SK hynix invierte 38.000 millones de dólares en nuevas fábricas para satisfacer la demanda de memoria para IA

SK hynix vuelve a apostar fuertemente por la inteligencia artificial. El gigante surcoreano de la memoria aprobó el viernes una inversión de 54 billones de wones (unos 38.000 millones de dólares) en nuevas plantas de fabricación, autorizando dos nuevas fábricas de chips que ampliarán la producción de chips de memoria para sistemas de IA. Esta decisión refleja la convicción de la compañía de que la demanda de infraestructura de IA se mantendrátrondurante años, y que la memoria, y no los procesadores, sigue siendo la principal limitación del sector.

Este anuncio se produce tras unos resultados trimestrales récord que demuestran la importancia de la memoria de alto ancho de banda (HBM) en el actual auge de la IA. Según un informe anterior de Cryptopolitan, SK Hynix registró unos ingresos de 79,3 billones de wones en el segundo trimestre y un beneficio neto de 60,5 billones de wones gracias a la creciente demanda de tecnología HBM. La compañía ha comenzado a realizar grandes entregas de chips HBM4 para mantener su liderazgo en el campo de la memoria para IA.

Esta inversión es crucial para las empresas que fabrican chips de IA y servicios en la nube, ya que los sofisticados dispositivos aceleradores dependen de la integración de múltiples pilas HBM junto a los chips mediante tecnología de empaquetado avanzada, como CoWoS de TSMC. Simplemente aumentar la producción de chips GPU no serviría de nada si la memoria HBM no está disponible en cantidades suficientes.

Según un informe publicado por Omdia, es probable que la memoria represente más del 50 % de los ingresos del mercado mundial de semiconductores para 2026 debido al aumento de la demanda de DRAM y NAND a causa de la IA. TrendForce afirma que la oferta de DRAM y HBM seguirá siendo escasa al menos hasta 2027, ya que la capacidad de empaquetado avanzado será limitada a pesar de los avances en el sector.

SK hynix suministra memoria HBM a Nvidia y otros fabricantes de aceleradores de IA, lo que convierte sus intenciones de fabricación en un indicador clave de la velocidad de expansión de la infraestructura de IA. Esta inversión se produce tras Cryptopolitansobre el anuncio del CEO de Nvidia, Jensen Huang, de una cooperación de 500.000 millones de dólares con SK Group, lo que demuestra la creciente importancia de la producción de memoria.

¿Adónde van los 54 billones de wones?

SK hynix anunció que destinará 35,2 billones de wones a la construcción de su fábrica de DRAM Y2 en Yongin. Asimismo, invertirá 19,1 billones de wones en la construcción de la fábrica de memoria flash NAND M17 en su campus de Cheongju. Se estima que la inversión total ascenderá a unos 38.000 millones de dólares.

Estos proyectos son un componente integral de los planes de desarrollo más ambiciosos de SK hynix. La compañía ya ha comprometido 600 billones de wones para el clúster de semiconductores de Yongin y otros 100 billones de wones para expandir Cheongju, mientras que la construcción de la fábrica Y1, ubicada en las inmediaciones, ya está en marcha.

La empresa está tomando medidas para fortalecer su posición en el mercado de memorias para IA. SK hynix obtuvo el 58% de los ingresos globales de HBM en el primer trimestre de 2026, según el informe Memory Tracde Counterpoint Research, seguido por Samsung (21%) y Micron (21%).

La memoria HBM es actualmente uno de los materiales más escasos en la industria de la IA. A diferencia de los materiales DRAM convencionales, utiliza tecnología de apilamiento, tecnología de interconexión a través del silicio (TSV) y una compleja tecnología de encapsulado, lo que dificulta enormemente su fabricación.

Según las proyecciones de Omdia, la industria de los semiconductores experimentará un crecimiento del 94,1% en el año 2026, impulsado por la demanda de memorias NAND y DRAM relacionada con la inteligencia artificial.

La escasez de suministro ya ha comenzado a afectar los planes de desarrollo de productos. Por ejemplo, Nvidia está considerando ahora 8-Hi HBM y HBM4 para su próximo acelerador Rubin Ultra en lugar de la 12-Hi HBM4e prevista inicialmente, debido a la preocupación de que la menor disponibilidad de DRAM en 2027 pueda obstaculizar la producción de módulos HBM.

Esta dinámica implica que los proveedores de memoria controlan cada vez más la rapidez con la que el hardware de IA puede entrar en el mercado. Un aumento en la capacidad de memoria conlleva un incremento en los envíos de aceleradores, mientras que una escasez de memoria obliga a los fabricantes a modificar el diseño de sus productos para adaptarlo a la cantidad de memoria disponible.

Qué construirán las plantas y cuándo

Los analistas prevén que la escasez de suministro continúe, ya que pasarán varios años antes de que las nuevas fábricas estén operativas.

Según SK hynix, se espera que la fábrica Y2 produzca tanto memorias HBM como memorias DRAM de próxima generación. La construcción comenzará en julio de 2027 y se prevé que la sala limpia esté lista en junio de 2029. La colocación de la primera piedra de la fábrica M17 tendrá lugar en febrero de 2027 y su sala limpia estará lista en diciembre de 2028.

Según SK hynix, esta inversión sienta las bases para una transición que se prevé que lleve tiempo, en lugar de ser una simple tendencia pasajera en el campo de la IA. La empresa indica que, según las previsiones de Omdia, se espera un crecimiento anual compuesto del 19 % en la demanda global de DRAM y NAND hasta 2030, lo que confirma la convicción de SK hynix sobre la importancia de la fabricación de memorias de gran consumo para ser competitivo en la era de la inteligencia artificial.

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