Samsung y SK Hynix caen más de un 4% intradía mientras ChangXin Memory de China revela avances en tecnología DRAM de próxima generación

TradingKey - El 12 de octubre, las acciones de los fabricantes surcoreanos de chips de memoria registraron notables caídas en la negociación intradía. Al momento de la redacción, Samsung Electronics (005930.KS) retrocedía hasta un 4,2% aproximadamente, situándose en 252.500 wones, mientras que SK Hynix (000660.KS) caía un 4,01% hasta los 1.624.000 wones. El fabricante chino de memorias DRAM ChangXin Memory Technologies (CXMT) anunció avances en la investigación y desarrollo de tecnología de memoria de próxima generación, lo que ha intensificado la atención del mercado sobre la creciente competencia en la industria global de DRAM.

Gráfico diario de la cotización de Samsung Electronics, Fuente: TradingView

ChangXin Memory Technologies declaró que la empresa ha logrado un avance clave en el I+D de la arquitectura de celdas de memoria DRAM 4F² de próxima generación. En comparación con la arquitectura 6F² utilizada en la DRAM comercial convencional actual, el diseño 4F² puede integrar más celdas de memoria por unidad de superficie del chip, lo que mejora la densidad de memoria al tiempo que aumenta la eficiencia energética. CXMT adoptó una arquitectura de transistores de puerta vertical envolvente de desarrollo propio para reducir el área de cada celda de memoria individual y disminuir la corriente de fuga.

El presidente de CXMT, Cao Kanyu, afirmó que la empresa prevé lanzar productos de memoria para servidores DDR5 RDIMM de próxima generación basados en tecnologías relacionadas antes de finales de 2026. En la actualidad, Samsung y SK Hynix también están desarrollando tecnología 4F²; SK Hynix ya había publicado con anterioridad una hoja de ruta de I+D al respecto, mientras que, según se informa, Samsung planea alcanzar la producción a gran escala de memorias DRAM de menos de 10 nm con esta arquitectura para 2028.

La cuota de mercado global de DRAM de CXMT ha crecido rápidamente en los últimos años. Los datos de Counterpoint mostraron que, en el segundo trimestre de 2026, la cuota de ingresos globales de DRAM de CXMT aumentó hasta el 10%, lo que supone un incremento significativo desde el 4% del mismo periodo del año anterior; durante ese mismo periodo, Samsung representó cerca del 38%, SK Hynix alrededor del 25% y Micron (MU) supuso alrededor del 24%.

Sin embargo, CXMT aún no ha revelado las especificaciones técnicas completas ni un cronograma específico de producción a gran escala para sus productos de próxima generación, por lo que queda por ver si este avance en I+D logrará traducirse en pedidos comerciales a gran escala en el mercado de servidores. A corto plazo, la continua expansión de la cuota de mercado de CXMT y sus avances en la tecnología DRAM avanzada están llevando a los inversores a reevaluar la futura presión competitiva a la que se enfrentan los fabricantes tradicionales de memoria como Samsung y SK Hynix.