台积电部分CoWoS良率突破98% ，2029年瞄准14倍光罩尺寸

TradingKey - 8月11日，台积电在OCP APAC峰会上披露，其5.5倍光罩尺寸CoWoS先进封装方案已进入量产阶段。该方案最多可容纳12个HBM4堆栈，目前已在多家AI客户产品上完成验证，部分AI芯片良率稳定超过98%，个别甚至达到99%。

CoWoS良率突破的消息发布后，台积电股价延续涨势。8月12日美股交易中，台积电ADR（TSM）收报429.15美元，较前一交易日上涨1.68%，盘中最高触及433.28美元。

【来源：TradingView】

台积电先进封装技术暨服务副总经理何军表示，过去三年公司CoWoS产能几乎保持每年翻倍的扩张速度，目前台积电已拥有10座先进封装厂。机构投资者预估，台积电于2026年底CoWoS月产能有望达到14万片，2027年进一步增至22万片。

除了扩大产能，台积电也在持续推进更大尺寸的先进封装。何军透露，公司目标是在2029年进一步将封装尺寸提升至14倍光罩规格，届时单个封装最多可容纳10颗大型计算芯片和20个HBM堆栈。

不过，封装尺寸不断扩大，也让制造难度同步上升。随着逻辑芯片、HBM、中介层和基板被集成到更大的封装中，不同材料之间的热膨胀差异、机械应力以及散热问题都会变得更加突出。封装规模越大，任何一个局部缺陷都可能影响整个AI系统的稳定运行。

何军因此指出，对于高密度AI数据中心而言，仅仅依靠单个元件达到高可靠性标准已经不够。为了将整体故障率控制在可接受范围内，部分封装元件的可靠性甚至需要达到高于车规级的水平。这也意味着，下一代AI芯片的竞争已经不再局限于制程节点本身，而是逐渐转向芯片、HBM、先进封装、散热以及系统之间的协同优化。