ไมครอนวางแผนเพิ่มกำลังการผลิต HBM รายเดือนเป็นสองเท่าสู่ 100,000 เวเฟอร์ เพื่อเร่งก้าวให้ทันซัมซุงและเอสเคไฮนิกซ์

TradingKey - ตามรายงานของสำนักข่าวยอนฮัปเมื่อวันที่ 4 กันยายน โดยอ้างอิงแหล่งข่าวในอุตสาหกรรม ไมครอน (MU) วางแผนที่จะเพิ่มกำลังการผลิตหน่วยความจำแบนด์วิดท์สูง (HBM) ต่อเดือนเป็นประมาณ 100,000 เวเฟอร์ภายในสิ้นปี 2026 ซึ่งเพิ่มขึ้นเกือบเท่าตัวจากขนาดในปีที่แล้ว หากบรรลุเป้าหมายตามกำหนดเวลา ช่องว่างด้านกำลังการผลิตระหว่างไมครอนกับซัมซุง อิเล็กทรอนิกส์ และเอสเคไฮนิกซ์ อาจลดลงเหลือประมาณครึ่งหนึ่งของระดับปัจจุบัน

ขณะเดียวกัน ไมครอนกำลังเร่งขยายการผลิตเชิงปริมาณสำหรับผลิตภัณฑ์ HBM4 แบบ 12 ชั้นรุ่นล่าสุด เพื่อตอบสนองความต้องการชิปเร่งความเร็ว AI รุ่นถัดไปของอินวิเดีย

กำลังการผลิต HBM ต่อเดือนของ Micron อาจเพิ่มขึ้นเป็น 100,000 เวเฟอร์

แหล่งข่าวในอุตสาหกรรมเปิดเผยว่า ไมครอนมีแผนที่จะเพิ่มกำลังการผลิต HBM ต่อเดือนอีกสูงสุด 60,000 เวเฟอร์ โดยปริมาณการผลิต HBM ต่อเดือนของบริษัทในปีที่แล้วอยู่ที่ประมาณ 40,000 ถึง 50,000 เวเฟอร์ และหลังจากกำลังการผลิตใหม่เริ่มเข้าสู่กระบวนการผลิต คาดว่าขนาดรวมทั้งหมดจะแตะระดับประมาณ 100,000 เวเฟอร์

เพื่อบรรลุเป้าหมายนี้ ไมครอนกำลังส่งคำสั่งซื้อเพิ่มเติมไปยังผู้จัดจำหน่ายอุปกรณ์การผลิต HBM หลายราย โดยอุปกรณ์ที่เกี่ยวข้องกำลังถูกจัดส่งไปยังโรงงานของบริษัทในไต้หวันและสิงคโปร์ ปัจจุบัน ธุรกิจการบรรจุภัณฑ์ HBM ของไมครอนดำเนินการหลักอยู่ที่โรงงานถงหลัวในไต้หวันและโรงงานวูดแลนส์ในสิงคโปร์ ขณะที่การลงทุนด้านอุปกรณ์สำหรับโรงงานฮิโรชิมะในญี่ปุ่นก็อยู่ระหว่างการเตรียมการเช่นกัน

เบื้องหลังการขยายกำลังการผลิตนี้คือความต้องการ HBM อย่างต่อเนื่องจากเซิร์ฟเวอร์ AI และตัวเร่งความเร็ว AI เนื่องจาก HBM ให้แบนด์วิดท์หน่วยความจำที่สูงกว่า จึงกลายเป็นส่วนประกอบสำคัญในระบบการฝึกฝนและการประมวลผลของ Generative AI โดยผู้ผลิตชิป AI ซึ่งนำโดยอินวิเดีย ยังคงขยายขนาดการจัดซื้ออย่างต่อเนื่อง และตลาด HBM ยังคงอยู่ในภาวะขาดแคลน

สัดส่วนผลิตภัณฑ์ HBM4 แบบ 12 ชั้น มีแนวโน้มปรับตัวสูงขึ้น

นอกจากจะขยายกำลังการผลิตแล้ว ไมครอนยังปรับสัดส่วนผลิตภัณฑ์ HBM อีกด้วย ปัจจุบัน ผลผลิต HBM ของบริษัทยังคงมีผลิตภัณฑ์ HBM3E แบบ 12 ชั้นเป็นหลัก แต่คาดว่าสัดส่วนของผลิตภัณฑ์ HBM4 แบบ 12 ชั้นจะเพิ่มขึ้นจาก 20% ถึง 30% ในช่วงต้นปี 2026 เป็นสูงสุดถึง 50% ภายในสิ้นปีดังกล่าว

ผลิตภัณฑ์ HBM4 แบบ 12 ชั้นถือเป็นหน่วยความจำที่ใช้ร่วมกับชิปเร่งความเร็ว AI รุ่นถัดไปอย่าง "Vera Rubin" ของเอ็นวิเดีย โดยไมครอนได้เริ่มการผลิตเชิงปริมาณของผลิตภัณฑ์ดังกล่าวในไตรมาสที่สองของปี 2026

ซันเจย์ เมห์โรตรา ประธานเจ้าหน้าที่บริหารของไมครอน กล่าวระหว่างการแถลงผลประกอบการประจำไตรมาสที่ 3 ของปีงบประมาณ 2026 ในเดือนมิถุนายนว่า อัตราการเร่งขยายการผลิตจำนวนมากสำหรับ HBM4 แบบ 12 ชั้น สูงเป็นประมาณสองเท่าของ HBM3E แบบ 12 ชั้น โดยในขณะนั้น รายได้จากการจัดส่งสะสมของ HBM4 สำหรับไมครอนได้ทะลุ 1 พันล้านดอลลาร์แล้ว

ไมครอนยังคงต้องเร่งตามซัมซุงและเอสเคไฮนิกซ์ให้ทัน

แม้ว่าไมครอน เทคโนโลยี จะเป็นหนึ่งในสามผู้ผลิต HBM ชั้นนำของโลก แต่กำลังการผลิตของบริษัทยังคงต่ำกว่าซัมซุง อิเล็กทรอนิกส์ และเอสเคไฮนิกซ์อยู่มาก การประเมินในอุตสาหกรรมโดยทั่วไประบุว่า ซัมซุง อิเล็กทรอนิกส์ และเอสเคไฮนิกซ์ ต่างมีกำลังการผลิต HBM ต่อเดือนอยู่ที่ประมาณ 150,000 ถึง 200,000 เวเฟอร์ ซึ่งคิดเป็น 3 ถึง 4 เท่าของขนาดกำลังการผลิตปัจจุบันของไมครอน

ในแง่ของส่วนแบ่งตลาด ข้อมูลจากเคาน์เตอร์พอยท์ รีเสิร์ช แสดงให้เห็นว่า ในตลาด HBM ทั่วโลกในไตรมาสที่ 2 ของปี 2026 เอสเคไฮนิกซ์ครองอันดับหนึ่งด้วยส่วนแบ่ง 50% ขณะที่ซัมซุง อิเล็กทรอนิกส์ มีส่วนแบ่ง 32% และไมครอน เทคโนโลยี ถือครอง 18% โดยยังคงอยู่ในอันดับสามมาโดยตลอด

หากไมครอน เทคโนโลยี สามารถเพิ่มกำลังการผลิต HBM ต่อเดือนเป็นประมาณ 100,000 เวเฟอร์ได้ภายในสิ้นปี และประสบความสำเร็จในการเพิ่มสัดส่วนของผลิตภัณฑ์ HBM4 แบบ 12 ชั้น คาดว่าช่องว่างกำลังการผลิตระหว่างไมครอนและสองคู่แข่งรายใหญ่จะแคบลงอย่างมีนัยสำคัญ สำหรับไมครอนแล้ว นี่ไม่เพียงเป็นความเคลื่อนไหวสำคัญในการแข่งขันเพื่อแย่งชิงส่วนแบ่งตลาด HBM เท่านั้น แต่ยังเป็นก้าวสำคัญในการเปลี่ยนอุปสงค์หน่วยความจำ AI ให้กลายเป็นการเติบโตของรายได้