中国长鑫存储披露下一代DRAM技术进展，三星、SK海力士盘中跌超4%

TradingKey - 10月12日，韩国存储芯片股盘中明显走低。截至发稿前，三星电子（005930.KS）一度下跌约4.2%，报252500韩元；SK海力士（000660.KS）一度下跌约4.01%，报1624000韩元。中国DRAM厂商长鑫存储（CXMT）公布下一代存储技术研发进展，进一步增加市场对全球DRAM行业竞争加剧的关注。

三星电子股价日线图，来源：TradingView

长鑫存储表示，公司在下一代4F² DRAM存储单元结构研发方面取得关键进展。与目前主流商业DRAM采用的6F²结构相比，4F²设计能够在单位芯片面积内集成更多存储单元，在提高存储密度的同时改善能效。CXMT采用自主研发的垂直环绕栅极（Vertical Surrounding Gate）晶体管架构，以缩小单个存储单元面积并减少漏电。

CXMT总裁曹坎宇表示，公司计划在2026年底前推出基于相关技术的新一代DDR5 RDIMM服务器内存产品。目前三星和SK海力士同样正在开发4F²技术，其中SK海力士此前已公布相关研发路线图，三星则据报计划在2028年前实现采用该结构的10纳米以下DRAM量产。

CXMT近年来在全球DRAM市场的份额快速提升。Counterpoint数据显示，2026年第二季度CXMT全球DRAM营收份额升至10%，较去年同期的4%明显增长；同期三星约占38%，SK海力士约占25%，美光（MU）约占24%。

不过，CXMT尚未公布新一代产品的完整技术参数和具体量产时间，因此此次研发突破能否转化为服务器市场的大规模商业订单仍有待观察。短期来看，CXMT市场份额持续扩大及先进DRAM技术推进，使投资者重新评估三星、SK海力士等传统存储厂商未来面临的竞争压力。