หุ้นกลุ่มหน่วยความจำถูกเทขาย ขณะที่ซานดิสก์ร่วงลง 7%; CXMT เปิดตัวสถาปัตยกรรม DRAM เจเนอเรชันใหม่, แต่มอร์นิ่งสตาร์ระบุว่าการพัฒนาสู่เชิงพาณิชย์ยังคงเผชิญอุปสรรคสำคัญ

TradingKey - เมื่อวันที่ 12 ตุลาคม ตามเวลาฝั่งตะวันออกของสหรัฐฯ หุ้นกลุ่มหน่วยความจำร่วงลงถ้วนหน้า เนื่องจากตลาดมีความกังวลเพิ่มขึ้นเกี่ยวกับสถาปัตยกรรม DRAM ยุคใหม่ที่เปิดตัวโดยชางซิน เมมโมรี เทคโนโลยี (ChangXin Memory Technologies หรือ CXMT) ผู้ผลิต DRAM ของจีน รวมถึงแผนการที่จะเปิดตัวผลิตภัณฑ์หน่วยความจำสำหรับเซิร์ฟเวอร์ที่เกี่ยวข้องภายในสิ้นปีนี้ ซึ่งเพิ่มความวิตกเกี่ยวกับการแข่งขันที่รุนแรงขึ้นในตลาดหน่วยความจำเซิร์ฟเวอร์ในอนาคต

ข้อมูลจากบริษัทวิจัยตลาด Counterpoint ซึ่งอิงตามรายได้ของผู้จัดจำหน่าย DRAM ทั่วโลก ระบุว่า ชางซิน เทคโนโลยี ครองส่วนแบ่งตลาด 7% ในไตรมาสที่สองของปี 2026 โดยรั้งอันดับสี่ของโลก หากเทคโนโลยีดังกล่าวประสบความสำเร็จในการนำมาใช้ในเชิงพาณิชย์ คาดว่าชางซินจะสามารถลดต้นทุนหน่วยความจำต่อหน่วยลงได้ ซึ่งจะส่งผลให้เกิดแรงกดดันต่อส่วนแบ่งตลาดและอัตรากำไรของผู้จัดจำหน่ายรายเดิม

ณ เวลาที่รายงานข่าว กองทุน Roundhill Memory ETF (DRAM) ร่วงลง 4.61%, แซนดิสก์ (SNDK) ร่วงลง 7.12%, เอสเคไฮนิกซ์ (SKHY) ร่วงลง 4.20%, ไมครอน เทคโนโลยี (MU) ร่วงลง 4.70%, ซีเกท เทคโนโลยี (STX) ร่วงลง 3.18% และเวสเทิร์น ดิจิตอล (WDC) ร่วงลง 2.44%

ราคาหุ้น DRAM ETF, ที่มา: TradingView

กานยวี่ เฉา (Kanyu Cao) ประธานชางซิน เมมโมรี เทคโนโลยี กล่าวเมื่อวันที่ 10 ตุลาคมว่า บริษัทคาดว่าจะเปิดตัวผลิตภัณฑ์ DDR5 RDIMM ยุคใหม่ที่ใช้สถาปัตยกรรม 4F² ภายในสิ้นปีนี้ ความสำคัญเชิงพาณิชย์ของความก้าวหน้านี้สะท้อนให้เห็นเป็นหลักในขนาดพื้นที่ของเซลล์หน่วยความจำ ปัจจุบัน DRAM กระแสหลักใช้สถาปัตยกรรม 6F² โดยที่ F แทนขนาดฟีเจอร์ขั้นต่ำในกระบวนการผลิต ภายใต้ค่า F เท่ากัน การเปลี่ยนจาก 6F² เป็น 4F² สามารถลดพื้นที่ของเซลล์หน่วยความจำเดี่ยวลงได้ประมาณหนึ่งในสามในทางทฤษฎี จิ้ง เจี๋ย อวี้ (Jing Jie Yu) นักวิเคราะห์จาก Morningstar ยังสังเกตด้วยว่า โครงสร้างใหม่ที่ประกาศโดยชางซินนั้นช่วยลดพื้นที่เซลล์หน่วยความจำลงได้ประมาณ 30%

สำหรับผู้ผลิต DRAM พื้นที่เซลล์หน่วยความจำที่ลดลงคาดว่าจะช่วยเพิ่มผลผลิตหน่วยความจำต่อแผ่นเวเฟอร์ หากอัตราผลตอบแทนจากการผลิตเชิงปริมาณสามารถรักษาความเสถียรไว้ได้ และต้นทุนกระบวนการผลิตที่เพิ่มขึ้นไม่ได้หักลบกับผลประโยชน์ที่ได้จากความหนาแน่นที่เพิ่มขึ้น คาดว่าต้นทุนต่อบิตจะลดลง ส่งผลให้ชางซินอาจมีความยืดหยุ่นในการกำหนดราคามากขึ้น หรือสามารถเพิ่มอัตรากำไรได้ที่ระดับราคาขายเท่าเดิม

นวัตกรรมสำคัญที่ชางซินนำเสนอในครั้งนี้คือสถาปัตยกรรมทรานซิสเตอร์แบบ Vertical Surround Gate (VSG) การทำให้เกตสามารถควบคุมกระแสไฟฟ้าได้อย่างมีประสิทธิภาพยิ่งขึ้น ทำให้โครงสร้างนี้มีเป้าหมายเพื่อลดกระแสรั่วไหลและผลกระทบจากช่องสัญญาณสั้น ในขณะที่โครงสร้างแนวตั้งช่วยลดพื้นที่แนวราบที่ทรานซิสเตอร์ครอบครอง สิ่งนี้เป็นแนวทางเทคโนโลยีใหม่สำหรับ DRAM ในการเพิ่มความหนาแน่นอย่างต่อเนื่อง ในขณะที่การขยายขนาดแบบดั้งเดิมทำได้ยากลำบากยิ่งขึ้น

อย่างไรก็ตาม ต้องสังเกตว่ายังคงมีช่องว่างระหว่างความก้าวหน้าทางเทคโนโลยีกับการประสบความสำเร็จในการผลิตเชิงปริมาณเพื่อการค้า นักวิเคราะห์จาก Morningstar เชื่อว่าอาจเป็นเรื่อง "ยากลำบากอย่างยิ่ง" สำหรับชางซินในการผลิตโครงสร้างนี้ในเชิงพาณิชย์ โดยมีความท้าทายหลักรวมถึงความสม่ำเสมอในระหว่างการผลิตในปริมาณมาก ประสิทธิภาพที่ทำได้ในขั้นตอนการทดลองหรือตัวอย่าง จะต้องสามารถทำซ้ำได้อย่างมีเสถียรภาพในการผลิตอย่างต่อเนื่อง เพื่อเปลี่ยนเป็นผลิตภัณฑ์ที่ผ่านการรับรองและสร้างกำไรที่แท้จริง

ดังนั้น แม้ว่าการเปิดตัวผลิตภัณฑ์ภายในสิ้นปีนี้จะเป็นหลักไมล์สำคัญที่น่าจับตามอง แต่ก็ยังไม่สามารถสรุปได้ว่าชางซินจะบรรลุการอุปทานในปริมาณมากและมีต้นทุนต่ำได้ในเวลานั้น RDIMM เป็นรูปแบบโมดูลหน่วยความจำที่ใช้กันอย่างแพร่หลายในเซิร์ฟเวอร์ และข้อกำหนดในการทำงานไม่ได้ครอบคลุมเพียงแค่ความเร็วเท่านั้น แต่ยังรวมถึงความเสถียรและความน่าเชื่อถือที่ต่อเนื่องในระยะยาว รวมถึงความเข้ากันได้กับแพลตฟอร์มเซิร์ฟเวอร์ ยักษ์ใหญ่ด้านหน่วยความจำระดับนานาชาติได้สะสมความได้เปรียบที่แข็งแกร่งด้านลูกค้าและวิศวกรรมในสาขานี้ หากต้องการขยายส่วนแบ่งตลาด ชางซินจะต้องก้าวข้ามอุปสรรคสองประการ ทั้งในด้านการผลิตและการรับรองคุณสมบัติจากลูกค้า

สำหรับผู้จัดจำหน่าย DRAM รายเดิม แรงกดดันที่อาจเกิดขึ้นมาจากทั้งฝั่งต้นทุนและฝั่งอุปทาน หากชางซินบรรลุการผลิตเชิงปริมาณที่เสถียรและขยายการจัดส่ง ต้นทุนต่อหน่วยที่ต่ำลงอาจช่วยให้บริษัทชนะคำสั่งซื้อ ขณะเดียวกันอุปทานที่มีประสิทธิภาพที่เพิ่มเข้ามาก็อาจสร้างแรงกดดันต่อราคา DRAM ด้วยเช่นกัน

ในอีกด้านหนึ่ง การประเมินผลกระทบที่แท้จริงจากการประกาศของชางซินต่อหุ้นกลุ่มหน่วยความจำ จำเป็นต้องประเมินส่วนผสมผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิตแต่ละราย การแข่งขันที่อาจเกิดขึ้นกับ DDR5 สำหรับเซิร์ฟเวอร์ ไม่สามารถนำมาเปรียบเทียบกับผลกระทบต่อธุรกิจ HBM ได้โดยตรง ในระยะข้างหน้า สิ่งที่จะกำหนดแรงกดดันในการแข่งขันอย่างแท้จริงคือ อัตราผลตอบแทนจากการผลิตเชิงปริมาณของชางซิน การรับรองคุณสมบัติจากลูกค้า และขนาดของอุปทานที่เกิดขึ้นจริง