长鑫存储推进DRAM新架构引市场忧虑，Elon Musk指中国规模化制造能力或重塑DRAM格局

Tradingkey - 市场对中国DRAM制造商长鑫存储推进更高密度记忆体架构的忧虑升温，投资者开始重新评估中国厂商对传统DRAM供应、价格与市场份额的潜在影响。

特斯拉（TSLA）及SpaceX（SPCX）创始人马斯克（Elon Musk）在社交平台X表示，当中国掌握一项产品的制造方法后，其规模化能力远超全球其他地区。他以锂电池与太阳能产品为例，认为中国在制造规模化方面具备明显优势；SpaceX则是少数例外，因为美国在火箭发射领域的入轨质量仍远高于全球其他地区。

马斯克进一步指出，记忆体可能也会沿着类似路径发展。他认为，RAM在几年前仍被视为低毛利的大宗商品，而LP5、LP6等标准化产品的设计，本身就有利于不同厂商之间进行大规模生产。如果中国厂商能快速解决制造与良率问题，传统RAM市场的竞争格局可能出现更大变化。

这番言论发布之际，长鑫存储正加速推进新一代DRAM架构。公司已表示，预计于2026年底推出采用4F²架构的新一代DDR5 RDIMM产品。相较于目前主流的66F²架构，4F²可缩小单一记忆体储存单元的面积，理论上有助于在同一片晶圆上配置更多储存单元。

【来源：X】

对DRAM制造商而言，这项技术的核心价值并不只在于提高容量，也在于改善成本结构。如果长鑫存储能够在量产中维持稳定良率，单片晶圆的有效位元产出便有望增加，进而降低每个位元的制造成本。这可能让公司在价格竞争中取得更大弹性，或在相同售价下改善利润率。

不过，马斯克的发言也反映出市场正在区分不同类型的记忆体产品。他认为，传统RAM的标准化程度较高，制造能力与产能扩张可能是竞争关键；但新一代HBM，以及逻辑电路下方配置SRAM、将记忆体三维堆叠于逻辑晶片上方等架构，仍面临更高的整合与散热难题。