El avance de CXMT en una nueva arquitectura DRAM despierta preocupación en el mercado mientras Elon Musk afirma que la fabricación a escala de China podría reconfigurar el panorama de las DRAM

TradingKey - Crece la preocupación en el mercado ante los avances del fabricante chino de DRAM ChangXin Memory Technologies (CXMT) en arquitecturas de memoria de mayor densidad, a medida que los inversores comienzan a reevaluar el impacto potencial de los fabricantes chinos en la oferta, los precios y la cuota de mercado de las memorias DRAM convencionales.

El fundador de Tesla (TSLA) y SpaceX (SPCX), Elon Musk, afirmó en la plataforma social X que, una vez que China domina el proceso de fabricación de un producto, su capacidad de escalado supera con creces a la del resto del mundo. Citando como ejemplos las baterías de iones de litio y los productos solares, señaló que China cuenta con una clara ventaja en escala de fabricación; SpaceX es una rara excepción, ya que Estados Unidos todavía supera con creces al resto del mundo en masa de carga útil enviada a órbita para lanzamientos de cohetes.

Musk señaló además que los chips de memoria podrían seguir una trayectoria similar. Destacó que, hace solo unos años, la memoria RAM todavía se consideraba un producto básico de bajo margen, y que el diseño estandarizado de productos como LP5 y LP6 favorece de forma natural la producción a gran escala entre distintos fabricantes. Si los fabricantes chinos logran resolver rápidamente los desafíos de fabricación y rendimiento de producción, el panorama competitivo del mercado de RAM tradicional podría experimentar cambios aún mayores.

Estos comentarios se producen mientras ChangXin Memory Technologies (CXMT) acelera el desarrollo de su arquitectura DRAM de próxima generación. La empresa ha declarado que prevé lanzar productos DDR5 RDIMM de próxima generación con arquitectura 4F² para finales de 2026. En comparación con la arquitectura actual dominante de 66F², la tecnología 4F² reduce el área de la celda de una unidad de almacenamiento de memoria individual, lo que en teoría ayuda a integrar más unidades de almacenamiento en una sola oblea.

[Fuente: X]

Para los fabricantes de DRAM, el valor fundamental de esta tecnología radica no solo en aumentar la capacidad, sino también en mejorar las estructuras de costes. Si CXMT logra mantener rendimientos estables durante la producción a gran escala, se prevé que la producción efectiva de bits por oblea aumente, lo que reducirá los costes de fabricación por bit. Esto podría otorgar a la empresa una mayor flexibilidad en la competencia de precios o mejorar sus márgenes de beneficio al mismo precio de venta.

Sin embargo, las observaciones de Musk también reflejan que el mercado está diferenciando entre distintos tipos de productos de memoria. Considera que la memoria RAM tradicional cuenta con un mayor grado de estandarización, donde las capacidades de fabricación y la expansión de capacidad pueden ser clave en la competencia. En cambio, las memorias HBM de próxima generación, así como las arquitecturas con SRAM situada bajo circuitos lógicos o el apilamiento 3D de memoria sobre chips lógicos, siguen enfrentando mayores desafíos de integración y gestión térmica.