9E1 NAND产品，以及面向高端智能手机、平板电脑的LPDDR5X和LPDDR6 DRAM解决方案。其中，LPDDR6将带宽提升至每引脚30-35Gbps，并引入自适应电压调节和动态刷新控制功能，为下一代端侧AI工作负载提供性能支持。

在数据中心领域，三星的PM1753 SSD作为NVIDIA Vera Rubin平台加速存储基础设施参考架构的一部分，能够提升推理工作负载的能效和系统性能。

此外，三星还展示了与英伟达在AI工厂开发方面的合作成果，双方计划引入NVIDIA加速计算技术，扩展三星的AI工厂规模，并加速基于NVIDIA Omniverse库的制造数字孪生落地。

随着AI市场的快速增长，三星与英伟达的深度合作有望为其带来持续的业务增长和技术创新动力。