港股天嶽先進飙漲13.5%，創上市以來新高

1月16日，港股的天嶽先進（02631.HK）大漲13.5%，創上市以來的新高，與此同時，A股的天嶽先進（688234.SH）漲停20%。

市場分析指出，公司漲勢受半導體板塊情緒催化。消息面，台積電（TSM.US）最新公佈2025年四季度財報，單季度營收首次突破10460.9億新台幣，且2026年資本支出計劃最高將達560億美元，創下該公司歷史新高。台積電創紀錄的資本支出計劃刺激全球半導體板塊情緒，帶動不少芯片股大漲。

碳化矽的AI機遇

不過，天嶽先進大漲背後更深層的邏輯則在於，碳化矽（SiC）材料在AI與先進封裝領域迎來結構性機遇。

資料顯示，天嶽先進是全球碳化矽襯底領軍企業，市佔率靠前。近年來，碳化矽以其優異的禁帶寬度、擊穿電場和熱導率等特性，正在被AI科技巨頭們瘋狂追捧。

據悉，英偉達（NVDA.US）計劃在2027年前將下一代Rubin GPU的先進封裝中介層材料從矽替換為碳化矽。這一技術路線的轉變，意味著碳化矽的應用正從傳統的新能源領域，向更高端的AI算力芯片領域拓展。

與此同時，台積電也已聯合設備商研發相關制造技術，計劃將12英寸單晶碳化矽應用於散熱載板，取代傳統的氧化鋁、藍寶石基板或陶瓷基板。

鑒於台積電和英偉達的深度綁定關系，未來隨著算力芯片和數據中心加速上量，AI領域對於碳化矽的需求有望迎來爆發，碳化矽被推上「主角」位置，其長期景氣度無虞。

天嶽先進具備先發優勢，機構看好長期成長

天嶽先進是全球少數能提供12英寸碳化矽襯底樣品的企業之一，其不少客戶已進入英偉達供應鏈，在AI賽道佔據先機。

有分析指出，當前天嶽先進正站在AI算力的產業風口。公司憑借在大尺寸襯底的技術領跑與頭部客戶綁定優勢，或有望直接成為這一產業變革的直接受益者。

不少券商機構對後市較為樂觀。華鑫證券此前指，SiC材料滿足AI芯片性能需求，終端AI大客戶引領中介層材料升級。華西證券研報指出，如CoWoS未來將Interposer替換為SiC，且如按CoWoS 2028年後35%復合增長率和70%替換SiC來推演，則2030年對應需要超230萬片12吋SiC襯底，等效約為920萬片6吋，遠超當前產能供給。而中國大陸SiC具備投資規模、生產成本、下游支持的三大優勢，未來有望重點受益。

浙商證券研報指出，天嶽先進積極拓展碳化矽在新興領域的應用，打開長期增長空間。1）AIDC：隨著AI算力需求爆發，數據中心能耗問題凸顯。碳化矽功率器件可顯著提升服務器電源效率，在英偉達等巨頭推動數據中心向800V高壓架構演進的趨勢下，碳化矽有望成為關鍵材料。2）先進封裝：單晶SiC的熱導率比矽高出2-3倍，是中介層的理想材料，這一特性有望為CoWoS封裝提供新的散熱解決方案。