มีรายงานว่าซัมซุงเลือกใช้โซลูชัน 3nm ของ TSMC สำหรับ HBM ของ Nvidia: เอสเคไฮนิกซ์และไมครอนจะเดินตามรอยหรือไม่?

TradingKey - เมื่อวันที่ 18 ต.ค. ตามเวลาฝั่งตะวันออกของสหรัฐฯ มีรายงานเกี่ยวกับข้อตกลงห่วงโซ่อุปทานใหม่สำหรับหน่วยความจำแบนด์วิธสูง (HBM) แบบกำหนดเองรุ่นถัดไปของอินวิเดีย (NVDA)

ตามรายงานของหนังสือพิมพ์ Seoul Economic Daily ของเกาหลีใต้ ซัมซุง อิเล็กทรอนิกส์ อาจใช้กระบวนการผลิตระดับ 3 นาโนเมตรของ TSMC (TSM) ในการผลิตเบสไดสำหรับ HBM แบบกำหนดเองของอินวิเดีย ซึ่งในเวลาต่อมาสำนักข่าว Reuters ได้นำรายงานดังกล่าวไปเผยแพร่ต่อ

รายงานระบุว่า อินวิเดียยังได้ยื่นข้อเสนอในลักษณะเดียวกันนี้ไปยังซัมซุง, เอสเคไฮนิกซ์ (SKHY) และไมครอน เทคโนโลยี (MU) โดยอาจคาดหวังให้ซัพพลายเออร์ทั้งสามรายใช้กระบวนการผลิตของ TSMC ในการผลิตเบสไดสำหรับ NVHBM และใช้กระบวนการผลิต DRAM รุ่นถัดไปสำหรับคอร์ได

ในปัจจุบัน อินวิเดีย, ซัมซุง, เอสเคไฮนิกซ์, ไมครอน เทคโนโลยี และ TSMC ยังไม่ได้ยืนยันอย่างเป็นทางการเกี่ยวกับการจัดสรรการผลิตที่เฉพาะเจาะจง รวมถึงยังไม่มีการเปิดเผยปริมาณคำสั่งซื้อ สัดส่วนการจัดสรรอุปทาน หรือกำหนดเวลาการผลิตเป็นจำนวนมาก

NVHBM แตกต่างจาก HBM มาตรฐานอย่างไร?

เอ็นวิเดียได้ประกาศเปิดตัวแพลตฟอร์ม NVLink Fusion สำหรับโครงสร้างพื้นฐาน AI แบบกึ่งคัสตอม ขณะที่สำนักข่าว Reuters อ้างอิงรายงานจากสื่อเกาหลีใต้ระบุว่า เอ็นวิเดียได้เปิดตัว NVHBM ซึ่งเป็นโซลูชัน HBM แบบปรับแต่งเฉพาะในเดือนสิงหาคมที่ผ่านมา

มีรายงานว่า NVHBM แตกต่างจาก HBM มาตรฐาน โดยได้รวมตัวควบคุมหน่วยความจำแบบปรับแต่งเฉพาะของเอ็นวิเดียไว้ในเบสได (base die) ซึ่งโดยทั่วไปเบสไดจะทำหน้าที่ควบคุมลอจิก การเชื่อมต่ออินเทอร์เฟซ และการจัดการหน่วยความจำ ขณะที่คอร์ได (core die) จะทำหน้าที่หลักในการจัดเก็บข้อมูล

การออกแบบนี้คาดว่าจะช่วยให้เอ็นวิเดียสามารถทำให้มาตรฐานอินเทอร์เฟซและการตรวจสอบความถูกต้องของผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์รายต่างๆ เป็นหนึ่งเดียวกัน ช่วยลดภาระในการปรับแต่งผลิตภัณฑ์ และเพิ่มความเป็นไปได้ในการจัดหาชิ้นส่วนจากซัพพลายเออร์หลายราย

ตามรายงานระบุว่า เป้าหมายการออกแบบของ NVHBM ยังรวมถึงการเพิ่มแบนด์วิดท์ของหน่วยความจำ การลดการใช้พลังงาน และการปรับปรุงการใช้พื้นที่ของ XPU อย่างไรก็ตาม ผลลัพธ์ขั้นสุดท้ายยังคงขึ้นอยู่กับการออกแบบชิป กระบวนการผลิต การบรรจุภัณฑ์ อัตราผลตอบแทนจากการผลิต (yield rate) และการผ่านการรับรองคุณสมบัติโดยลูกค้า

ทำไมซัมซุงอาจนำเทคโนโลยีการผลิตของ TSMC มาใช้

หากรายงานดังกล่าวเป็นความจริง ซัมซุงจะใช้กระบวนการผลิตระดับ 3 นาโนเมตรของ TSMC ในการผลิตเบสได (base die) สำหรับโครงการ HBM ของ Nvidia โดยเฉพาะ แทนที่จะพึ่งพากำลังการผลิตของโรงงานหล่อชิปของตนเองทั้งหมด สิ่งนี้อาจเกี่ยวข้องกับความต้องการของอินวิเดียในการทำให้โซลูชันเบสไดเป็นมาตรฐานเดียวกัน และเพิ่มความคล่องตัวในกระบวนการรับซัพพลายเออร์รายใหม่

ข้อตกลงนี้ครอบคลุมเฉพาะโครงการปรับแต่งเฉพาะทางบางโครงการเท่านั้น และไม่ได้แสดงถึงการเปลี่ยนแปลงรูปแบบการผลิตของซัมซุงอย่างสิ้นเชิง รายงานระบุว่า ซัมซุงยังคงวางแผนที่จะรักษาระบบการผลิตภายในองค์กรไว้สำหรับ HBM มาตรฐานและผลิตภัณฑ์ปรับแต่งสำหรับลูกค้ารายอื่น แม้ว่าข้อมูลนี้จะยังไม่ได้รับการยืนยันอย่างเป็นทางการจากทางซัมซุงก็ตาม

สำหรับซัมซุง การนำกระบวนการผลิตของ TSMC มาใช้อาจช่วยให้สามารถตอบสนองข้อกำหนดทางเทคนิคของอินวิเดีย และคว้าคำสั่งซื้อ HBM แบบปรับแต่งรุ่นถัดไปได้ อย่างไรก็ตาม โซลูชันดังกล่าวจะสามารถนำไปสู่การอุปทานจริงได้หรือไม่นั้น ยังคงต้องผ่านการตรวจสอบการออกแบบ การรับรองกระบวนการผลิต การปรับปรุงอัตราผลตอบแทนการผลิต และการเร่งกำลังการผลิตเชิงปริมาณ

เอสเคไฮนิกซ์และไมครอนจะใช้แนวทางเดียวกันหรือไม่?

ในปัจจุบัน ยังไม่มีข้อมูลเปิดเผยต่อสาธารณะที่ระบุว่าเอสเคไฮนิกส์และไมครอน เทคโนโลยี ได้ยอมรับแผนการผลิตเบสไดของ TSMC โดยรายงานระบุเพียงว่าอินวิเดียได้ยื่นข้อเสนอที่คล้ายกันไปยังผู้ผลิต HBM รายใหญ่ 3 ราย

แม้ว่าทั้งสามบริษัทจะใช้การออกแบบเบสไดที่เป็นมาตรฐานค่อนข้างสอดคล้องกัน แต่ความแตกต่างระหว่างผู้ผลิตจะยังคงสะท้อนผ่านเทคโนโลยีกระบวนการผลิตคอร์ได การวางซ้อน HBM การบรรจุภัณฑ์ขั้นสูง อัตราผลผลิต กำลังการผลิต และความเสถียรในการส่งมอบ

สำหรับเอสเคไฮนิกส์ NVHBM อาจนำมาซึ่งคำสั่งซื้อหน่วยความจำแบบปรับแต่งเฉพาะรายใหม่ๆ แต่ก็กำหนดให้ผลิตภัณฑ์ของบริษัทต้องเป็นไปตามมาตรฐานการออกแบบของอินวิเดียด้วยเช่นกัน ส่วนการที่ไมครอน เทคโนโลยี จะสามารถรับคำสั่งซื้อที่เกี่ยวข้องได้หรือไม่นั้น ขึ้นอยู่กับการรับรองจากลูกค้า การจัดสรรกำลังการผลิต ประสิทธิภาพของผลิตภัณฑ์ และการกำหนดราคา

ในปัจจุบัน ยังไม่ชัดเจนว่าทั้งสองบริษัทจะใช้รูปแบบการผลิตเดียวกันกับซัมซุงหรือไม่

มีความหมายอย่างไรต่อ NVDA, ซัมซุง และ TSMC?

สำหรับอินวิเดีย โซลูชัน NVHBM แบบรวมศูนย์อาจช่วยขยายแหล่งอุปทานที่ผ่านการรับรอง ลดการพึ่งพาผู้ขายหน่วยความจำรายเดียว และผลักดันการออกแบบร่วมของแพลตฟอร์ม HBM และ XPU แบบคัสตอม ทั้งนี้ การที่สิ่งนี้จะเปลี่ยนเป็นยอดจัดส่งจริงได้หรือไม่นั้น ยังคงขึ้นอยู่กับการรับรองคุณสมบัติผู้จัดหา การจัดสรรคำสั่งซื้อ และความคืบหน้าของการผลิตในปริมาณมาก

สำหรับซัมซุง เอสเคไฮนิกซ์ และไมครอน NVHBM มอบโอกาสในการรับคำสั่งซื้อหน่วยความจำระดับไฮเอนด์ที่มีศักยภาพ ขณะเดียวกันก็เพิ่มข้อกำหนดสำหรับสเปกผลิตภัณฑ์ อัตราผลตอบแทนจากการผลิต และความสามารถในการส่งมอบ

สำหรับ TSMC หากกระบวนการผลิตขนาด 3 นาโนเมตรถูกนำมาใช้สำหรับ Base Die ของ NVHBM ในท้ายที่สุด ขอบเขตการประยุกต์ใช้กระบวนการลอจิกขั้นสูงในหน่วยความจำ AI ก็อาจขยายตัวขึ้น อย่างไรก็ตาม ปัจจุบันยังไม่มีหลักฐานระบุว่า TSMC ได้รับคำสั่งซื้อที่แน่นอนแล้ว และยังไม่สามารถประเมินสัดส่วนรายได้ที่เกี่ยวข้องเป็นตัวเลขได้ในขณะนี้

ในระยะข้างหน้า ประเด็นสำคัญที่ต้องติดตาม ได้แก่ ผู้ผลิตหน่วยความจำทั้งสามรายจะยืนยันโซลูชันอุปทานหรือไม่ ความคืบหน้าของการรับรองคุณสมบัติโดยลูกค้าและการผลิต NVHBM ในปริมาณมาก รวมถึงการที่อินวิเดียจะเปิดเผยผู้จัดหารายเฉพาะ ปริมาณคำสั่งซื้อ และการจัดสรรอุปทานหรือไม่